Fabricacao de hbt de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' (1995)
- Authors:
- Autor USP: SWART, JACOBUS WILLIBRORDUS - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Aciesp/Sbpn
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1995
- Source:
- Título do periódico: Novos Materiais, Tecnologia de Feixes: Anais
- Conference titles: Simposio Nipo-Brasileiro de Ciencia e Tecnologia
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ABNT
YOSHIOKA, R T e REDOLFI, A C e SWART, Jacobus Willibrordus. Fabricacao de hbt de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS'. 1995, Anais.. São Paulo: Aciesp/Sbpn, 1995. . Acesso em: 19 set. 2024. -
APA
Yoshioka, R. T., Redolfi, A. C., & Swart, J. W. (1995). Fabricacao de hbt de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS'. In Novos Materiais, Tecnologia de Feixes: Anais. São Paulo: Aciesp/Sbpn. -
NLM
Yoshioka RT, Redolfi AC, Swart JW. Fabricacao de hbt de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS'. Novos Materiais, Tecnologia de Feixes: Anais. 1995 ;[citado 2024 set. 19 ] -
Vancouver
Yoshioka RT, Redolfi AC, Swart JW. Fabricacao de hbt de 'AL''GA''AS' / 'GA''AS'. Novos Materiais, Tecnologia de Feixes: Anais. 1995 ;[citado 2024 set. 19 ] - Analise da influencia de impurezas em filmes de 'CO' na formacao do siliceto
- Interconexoes e contatos em circuitos integrados
- Presilha eletrostatica para camadas em sistemas de deposicao cvd
- Dopagem de 'SI' com boro por tratamento térmico rápido
- Influence of impurities on cobalt silicide formation
- Redução de oxido durante a formação de siliceto de titanio
- Caracterização de filmes finos empregando a técnica de difração de raio-x
- Limitações da estruturaCMOS cavidade dupla
- Difusao de estanho em 'GA''AS' por processamento termico rapido
- Design and processing of hbts
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