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  • Artigo de periodico

    Inter-Landau level transfer in valence band of In0.53Ga0.47As/InP quantum well (2022)

    Patricio, Marco Antonio Tito; Teodoro, M. D.; Jacobsen, G. M.; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.

    Source: Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Inter-Landau level transfer in valence band of In0.53Ga0.47As/InP quantum well. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures, v. 143, p. 115347-1-115347-5, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2022.115347. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Patricio, M. A. T., Teodoro, M. D., Jacobsen, G. M., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2022). Inter-Landau level transfer in valence band of In0.53Ga0.47As/InP quantum well. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures, 143, 115347-1-115347-5. doi:10.1016/j.physe.2022.115347

    • NLM

      Patricio MAT, Teodoro MD, Jacobsen GM, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-Landau level transfer in valence band of In0.53Ga0.47As/InP quantum well [Internet]. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. 2022 ; 143 115347-1-115347-5.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2022.115347

    • Vancouver

      Patricio MAT, Teodoro MD, Jacobsen GM, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-Landau level transfer in valence band of In0.53Ga0.47As/InP quantum well [Internet]. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. 2022 ; 143 115347-1-115347-5.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2022.115347

  • Artigo de periodico

    Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells (2021)

    Patricio, Marco Antonio Tito; Tavares, Belarmino Gomes Mendes; Jacobsen, J. M.; Teodoro, M. D.; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.

    Source: Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures, v. 131, p. 114700-1-114700-6, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.114700. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Patricio, M. A. T., Tavares, B. G. M., Jacobsen, J. M., Teodoro, M. D., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2021). Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures, 131, 114700-1-114700-6. doi:10.1016/j.physe.2021.114700

    • NLM

      Patricio MAT, Tavares BGM, Jacobsen JM, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells [Internet]. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. 2021 ; 131 114700-1-114700-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.114700

    • Vancouver

      Patricio MAT, Tavares BGM, Jacobsen JM, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Spin relaxation of holes in In0.53Ga0.47As/InP quantum wells [Internet]. Physica E: low-dimensional systems and nanostructures. 2021 ; 131 114700-1-114700-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2021.114700

  • Trabalho de evento-resumo

    Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well (2019)

    Tavares, Belarmino; Pusep, Yuri A. ; LaPierre, R. R.

    Source: Book of abstracts. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS

    How to cite
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    • ABNT

      TAVARES, Belarmino e PUSEP, Yuri A. e LAPIERRE, R. R. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. 2019, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2019. . Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Tavares, B., Pusep, Y. A., & LaPierre, R. R. (2019). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. In Book of abstracts. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.

    • NLM

      Tavares B, Pusep YA, LaPierre RR. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 set. 14 ]

    • Vancouver

      Tavares B, Pusep YA, LaPierre RR. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2024 set. 14 ]

  • Artigo de periodico

    Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well (2019)

    Patricio, M. A. Tito; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PATRICIO, M. A. Tito e LAPIERRE, R. R. e PUSEP, Yuri A. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, v. 125, n. 15, p. 155703-01-155703-06, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5085493. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Patricio, M. A. T., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, 125( 15), 155703-01-155703-06. doi:10.1063/1.5085493

    • NLM

      Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493

    • Vancouver

      Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493

  • Trabalho de evento-resumo

    Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well (2019)

    Tavares, Belarmino Gomes Mendes; Teodoro, M. D.; Castro, E. D. Guarin; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.

    Source: Poster contributions. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices - LDSD. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      TAVARES, Belarmino Gomes Mendes et al. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. 2019, Anais.. Bristol: Institute of Physics - IOP, 2019. Disponível em: http://www.ldsd2019.org/committees. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Tavares, B. G. M., Teodoro, M. D., Castro, E. D. G., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. In Poster contributions. Bristol: Institute of Physics - IOP. Recuperado de http://www.ldsd2019.org/committees

    • NLM

      Tavares BGM, Teodoro MD, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Poster contributions. 2019 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.ldsd2019.org/committees

    • Vancouver

      Tavares BGM, Teodoro MD, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Poster contributions. 2019 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.ldsd2019.org/committees

  • Trabalho de evento-resumo

    Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well (2018)

    Tavares, B. G. M.; Castro, E. D. G.; Teodoro, M. D.; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.

