Menu

Filtros : "TRANSISTORES" Removido: "CIRCUITOS ANALÓGICOS" Limpar

Filtros

Refine with date range

1 - 20 (269 records)

  • Trabalho de evento

    Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs (2024)

    Souza, Adelcio Marques de; Celino, Daniel Ricardo; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo

    Conference titles: IEEE Latin American Symposium on Circuits and Systems - LASCAS. Unidade: EESC

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, NANOTECNOLOGIA, ENGENHARIA MECÂNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. 2024, Anais.. Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2024. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2024). Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs. In . Piscataway, NJ, USA: Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo. doi:10.1109/LASCAS60203.2024.10506187

    • NLM

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187

    • Vancouver

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/LASCAS60203.2024.10506187

  • Artigo de periodico

    Study of ISFET for KCl sensing (2024)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO, SENSORES BIOMÉDICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, v. 219, p. 1-5, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, 219, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2024.108974

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974

  • Artigo de periodico

    An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET (2024)

    Yojo, Leonardo Shimizu; Rangel, R C; Duarte, Pedro Henrique; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio

    Source: Solid State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: GLICOSE, DRENAGEM, TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      YOJO, Leonardo Shimizu et al. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, v. 211, n. Ja 2024, p. 1-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Yojo, L. S., Rangel, R. C., Duarte, P. H., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, 211( Ja 2024), 1-6. doi:10.1016/j.sse.2023.108830

    • NLM

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

    • Vancouver

      Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830

  • Trabalho de evento-resumo

    Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors (2024)

    Luginieski, Marcos ; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e TORRES, Bruno Bassi Millan e FARIA, Gregório Couto. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors. 2024, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2024. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2024). Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf

    • NLM

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors [Internet]. Program. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf

    • Vancouver

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Exploring unipolar inverters based on organic electrochemical transistors [Internet]. Program. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2024/sys/resumos/R0236-1.pdf

  • Artigo de periodico

    Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors (2024)

    Colucci, Renan ; Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto

    Source: Advanced Electronic Materials. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: TRANSISTORES, MATERIAIS ELETRÔNICOS, ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA)

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      COLUCCI, Renan e FEITOSA, Bianca de Andrade e FARIA, Gregório Couto. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, v. 10, n. 2, p. 2300235-1-2300235-8 + supporting information, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Colucci, R., Feitosa, B. de A., & Faria, G. C. (2024). Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors. Advanced Electronic Materials, 10( 2), 2300235-1-2300235-8 + supporting information. doi:10.1002/aelm.202300235

    • NLM

      Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235

    • Vancouver

      Colucci R, Feitosa B de A, Faria GC. Impact of ionic species on the performance of PEDOT:PSS-based organic electrochemical transistors [Internet]. Advanced Electronic Materials. 2024 ; 10( 2): 2300235-1-2300235-8 + supporting information.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1002/aelm.202300235

  • Tese (Doutorado)

    Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (2024)

    Souza, Adelcio Marques de; Romero, Murilo Araujo (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: NANOELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, ENGENHARIA ELÉTRICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Souza, A. M. de. (2024). Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

    • NLM

      Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

    • Vancouver

      Souza AM de. Modelagem compacta para transistores MOS: nanofios sem junções e canais bidimensionais [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18155/tde-08042024-113044/

  • Tese (Doutorado)

    Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (2024)

    Feitosa, Bianca de Andrade ; Faria, Gregório Couto (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), TRANSISTORES, ELETROQUÍMICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FEITOSA, Bianca de Andrade. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos. 2024. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Feitosa, B. de A. (2024). Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

    • NLM

      Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

    • Vancouver

      Feitosa B de A. Modelo eletroquímico termodinâmico (e-OECT) para transistores orgânicos eletroquímicos [Internet]. 2024 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-29042024-141636/

  • Artigo de periodico

    Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors (2024)

    Luginieski, Marcos ; Torres, Bruno Bassi Millan ; Faria, Gregório Couto

    Source: ACS Applied Electronic Materials. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, TRANSISTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LUGINIESKI, Marcos e TORRES, Bruno Bassi Millan e FARIA, Gregório Couto. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors. ACS Applied Electronic Materials, v. 6, n. 4, p. 2225-2231 + supporting information: S1-S10, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Luginieski, M., Torres, B. B. M., & Faria, G. C. (2024). Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors. ACS Applied Electronic Materials, 6( 4), 2225-2231 + supporting information: S1-S10. doi:10.1021/acsaelm.3c01673

