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Artigo de periodico
Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations (2010)
Cardoso, Juliana Lopes; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Subjects: ELETROQUÍMICA, CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
CARDOSO, Juliana Lopes e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 95-102, 2010Tradução . . Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Cardoso, J. L., & Santos Filho, S. G. dos. (2010). Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 95-102.
NLM
Cardoso JL, Santos Filho SG dos. Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 95-102.[citado 2024 set. 27 ]
Vancouver
Cardoso JL, Santos Filho SG dos. Potentiostatic electrodeposition of Au-Sn alloys from a non-cyanide bath for soldering: influence of reagents concentrations. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 95-102.[citado 2024 set. 27 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Boron and nitrogen functionalized diamondoids: a first principles investigation (2010)
Garcia, Joelson Cott; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Diamond and Related Materials. Conference titles: European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides. Unidades: EP, IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, DIAMANTE
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Boron and nitrogen functionalized diamondoids: a first principles investigation. Diamond and Related Materials. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/journal/09259635. Acesso em: 27 set. 2024. , 2010
APA
Garcia, J. C., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2010). Boron and nitrogen functionalized diamondoids: a first principles investigation. Diamond and Related Materials. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/journal/09259635
NLM
Garcia JC, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Boron and nitrogen functionalized diamondoids: a first principles investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2010 ; 19( 7): 837-840.[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/09259635
Vancouver
Garcia JC, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Boron and nitrogen functionalized diamondoids: a first principles investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2010 ; 19( 7): 837-840.[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/09259635
Artigo de periodico
Diffraction gratings fabricated in DLC thin films (2010)
Cirino, Giuseppe Antonio; Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Jasinevicius, Renato Goulart; Gonçalves Neto, Luiz
Source: Surface and Coatings Technology. Unidades: EP, EESC
Subjects: HOLOGRAMAS, ANÁLISE DE FOURIER, ÓPTICA
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ABNT
CIRINO, Giuseppe Antonio et al. Diffraction gratings fabricated in DLC thin films. Surface and Coatings Technology, v. 204, n. 18-19, p. 2966-2970, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.02.037. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Cirino, G. A., Mansano, R. D., Verdonck, P. B., Jasinevicius, R. G., & Gonçalves Neto, L. (2010). Diffraction gratings fabricated in DLC thin films. Surface and Coatings Technology, 204( 18-19), 2966-2970. doi:10.1016/j.surfcoat.2010.02.037
NLM
Cirino GA, Mansano RD, Verdonck PB, Jasinevicius RG, Gonçalves Neto L. Diffraction gratings fabricated in DLC thin films [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18-19): 2966-2970.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.02.037
Vancouver
Cirino GA, Mansano RD, Verdonck PB, Jasinevicius RG, Gonçalves Neto L. Diffraction gratings fabricated in DLC thin films [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2010 ; 204( 18-19): 2966-2970.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2010.02.037
Artigo de periodico
Open-circuit voltages: theoretical and experimental optimizations of rear passivated silicon solar cells using Fz and Cz wafers (2010)
Stem, Nair; Ramos, Carlos Alberto Santos; Sánchez, Manuel Cid
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ELÉTRICOS, CÉLULAS SOLARES
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ABNT
STEM, Nair e RAMOS, Carlos Alberto Santos e SÁNCHEZ, Manuel Cid. Open-circuit voltages: theoretical and experimental optimizations of rear passivated silicon solar cells using Fz and Cz wafers. Solid-State Electronics, v. 54, n. 3, p. 221-225, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.09.002. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Stem, N., Ramos, C. A. S., & Sánchez, M. C. (2010). Open-circuit voltages: theoretical and experimental optimizations of rear passivated silicon solar cells using Fz and Cz wafers. Solid-State Electronics, 54( 3), 221-225. doi:10.1016/j.sse.2009.09.002
NLM
Stem N, Ramos CAS, Sánchez MC. Open-circuit voltages: theoretical and experimental optimizations of rear passivated silicon solar cells using Fz and Cz wafers [Internet]. Solid-State Electronics. 2010 ; 54( 3): 221-225.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.09.002
Vancouver
