Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k (1997)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/s0167-9317(97)00083-x
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Microelectronic Engineering
- ISSN: 0167-9317
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 36, n.1-4, p. 375-378, June 1997
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio e COLINGE, Jean-Pierre. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k. Microelectronic Engineering, v. 36, n. 1-4, p. 375-378, 1997Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x. Acesso em: 13 maio 2024. -
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., & Colinge, J. -P. (1997). Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k. Microelectronic Engineering, 36( 1-4), 375-378. doi:10.1016/s0167-9317(97)00083-x -
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k [Internet]. Microelectronic Engineering. 1997 ; 36( 1-4): 375-378.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x -
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Colinge J-P. Analytical modeling of the substrate effect on accumulation-mode SOI pMOSFETs at room temperature and at 77k [Internet]. Microelectronic Engineering. 1997 ; 36( 1-4): 375-378.[citado 2024 maio 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0167-9317(97)00083-x - The leakage drain current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs operating up to 300 o.C
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0167-9317(97)00083-x (Fonte: oaDOI API)
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