Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well

Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well (2019)

Authors:
USP affiliated authors: POUSSEP, IOURI - IFSC ; TAVARES, BELARMINO GOMES MENDES - IFSC
Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA; POÇOS QUÂNTICOS
Language: Inglês
Imprenta:
- Publisher: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2019
Source:
- Título: Book of abstracts
Conference titles: Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC

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ABNT

TAVARES, Belarmino e PUSEP, Yuri A e LAPIERRE, R. R. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. 2019, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2019. . Acesso em: 28 dez. 2025.
APA

Tavares, B., Pusep, Y. A., & LaPierre, R. R. (2019). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. In Book of abstracts. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM

Tavares B, Pusep YA, LaPierre RR. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2025 dez. 28 ]
Vancouver

Tavares B, Pusep YA, LaPierre RR. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Book of abstracts. 2019 ;[citado 2025 dez. 28 ]