Stem N, Ramos CAS, Sánchez MC. Open-circuit voltages: theoretical and experimental optimizations of rear passivated silicon solar cells using Fz and Cz wafers [Internet]. Solid-State Electronics. 2010 ; 54( 3): 221-225.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.09.002
Artigo de periodico
Diffractive phase-shift lithography photomask operating in proximity printing mode (2010)
Cirino, Giuseppe Antonio; Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Cescato, Lucila; Gonçalves Neto, Luiz
Source: Optics Express. Unidades: EP, EESC
Subjects: HOLOGRAMAS, ÓPTICA
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ABNT
CIRINO, Giuseppe Antonio et al. Diffractive phase-shift lithography photomask operating in proximity printing mode. Optics Express, v. 18, n. 16, p. 16387-16405, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1364/OE.18.016387. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Cirino, G. A., Mansano, R. D., Verdonck, P. B., Cescato, L., & Gonçalves Neto, L. (2010). Diffractive phase-shift lithography photomask operating in proximity printing mode. Optics Express, 18( 16), 16387-16405. doi:10.1364/OE.18.016387
NLM
Cirino GA, Mansano RD, Verdonck PB, Cescato L, Gonçalves Neto L. Diffractive phase-shift lithography photomask operating in proximity printing mode [Internet]. Optics Express. 2010 ; 18( 16): 16387-16405.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1364/OE.18.016387
Vancouver
Cirino GA, Mansano RD, Verdonck PB, Cescato L, Gonçalves Neto L. Diffractive phase-shift lithography photomask operating in proximity printing mode [Internet]. Optics Express. 2010 ; 18( 16): 16387-16405.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1364/OE.18.016387
Artigo de periodico
Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer (2010)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Physica Status Solidi (C). Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, DIELÉTRICOS
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), v. 7, n. 3-4, p. 937-940, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2010). Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer. Physica Status Solidi (C), 7( 3-4), 937-940. doi:10.1002/pssc.200982656
NLM
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656
Vancouver
Albertin KF, Pereyra I. Study of metal-oxide-semiconductor capacitors with r.f. magnetron sputtering TiOxNy films dielectric layer [Internet]. Physica Status Solidi (C). 2010 ; 7( 3-4): 937-940.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200982656
Trabalho de evento
Diffractive optical element applied to proximity exposure lithography exploring partial light coherence (2010)
Cirino, Giuseppe Antonio; Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Gonçalves Neto, Luiz
Conference titles: Latin America Optics & Photonics Conference. Unidades: EP, EESC
Subjects: DIFRAÇÃO DA LUZ, ANÁLISE ÓTICA
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ABNT
CIRINO, Giuseppe Antonio et al. Diffractive optical element applied to proximity exposure lithography exploring partial light coherence. 2010, Anais.. Washington: Optical Society of America, 2010. . Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Cirino, G. A., Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Gonçalves Neto, L. (2010). Diffractive optical element applied to proximity exposure lithography exploring partial light coherence. In . Washington: Optical Society of America.
NLM
Cirino GA, Mansano RD, Verdonck PB, Gonçalves Neto L. Diffractive optical element applied to proximity exposure lithography exploring partial light coherence. 2010 ;[citado 2024 set. 27 ]
Vancouver
Cirino GA, Mansano RD, Verdonck PB, Gonçalves Neto L. Diffractive optical element applied to proximity exposure lithography exploring partial light coherence. 2010 ;[citado 2024 set. 27 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Nanostructured diamond-like carbon films characterization (2010)
Mousinho, Ana Paula; Mansano, Ronaldo Domingues ; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira
Source: Journal of Alloys and Compounds. Conference titles: International Symposium on Metastable, Amorphous and Nanostructured Materials. Unidades: EP, IF
Subjects: FILMES FINOS, NANOPARTÍCULAS
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ABNT
MOUSINHO, Ana Paula e MANSANO, Ronaldo Domingues e SALVADORI, Maria Cecília Barbosa da Silveira. Nanostructured diamond-like carbon films characterization. Journal of Alloys and Compounds. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/journal/09258388. Acesso em: 27 set. 2024. , 2010
APA
Mousinho, A. P., Mansano, R. D., & Salvadori, M. C. B. da S. (2010). Nanostructured diamond-like carbon films characterization. Journal of Alloys and Compounds. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/journal/09258388
NLM
Mousinho AP, Mansano RD, Salvadori MCB da S. Nanostructured diamond-like carbon films characterization [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2010 ; 495 620-624.[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/09258388
Vancouver
Mousinho AP, Mansano RD, Salvadori MCB da S. Nanostructured diamond-like carbon films characterization [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2010 ; 495 620-624.[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/09258388
