a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering (2010)
- Authors:
- USP affiliated authors: MANSANO, RONALDO DOMINGUES - EP ; NUNES, CAROLINA CARVALHO PREVIDI - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.3474151
- Assunto: ELETROQUÍMICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: New Jersey
- Date published: 2010
- Source:
- Título: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010
- ISSN: 1938-5862
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.31, n.1, p. 135-142, 2010
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
NUNES, Carolina Carvalho Previdi e ZAMBOM, Luís da Silva e MANSANO, Ronaldo Domingues. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 135-142, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474151. Acesso em: 27 jan. 2026. -
APA
Nunes, C. C. P., Zambom, L. da S., & Mansano, R. D. (2010). a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 135-142. doi:10.1149/1.3474151 -
NLM
Nunes CCP, Zambom L da S, Mansano RD. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 135-142.[citado 2026 jan. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474151 -
Vancouver
Nunes CCP, Zambom L da S, Mansano RD. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 135-142.[citado 2026 jan. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474151 - Deposição de filmes finos de silício amorfo hidrogenado por sputtering reativo
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Informações sobre o DOI: 10.1149/1.3474151 (Fonte: oaDOI API)
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