    Source: Livro de Resumos. Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    How to cite
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    • ABNT

      TAVARES, B. G. M. et al. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. 2018, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2018. . Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., Teodoro, M. D., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. In Livro de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.

    • NLM

      Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 set. 14 ]

    • Vancouver

      Tavares BGM, Castro EDG, Teodoro MD, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in InGaAs/InP quantum well. Livro de Resumos. 2018 ;[citado 2024 set. 14 ]

  • Artigo de periodico

    Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well (2018)

    Teodoro, M. D.; Tavares, B. G. M.; Castro, E. D. Guarin; LaPierre, R. R.; Pusep, Yuri A.

    Source: Physical Review B. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TEODORO, M. D. et al. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, v. 98, n. 15, p. 155431-1-155431-7, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Teodoro, M. D., Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, 98( 15), 155431-1-155431-7. doi:10.1103/PhysRevB.98.155431

    • NLM

      Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431

    • Vancouver

      Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431

  • Artigo de periodico

    Temperature dependence of photoluminescence from Γ-Γ and Γ-X minibands in lattice matched InGaAs/InP superlattices (2015)

    Santos, L. Fernandes dos; Pusep, Yuri A.; Zanatta, Antonio Ricardo; LaPierre, R. R.

    Source: Journal of Physics D. Unidade: IFSC

    Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANTOS, L. Fernandes dos et al. Temperature dependence of photoluminescence from Γ-Γ and Γ-X minibands in lattice matched InGaAs/InP superlattices. Journal of Physics D, v. No 2015, n. 46, p. 465101-1-465101-5, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/46/465101. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Santos, L. F. dos, Pusep, Y. A., Zanatta, A. R., & LaPierre, R. R. (2015). Temperature dependence of photoluminescence from Γ-Γ and Γ-X minibands in lattice matched InGaAs/InP superlattices. Journal of Physics D, No 2015( 46), 465101-1-465101-5. doi:10.1088/0022-3727/48/46/465101

    • NLM

      Santos LF dos, Pusep YA, Zanatta AR, LaPierre RR. Temperature dependence of photoluminescence from Γ-Γ and Γ-X minibands in lattice matched InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Physics D. 2015 ; No 2015( 46): 465101-1-465101-5.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/46/465101

    • Vancouver

      Santos LF dos, Pusep YA, Zanatta AR, LaPierre RR. Temperature dependence of photoluminescence from Γ-Γ and Γ-X minibands in lattice matched InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Physics D. 2015 ; No 2015( 46): 465101-1-465101-5.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/46/465101

  • Artigo de periodico

    Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires (2013)

    Pusep, Yuri A.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Rodrigues, A. D.; Haapamaki, C. M.; LaPierre, R. R.

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, v. 113, n. 16, p. 164311-1-164311-4, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4803494. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Rodrigues, A. D., Haapamaki, C. M., & LaPierre, R. R. (2013). Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires. Journal of Applied Physics, 113( 16), 164311-1-164311-4. doi:10.1063/1.4803494

    • NLM

      Pusep YA, Arakaki H, Souza CA de, Rodrigues AD, Haapamaki CM, LaPierre RR. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 16): 164311-1-164311-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4803494

    • Vancouver

      Pusep YA, Arakaki H, Souza CA de, Rodrigues AD, Haapamaki CM, LaPierre RR. Crystal structure and optical characterization of heterostructured GaAs/AlGaAs/GaAs nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2013 ; 113( 16): 164311-1-164311-4.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4803494

  • Artigo de periodico

    Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices (2011)

    Pusep, Yuri A.; Gold, A.; Mamani, N. C.; Godoy, M. P. F.; Gobato, Y. Galvão; LaPierre, R. R.

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, v. 110, n. 7, p. 073706-1-073706-6, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3646365. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Gold, A., Mamani, N. C., Godoy, M. P. F., Gobato, Y. G., & LaPierre, R. R. (2011). Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices. Journal of Applied Physics, 110( 7), 073706-1-073706-6. doi:10.1063/1.3646365

    • NLM

      Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365

    • Vancouver

      Pusep YA, Gold A, Mamani NC, Godoy MPF, Gobato YG, LaPierre RR. Electron and hole scattering in short-period 'IN'GA'AS'/'IN'P superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2011 ; 110( 7): 073706-1-073706-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3646365

  • Trabalho de evento-resumo

    Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential (2010)

    Pusep, Yuri A.; Mohseni, P. K.; LaPierre, R. R.; Bakarov, A. K.; Toporov, A. I.

    Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices - ICSNN. Unidade: IFSC

    Subjects: FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA, EFEITO HALL, ELÉTRONS

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential. 2010, Anais.. Beijing: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2010. . Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Mohseni, P. K., LaPierre, R. R., Bakarov, A. K., & Toporov, A. I. (2010). Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential. In Abstracts. Beijing: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Pusep YA, Mohseni PK, LaPierre RR, Bakarov AK, Toporov AI. Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential. Abstracts. 2010 ;[citado 2024 set. 14 ]

    • Vancouver

      Pusep YA, Mohseni PK, LaPierre RR, Bakarov AK, Toporov AI. Effects of disorder in random superlattices embedded in a wide parabolic potential. Abstracts. 2010 ;[citado 2024 set. 14 ]

  • Artigo de periodico

    A study of disorder effects in random (AlxGa1-xAs)(n)(AlyGa1-yAs)(m) superlattices embedded in a wide parabolic potential (2010)

    Pusep, Yuri A; Mohseni, P. K.; LaPierre, R. R.; Bakarov, A. K.; Toropov, A. I.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, ELÉTRONS (ESTUDO)

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. A study of disorder effects in random (AlxGa1-xAs)(n)(AlyGa1-yAs)(m) superlattices embedded in a wide parabolic potential. Applied Physics Letters, v. 96, n. 11, p. 113106-1-113106-3, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3364138. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Mohseni, P. K., LaPierre, R. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2010). A study of disorder effects in random (AlxGa1-xAs)(n)(AlyGa1-yAs)(m) superlattices embedded in a wide parabolic potential. Applied Physics Letters, 96( 11), 113106-1-113106-3. doi:10.1063/1.3364138

    • NLM

      Pusep YA, Mohseni PK, LaPierre RR, Bakarov AK, Toropov AI. A study of disorder effects in random (AlxGa1-xAs)(n)(AlyGa1-yAs)(m) superlattices embedded in a wide parabolic potential [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ; 96( 11): 113106-1-113106-3.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3364138

    • Vancouver

      Pusep YA, Mohseni PK, LaPierre RR, Bakarov AK, Toropov AI. A study of disorder effects in random (AlxGa1-xAs)(n)(AlyGa1-yAs)(m) superlattices embedded in a wide parabolic potential [Internet]. Applied Physics Letters. 2010 ; 96( 11): 113106-1-113106-3.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3364138

  • Artigo de periodico

    Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires (2009)

    Mohseni, P. K.; Rodrigues, A. D.; Galzerani, J. C.; Pusep, Yuri A.; LaPierre, R. R.

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, ESPECTROSCOPIA RAMAN

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MOHSENI, P. K. et al. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 12, p. 124306-1-124306-7, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3269724. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Mohseni, P. K., Rodrigues, A. D., Galzerani, J. C., Pusep, Y. A., & LaPierre, R. R. (2009). Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires. Journal of Applied Physics, 106( 12), 124306-1-124306-7. doi:10.1063/1.3269724

    • NLM

      Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724

    • Vancouver

      Mohseni PK, Rodrigues AD, Galzerani JC, Pusep YA, LaPierre RR. Structural and optical analysis of GaAsP/GaP core-shell nanowires [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 12): 124306-1-124306-7.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3269724

  • Trabalho de evento-resumo

    Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures (2008)

    Pusep, Yuri A.; Gozzo, G. C.; LaPierre, R. R.

    Source: Abstracts. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. e GOZZO, G. C. e LAPIERRE, R. R. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., & LaPierre, R. R. (2008). Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf

    • NLM

      Pusep YA, Gozzo GC, LaPierre RR. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf

    • Vancouver

      Pusep YA, Gozzo GC, LaPierre RR. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2024 set. 14 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf

  • Trabalho de evento-anais periodico

    Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices (2007)

    Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. Giovanni; Galzerani, J. C.; Cornet, D. M.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.

    Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, EFEITO RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2729927. Acesso em: 14 set. 2024. , 2007

    • APA

      Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2007). Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.2729927

    • NLM

      Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927

    • Vancouver

      Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effects in short‐period InGaAs/InP superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893( 1): 385-386.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2729927

  • Trabalho de evento-resumo

    Raman scattering study of InGaAs/InP superlattices (2006)

    Rodrigues, Ariano de Giovanni; Galzerani, J. C.; Pusep, Yuri A.; Comedi, D. M.; LaPierre, R. R.

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidade: IFSC

    Subjects: ESPECTROSCOPIA RAMAN, SEMICONDUTORES

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRIGUES, Ariano de Giovanni et al. Raman scattering study of InGaAs/InP superlattices. 2006, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2006. . Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Pusep, Y. A., Comedi, D. M., & LaPierre, R. R. (2006). Raman scattering study of InGaAs/InP superlattices. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.

    • NLM

      Rodrigues A de G, Galzerani JC, Pusep YA, Comedi DM, LaPierre RR. Raman scattering study of InGaAs/InP superlattices. Resumos. 2006 ;[citado 2024 set. 14 ]

    • Vancouver

      Rodrigues A de G, Galzerani JC, Pusep YA, Comedi DM, LaPierre RR. Raman scattering study of InGaAs/InP superlattices. Resumos. 2006 ;[citado 2024 set. 14 ]

  • Artigo de periodico

    High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices (2006)

    Cornet, D. M.; LaPierre, R. R.; Comedi, D.; Pusep, Yuri A.

    Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CORNET, D. M. et al. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 4, p. 043518-1-043518-6, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2335689. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Cornet, D. M., LaPierre, R. R., Comedi, D., & Pusep, Y. A. (2006). High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices. Journal of Applied Physics, 100( 4), 043518-1-043518-6. doi:10.1063/1.2335689

    • NLM

      Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689

    • Vancouver

      Cornet DM, LaPierre RR, Comedi D, Pusep YA. High resolution x-ray diffraction analysis of InGaAs/InP superlattices [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 4): 043518-1-043518-6.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2335689

  • Artigo de periodico

    Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices (2006)

    Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. Giovanni; Galzerani, J. C.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.

    Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3B, p. Se 2006, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600028. Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Rodrigues, A. G., Galzerani, J. C., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2006). Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices. Brazilian Journal of Physics, 36( 3B), Se 2006. doi:10.1590/s0103-97332006000600028

    • NLM

      Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): Se 2006.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600028

    • Vancouver

      Pusep YA, Rodrigues AG, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAs/InP superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): Se 2006.[citado 2024 set. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600028

  • Artigo de periodico

    Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices (2006)

    Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Cornet, D. M.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.

    Source: Physical Review B. Unidade: IFSC

    Subjects: ÓPTICA, SUPERCONDUTIVIDADE, ESPECTROS

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B, v. 73, n. Ju 2006, p. 235344-1-235344-6, 2006Tradução . . Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Cornet, D. M., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2006). Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B, 73( Ju 2006), 235344-1-235344-6.

    • NLM

      Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B. 2006 ; 73( Ju 2006): 235344-1-235344-6.[citado 2024 set. 14 ]

    • Vancouver

      Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Cornet DM, Comedi D, LaPierre RR. Miniband effect o optical vibrations in short-period 'In IND. x''Ga IND. 1-x'As/InP superlattices. Physical Review B. 2006 ; 73( Ju 2006): 235344-1-235344-6.[citado 2024 set. 14 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices (2005)

    Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. de Giovanni; Galzerani, J. C.; Comedi, D.; LaPierre, R. R.

    Source: Final Program. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. 2005, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2005. . Acesso em: 14 set. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Rodrigues, A. de G., Galzerani, J. C., Comedi, D., & LaPierre, R. R. (2005). Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. In Final Program. São Carlos: SBPMat.

    • NLM

      Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. Final Program. 2005 ;[citado 2024 set. 14 ]

    • Vancouver

      Pusep YA, Rodrigues A de G, Galzerani JC, Comedi D, LaPierre RR. Evidence of the miniband formation in InGaAS/InP superlattices. Final Program. 2005 ;[citado 2024 set. 14 ]
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