Trabalho de evento-resumo periodico
Desenvolvimento e avaliação de um prontuário virtual na disciplina de Cirurgia da FOUSP (2010)
Chin, V. K. L; Hayashi, J. Y; Sanches-Júnior, C; Hira, A. Y; Zuffo, Marcelo Knörich ; Homem, Maria da Graça Naclério
Source: Revista da Pós-Graduação. Unidades: EP, FO
Subjects: REGISTROS MÉDICOS, CIRURGIA, ODONTOLOGIA
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ABNT
CHIN, V. K. L et al. Desenvolvimento e avaliação de um prontuário virtual na disciplina de Cirurgia da FOUSP. Revista da Pós-Graduação. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 set. 2024. , 2010
APA
Chin, V. K. L., Hayashi, J. Y., Sanches-Júnior, C., Hira, A. Y., Zuffo, M. K., & Homem, M. da G. N. (2010). Desenvolvimento e avaliação de um prontuário virtual na disciplina de Cirurgia da FOUSP. Revista da Pós-Graduação. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Chin VKL, Hayashi JY, Sanches-Júnior C, Hira AY, Zuffo MK, Homem M da GN. Desenvolvimento e avaliação de um prontuário virtual na disciplina de Cirurgia da FOUSP. Revista da Pós-Graduação. 2010 ; 17( abr./ju): 84.[citado 2024 set. 27 ]
Vancouver
Chin VKL, Hayashi JY, Sanches-Júnior C, Hira AY, Zuffo MK, Homem M da GN. Desenvolvimento e avaliação de um prontuário virtual na disciplina de Cirurgia da FOUSP. Revista da Pós-Graduação. 2010 ; 17( abr./ju): 84.[citado 2024 set. 27 ]
Trabalho de evento
Gestão de Resíduos: lâmpada elétrica a descarga (2010)
Burini Junior, Elvo Calixto ; Andrade, Adnei Melges de ; Santos, Emerson Roberto ; Wang, Shu Hui ; Fonseca, Fernando Josepetti
Conference titles: Workshop de Pós-Graduação e Pesquisa de Centro Paula Souza. Unidades: IEE, EP
Assunto: EMISSÃO DA LUZ
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ABNT
BURINI JUNIOR, Elvo Calixto et al. Gestão de Resíduos: lâmpada elétrica a descarga. 2010, Anais.. São Paulo: Centro Paula Souza, 2010. . Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Burini Junior, E. C., Andrade, A. M. de, Santos, E. R., Wang, S. H., & Fonseca, F. J. (2010). Gestão de Resíduos: lâmpada elétrica a descarga. In . São Paulo: Centro Paula Souza.
NLM
Burini Junior EC, Andrade AM de, Santos ER, Wang SH, Fonseca FJ. Gestão de Resíduos: lâmpada elétrica a descarga. 2010 ;[citado 2024 set. 27 ]
Vancouver
Burini Junior EC, Andrade AM de, Santos ER, Wang SH, Fonseca FJ. Gestão de Resíduos: lâmpada elétrica a descarga. 2010 ;[citado 2024 set. 27 ]
Artigo de periodico
Vanadium oxide-porphyrin nanocomposites as gas sensor interfaces for probing low water content in ethanol (2010)
Timm, Ronaldo Adriano; Hidalgo Falla, Maria del Pilar ; Gonzalez Huila, Manuel Fernando ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Araki, Koiti ; Toma, Henrique Eisi
Source: Sensors and Actuators B: Chemical. Unidades: EP, IQ
Subjects: SENSORES QUÍMICOS, NANOCOMPOSITOS, ETANOL
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ABNT
TIMM, Ronaldo Adriano et al. Vanadium oxide-porphyrin nanocomposites as gas sensor interfaces for probing low water content in ethanol. Sensors and Actuators B: Chemical, v. 146, n. 1, p. 61-68, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.snb.2010.01.045. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Timm, R. A., Hidalgo Falla, M. del P., Gonzalez Huila, M. F., Peres, H. E. M., Ramírez Fernandez, F. J., Araki, K., & Toma, H. E. (2010). Vanadium oxide-porphyrin nanocomposites as gas sensor interfaces for probing low water content in ethanol. Sensors and Actuators B: Chemical, 146( 1), 61-68. doi:10.1016/j.snb.2010.01.045
NLM
Timm RA, Hidalgo Falla M del P, Gonzalez Huila MF, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ, Araki K, Toma HE. Vanadium oxide-porphyrin nanocomposites as gas sensor interfaces for probing low water content in ethanol [Internet]. Sensors and Actuators B: Chemical. 2010 ;146( 1): 61-68.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.snb.2010.01.045
Vancouver
Timm RA, Hidalgo Falla M del P, Gonzalez Huila MF, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ, Araki K, Toma HE. Vanadium oxide-porphyrin nanocomposites as gas sensor interfaces for probing low water content in ethanol [Internet]. Sensors and Actuators B: Chemical. 2010 ;146( 1): 61-68.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.snb.2010.01.045
Artigo de periodico
Reator de UV-Ozônio com lâmpada a vapor de mercúrio a alta pressão modificada para tratamento superficial de óxidos transparentes condutivos utilizados em dispositivos poliméricos eletroluminescentes (2010)
Santos, Emerson Roberto; Correia, Fábio Conte; Wang, Shu Hui ; Hidalgo Falla, Maria del Pilar ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Burini Junior, Elvo Calixto ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Química Nova. Unidades: EP, IEE
