Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using dichlorosilane and ammonia (2003)
- Authors:
- Autor USP: MANSANO, RONALDO DOMINGUES - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/s0042-207x(03)00002-2
- Assunto: PLASMA (MICROELETRÔNICA)
- Language: Inglês
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- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ZAMBOM, Luís da Silva e MANSANO, Ronaldo Domingues. Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using dichlorosilane and ammonia. Vacuum, v. 71, n. 4, p. 439-444, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(03)00002-2. Acesso em: 23 jul. 2024. -
APA
Zambom, L. da S., & Mansano, R. D. (2003). Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using dichlorosilane and ammonia. Vacuum, 71( 4), 439-444. doi:10.1016/s0042-207x(03)00002-2 -
NLM
Zambom L da S, Mansano RD. Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using dichlorosilane and ammonia [Internet]. Vacuum. 2003 ; 71( 4): 439-444.[citado 2024 jul. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(03)00002-2 -
Vancouver
Zambom L da S, Mansano RD. Silicon nitride deposited by inductively coupled plasma using dichlorosilane and ammonia [Internet]. Vacuum. 2003 ; 71( 4): 439-444.[citado 2024 jul. 23 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(03)00002-2 - Deposition and characterization of indium-tin oxide thin films deposited by RF sputtering
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0042-207x(03)00002-2 (Fonte: oaDOI API)
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