Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures (2008)
- Authors:
- Autor USP: POUSSEP, IOURI - IFSC
- Unidade: IFSC
- Subjects: SEMICONDUTORES; ÓPTICA ELETRÔNICA; DIFRAÇÃO POR RAIOS X
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat
- Publisher place: Rio de Janeiro
- Date published: 2008
- Source:
- Título: Abstracts
- Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat
-
ABNT
PUSEP, Yuri A e GOZZO, G. C. e LAPIERRE, R. R. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. 2008, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat, 2008. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf. Acesso em: 09 fev. 2026. -
APA
Pusep, Y. A., Gozzo, G. C., & LaPierre, R. R. (2008). Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures. In Abstracts. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisas em Materiais - SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf -
NLM
Pusep YA, Gozzo GC, LaPierre RR. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2026 fev. 09 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf -
Vancouver
Pusep YA, Gozzo GC, LaPierre RR. Interface roughness in InGaAs/InP heterostructures [Internet]. Abstracts. 2008 ;[citado 2026 fev. 09 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/7encontro/submissao/autor/arquivos/G503.pdf - Raman probing of the wave function of collective excitations in the presence of disorder
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