Subjects: REATORES QUÍMICOS, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Emerson Roberto et al. Reator de UV-Ozônio com lâmpada a vapor de mercúrio a alta pressão modificada para tratamento superficial de óxidos transparentes condutivos utilizados em dispositivos poliméricos eletroluminescentes. Química Nova, v. 33, n. 8, p. 1779-1783, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S0100-40422010000800027. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Santos, E. R., Correia, F. C., Wang, S. H., Hidalgo Falla, M. del P., Fonseca, F. J., Burini Junior, E. C., & Andrade, A. M. de. (2010). Reator de UV-Ozônio com lâmpada a vapor de mercúrio a alta pressão modificada para tratamento superficial de óxidos transparentes condutivos utilizados em dispositivos poliméricos eletroluminescentes. Química Nova, 33( 8), 1779-1783. doi:10.1590/S0100-40422010000800027
NLM
Santos ER, Correia FC, Wang SH, Hidalgo Falla M del P, Fonseca FJ, Burini Junior EC, Andrade AM de. Reator de UV-Ozônio com lâmpada a vapor de mercúrio a alta pressão modificada para tratamento superficial de óxidos transparentes condutivos utilizados em dispositivos poliméricos eletroluminescentes [Internet]. Química Nova. 2010 ;33( 8): 1779-1783.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S0100-40422010000800027
Vancouver
Santos ER, Correia FC, Wang SH, Hidalgo Falla M del P, Fonseca FJ, Burini Junior EC, Andrade AM de. Reator de UV-Ozônio com lâmpada a vapor de mercúrio a alta pressão modificada para tratamento superficial de óxidos transparentes condutivos utilizados em dispositivos poliméricos eletroluminescentes [Internet]. Química Nova. 2010 ;33( 8): 1779-1783.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S0100-40422010000800027
Artigo de periodico
DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices (2010)
Santos, Sara Dereste dos ; Nicoletti, Talitha; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 51-58, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474141. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Nicoletti, T., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 51-58. doi:10.1149/1.3474141
NLM
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Simoen E, Claeys C. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 51-58.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474141
Vancouver
Santos SD dos, Nicoletti T, Martino JA, Simoen E, Claeys C. DIBL behavior of triple gate FinFETs with SEG on biaxial strained devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 51-58.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474141
Artigo de periodico
Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications (2010)
Cavallari, Marco Roberto ; Albertin, Katia Franklin ; Santos, Gerson dos; Ramos, Carlos Alberto Santos; Pereyra, Inés ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidades: EP, IEE
Assunto: ELETROQUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 425-432, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474188. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Cavallari, M. R., Albertin, K. F., Santos, G. dos, Ramos, C. A. S., Pereyra, I., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2010). Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 425-432. doi:10.1149/1.3474188
NLM
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 425-432.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474188
Vancouver
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 425-432.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474188
Artigo de periodico
a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering (2010)
Nunes, Carolina Carvalho Previdi; Zambom, Luís da Silva ; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: ELETROQUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NUNES, Carolina Carvalho Previdi e ZAMBOM, Luís da Silva e MANSANO, Ronaldo Domingues. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 135-142, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474151. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Nunes, C. C. P., Zambom, L. da S., & Mansano, R. D. (2010). a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 135-142. doi:10.1149/1.3474151
NLM
Nunes CCP, Zambom L da S, Mansano RD. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 135-142.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474151
Vancouver
Nunes CCP, Zambom L da S, Mansano RD. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 135-142.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474151
Artigo de periodico
Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices (2010)
Caño de Andrade, Maria Glória ; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAÑO DE ANDRADE, Maria Glória e MARTINO, João Antonio. Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 67-74, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474143. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Caño de Andrade, M. G., & Martino, J. A. (2010). Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 67-74. doi:10.1149/1.3474143
NLM
Caño de Andrade MG, Martino JA. Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 67-74.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474143
Vancouver
Caño de Andrade MG, Martino JA. Analog performance of bulk and DTMOS triple-gate devices [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 67-74.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474143
Artigo de periodico