    • NLM

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Electronic Materials. 2024 ; 6( 4): 2225-2231 + supporting information: S1-S10.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673

    • Vancouver

      Luginieski M, Torres BBM, Faria GC. Guidelines on measuring volumetric capacitance in organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Electronic Materials. 2024 ; 6( 4): 2225-2231 + supporting information: S1-S10.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01673

  • Artigo de periodico

    ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing (2023)

    Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Ramos, Daniel Augusto; Yojo, Leonardo Shimizu; Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Sasaki, Katia Regina Akemi; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio

    Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SOLUÇÕES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      DUARTE, Pedro Henrique et al. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 18, n. 1, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Duarte, P. H., Rangel, R. C., Ramos, D. A., Yojo, L. S., Mori, C. A. B., Sasaki, K. R. A., et al. (2023). ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing. Journal of Integrated Circuits and Systems, 18( 1), 1-4. doi:10.29292/jics.v18i1.646

    • NLM

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

    • Vancouver

      Duarte PH, Rangel RC, Ramos DA, Yojo LS, Mori CAB, Sasaki KRA, Agopian PGD, Martino JA. ISFET fabrication and characterization for hydrogen peroxide sensing [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2023 ; 18( 1): 1-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v18i1.646

  • Trabalho de evento-resumo

    High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT (2023)

    Torres, Bruno Bassi Millan ; Luginieski, Marcos ; Faria, Gregório Couto

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, TRANSISTORES

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TORRES, Bruno Bassi Millan e LUGINIESKI, Marcos e FARIA, Gregório Couto. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT. 2023, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Torres, B. B. M., Luginieski, M., & Faria, G. C. (2023). High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT. In Livro de Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

    • NLM

      Torres BBM, Luginieski M, Faria GC. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

    • Vancouver

      Torres BBM, Luginieski M, Faria GC. High on/off ratio on PEDOT:PSS-based OECT [Internet]. Livro de Resumos. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/e6297fc3-0f7a-4c07-8bd7-ba561d9bbe17/3180288.pdf

  • Artigo de periodico

    Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide (2023)

    Ferreira, Rafael Cintra Hensel ; Comisso, Nicola ; Musiani, Marco ; Sedona, Francesco ; Sambi, Mauro ; Cester, Andrea ; Lago, Nicolò ; Casalini, Stefano

    Source: Journal of Materials Chemistry C. Unidade: IFSC

    Subjects: COBRE, TRANSISTORES, ELETRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERREIRA, Rafael Cintra Hensel et al. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide. Journal of Materials Chemistry C, v. 11, n. 26, p. 8876-8884 + supplementary information, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Ferreira, R. C. H., Comisso, N., Musiani, M., Sedona, F., Sambi, M., Cester, A., et al. (2023). Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide. Journal of Materials Chemistry C, 11( 26), 8876-8884 + supplementary information. doi:10.1039/d3tc00596h

    • NLM

      Ferreira RCH, Comisso N, Musiani M, Sedona F, Sambi M, Cester A, Lago N, Casalini S. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2023 ; 11( 26): 8876-8884 + supplementary information.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h

    • Vancouver

      Ferreira RCH, Comisso N, Musiani M, Sedona F, Sambi M, Cester A, Lago N, Casalini S. Cu-modified electrolyte-gated transistors based on reduced graphene oxide [Internet]. Journal of Materials Chemistry C. 2023 ; 11( 26): 8876-8884 + supplementary information.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1039/d3tc00596h

  • Dissertação (Mestrado)

    Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (2023)

    Carvalho, Henrique Lanfredi; Martino, João Antonio (Orientador) ; Rangel, Ricardo Cardoso (coorient)

    Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, ALUMÍNIO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CARVALHO, Henrique Lanfredi. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Carvalho, H. L. (2023). Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • NLM

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

    • Vancouver

      Carvalho HL. Proposta de um transistor BESOI MOSFET com contatos duplos de alumínio em dreno/fonte [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22052023-112949/

  • Tese (Doutorado)

    Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (2023)

    Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martino, João Antonio (Orientador) ; Der Agopian, Paula Ghedini (coorient)

    Unidade: EP

    Assunto: TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MORI, Carlos Augusto Bergfeld. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Mori, C. A. B. (2023). Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

    • NLM

      Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

    • Vancouver

      Mori CAB. Projeto e fabricação de um BESOI Túnel-FET como elemento biossensor [Internet]. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30112023-083404/

  • Trabalho de evento

    Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy e MARTINO, João Antonio e AGOPIAN, Paula Ghedini Der. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. 2023, Anais.. [Piscataway]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms. In SBMicro. [Piscataway]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • NLM

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

    • Vancouver

      Canales BG, Martino JA, Agopian PGD. Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302593

  • Trabalho de evento

    Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET (2023)

    Ramos, Daniel Augusto; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Rangel, Ricardo Cardoso; Duarte, Pedro Henrique; Martino, João Antonio

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RAMOS, Daniel Augusto et al. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Ramos, D. A., Sasaki, K. R. A., Rangel, R. C., Duarte, P. H., & Martino, J. A. (2023). Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • NLM

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

    • Vancouver

      Ramos DA, Sasaki KRA, Rangel RC, Duarte PH, Martino JA. Influence of the source/drain doping region on the reconfigurability of BESOI MOSFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302644

  • Trabalho de evento

    Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET (2023)

    Ribeiro, Arllen D.R; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RIBEIRO, Arllen D.R et al. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2023). Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

    • NLM

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

    • Vancouver

      Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Trade-off between channel length and mechanical stress in the operational transconductance amplifier designed with SOI FinFET [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302575

  • Trabalho de evento

    Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K (2023)

    Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: SBMicro. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PERINA, Welder Fernandes et al. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. 2023, Anais.. [Piscataway, N.J.]: IEEE, 2023. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K. In SBMicro. [Piscataway, N.J.]: IEEE. doi:10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

    • NLM

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

    • Vancouver

      Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Study of the effect of multiple conductions on threshold voltage in a MIS-HEMT from 450 K down to 200 K [Internet]. SBMicro. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro60499.2023.10302604

  • Trabalho de evento-resumo

    Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach (2023)

    Feitosa, Bianca de Andrade; Torres, Bruno Bassi Millan ; Coutinho, Douglas José ; Faria, Gregório Couto

    Source: Program. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: IFSC, EESC

    Subjects: ELETROQUÍMICA ORGÂNICA, POLÍMEROS (QUÍMICA ORGÂNICA), TRANSISTORES

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FEITOSA, Bianca de Andrade et al. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Feitosa, B. de A., Torres, B. B. M., Coutinho, D. J., & Faria, G. C. (2023). Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf

    • NLM

      Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf

    • Vancouver

      Feitosa B de A, Torres BBM, Coutinho DJ, Faria GC. Understanding fundamental processes in organic electrochemical devices and biosensors: a thermodynamic approach [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2023/sys/resumos/R0546-1.pdf

  • Artigo de periodico

    MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics (2023)

    Canales, Bruno Godoy; Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CANALES, Bruno Godoy et al. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, v. 38, n. 11, p. 1-6, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Canales, B. G., Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics. Semiconductor Science and Technology, 38( 11), 1-6. doi:10.1088/1361-6641/acfa1f

    • NLM

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

    • Vancouver

      Canales BG, Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. MISHEMT intrinsic voltage gain under multiple channel output characteristics [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2023 ; 38( 11): 1-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/acfa1f

  • Trabalho de evento-resumo

    Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage (2023)

    Seidel, Keli Fabiana; Lucas Junior, Hélio José; Patrzyk, Jéssica Nayara; Luginieski, Marcos ; Serbena, José Pedro Mansueto

    Source: Program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: ELETROQUÍMICA, SEMICONDUTORES, TRANSISTORES, FÍSICA TEÓRICA

    PrivadoHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SEIDEL, Keli Fabiana et al. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. 2023, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2023. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Seidel, K. F., Lucas Junior, H. J., Patrzyk, J. N., Luginieski, M., & Serbena, J. P. M. (2023). Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage. In Program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

    • NLM

      Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

    • Vancouver

      Seidel KF, Lucas Junior HJ, Patrzyk JN, Luginieski M, Serbena JPM. Changes observed on performance and parameters extracted from electrolyte-gated transistors dependent on gate voltage [Internet]. Program. 2023 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b77c2254-e966-45ed-9e08-13fdbefed36d/3159689.pdf

1 - 20 (269 records)

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2024