A multi-process microfabrication simulator based on cellular automata (2010)
Colombo, Fábio Belotti; Páez Carreño, Marcelo Nelson
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: ELETROQUÍMICA, SIMULAÇÃO DE SISTEMAS
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ABNT
COLOMBO, Fábio Belotti e PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. A multi-process microfabrication simulator based on cellular automata. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 101-108, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474147. Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Colombo, F. B., & Páez Carreño, M. N. (2010). A multi-process microfabrication simulator based on cellular automata. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 101-108. doi:10.1149/1.3474147
NLM
Colombo FB, Páez Carreño MN. A multi-process microfabrication simulator based on cellular automata [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 101-108.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474147
Vancouver
Colombo FB, Páez Carreño MN. A multi-process microfabrication simulator based on cellular automata [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 101-108.[citado 2024 set. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474147
Trabalho de evento-anais periodico
A new correlation-based granulometry algorithm with application in characterizing porous silicon nanomaterials (2010)
Maruta, Ricardo Hitoshi; Kim, Hae Yong ; Huanca, Danilo Roque ; Salcedo, Walter Jaimes
Source: ECS Transactions. Conference titles: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: GRANULOMETRIA, ALGORITMOS
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ABNT
MARUTA, Ricardo Hitoshi et al. A new correlation-based granulometry algorithm with application in characterizing porous silicon nanomaterials. ECS Transactions. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://ecst.ecsdl.org/content/31/1/273. Acesso em: 27 set. 2024. , 2010
APA
Maruta, R. H., Kim, H. Y., Huanca, D. R., & Salcedo, W. J. (2010). A new correlation-based granulometry algorithm with application in characterizing porous silicon nanomaterials. ECS Transactions. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/1.3474171
NLM
Maruta RH, Kim HY, Huanca DR, Salcedo WJ. A new correlation-based granulometry algorithm with application in characterizing porous silicon nanomaterials [Internet]. ECS Transactions. 2010 ; 31( 1): 273-280.[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://ecst.ecsdl.org/content/31/1/273
Vancouver
Maruta RH, Kim HY, Huanca DR, Salcedo WJ. A new correlation-based granulometry algorithm with application in characterizing porous silicon nanomaterials [Internet]. ECS Transactions. 2010 ; 31( 1): 273-280.[citado 2024 set. 27 ] Available from: http://ecst.ecsdl.org/content/31/1/273
Trabalho de evento
A methodology to improve yield in analog circuits by using geometric programming (2010)
Sáenz, Jorge Johanny; Roa, Elkim; Ayala Pabón, Armando ; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria
Source: Proceedings of the SBCCI'10. Conference titles: Symposium on integrated circuits and systems design. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ANALÓGICOS, OTIMIZAÇÃO MATEMÁTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SÁENZ, Jorge Johanny et al. A methodology to improve yield in analog circuits by using geometric programming. 2010, Anais.. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2010. . Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Sáenz, J. J., Roa, E., Ayala Pabón, A., & Van Noije, W. A. M. (2010). A methodology to improve yield in analog circuits by using geometric programming. In Proceedings of the SBCCI'10. São Paulo: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo.
NLM
Sáenz JJ, Roa E, Ayala Pabón A, Van Noije WAM. A methodology to improve yield in analog circuits by using geometric programming. Proceedings of the SBCCI'10. 2010 ;[citado 2024 set. 27 ]
Vancouver
Sáenz JJ, Roa E, Ayala Pabón A, Van Noije WAM. A methodology to improve yield in analog circuits by using geometric programming. Proceedings of the SBCCI'10. 2010 ;[citado 2024 set. 27 ]
Artigo de periodico
PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors (2010)
Cavallari, Marco Roberto ; Albertin, Katia Franklin ; Santos, Gerson dos; Ramos, Carlos Alberto Santos; Pereyra, Inés ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidades: EP, IEE
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 5, n. 2, p. 116-124, 2010Tradução . . Acesso em: 27 set. 2024.
APA
Cavallari, M. R., Albertin, K. F., Santos, G. dos, Ramos, C. A. S., Pereyra, I., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2010). PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems, 5( 2), 116-124.
NLM
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 116-124.[citado 2024 set. 27 ]
Vancouver
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. PECVD silicon oxynitrite as insulator for MDMO-PPV thin-film transistors. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2010 ;5( 2): 116-124.[citado 2024 set. 27 ]

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