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Trabalho de evento
Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's (2022)
Ribeiro, Arllen D.R.; Araújo, Gustavo Vinicius de; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: SBMICRO. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO, INOVAÇÕES TECNOLÓGICAS
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ABNT
RIBEIRO, Arllen D.R. et al. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's. 2022, Anais.. Piscataway: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Ribeiro, A. D. R., Araújo, G. V. de, Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's. In SBMICRO. Piscataway: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005
NLM
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005
Vancouver
Ribeiro ADR, Araújo GV de, Martino JA, Agopian PGD. Uniaxially strained silicon influence on two-stage operational transconductance amplifiers designed with SOI FinFET's [Internet]. SBMICRO. 2022 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881005
Apresentacao sonora/cenica/entrevista
Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] (2020)
Abramo, L. Raul ; Nussenzveig, Paulo
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, FOTÔNICA, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, FÍSICA, DIVULGAÇÃO CIENTÍFICA
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ABNT
ABRAMO, L. Raul e NUSSENZVEIG, Paulo. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento]. . São Paulo: USP. Disponível em: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be. Acesso em: 17 out. 2024. , 2020
APA
Abramo, L. R., & Nussenzveig, P. (2020). Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento]. São Paulo: USP. Recuperado de https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
NLM
Abramo LR, Nussenzveig P. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
Vancouver
Abramo LR, Nussenzveig P. Os professores Raul Abramo e Paulo Nussenzveig falam sobre "Next Generation Silicon Photonics" [Depoimento] [Internet]. 2020 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.youtube.com/watch?v=136pztaZfWY&feature=youtu.be
Artigo de periodico
Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Simoen, Eddy ; Mitard Jerome; Agopian, Paula Ghedini Der ; Langer, Robert; Witters, Liesbeth J; Martino, João Antonio
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de et al. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 63, n. 10, p. 4031-4037, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de, Simoen, E., Mitard Jerome,, Agopian, P. G. D., Langer, R., Witters, L. J., & Martino, J. A. (2016). Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes. IEEE Transactions on Electron Devices, 63( 10), 4031-4037. doi:10.1109/ted.2016.2598288
NLM
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288
Vancouver
Oliveira AV de, Simoen E, Mitard Jerome, Agopian PGD, Langer R, Witters LJ, Martino JA. Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016 ; 63( 10): 4031-4037.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2016.2598288
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (2016)
Oliveira, Alberto Vinicius de; Martino, João Antonio (Orientador) ; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO, GERMÂNIO
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ABNT
OLIVEIRA, Alberto Vinicius de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Oliveira, A. V. de. (2016). Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
NLM
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Vancouver
Oliveira AV de. Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio [Internet]. 2016 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-21032017-152959/
Artigo de periodico
Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs (2015)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Santos, Sara Dereste dos; Rooyackers, Rita; Vandoren, A
Source: IEEE Transactions on Electron Devices. Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, v. 62, n. Ja 2015, p. 16-22, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Santos, S. D. dos, Rooyackers, R., & Vandoren, A. (2015). Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 62( Ja 2015), 16-22. doi:10.1109/ted.2014.2367659
NLM
Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659
Vancouver
Agopian PGD, Martino JA, Santos SD dos, Rooyackers R, Vandoren A. Influence of the Source Composition on the Analog Performance Parameters of Vertical Nanowire-TFETs [Internet]. IEEE Transactions on Electron Devices. 2015 ; 62( Ja 2015): 16-22.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ted.2014.2367659
Artigo de periodico
Controlled growth of extended arrays of 'CO''SI' IND. 2' hexagonal nanoplatelets buried in 'SI'(001), 'SI'(011) and 'SI'(111) wafers (2015)
Kellermann, G.; Montoro, L. A.; Giovanetti, L. J.; Claro, P. C. dos Santos; Requejo, F. G.; Zhang, L.; Ramirez, A. J.; Craievich, Aldo Felix
Source: Physical Chemistry Chemical Physics. Unidade: IF
Subjects: SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
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ABNT
KELLERMANN, G. et al. Controlled growth of extended arrays of 'CO''SI' IND. 2' hexagonal nanoplatelets buried in 'SI'(001), 'SI'(011) and 'SI'(111) wafers. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 17, n. ja 2015, p. 4945-4951, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/C4CP04738A. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Kellermann, G., Montoro, L. A., Giovanetti, L. J., Claro, P. C. dos S., Requejo, F. G., Zhang, L., et al. (2015). Controlled growth of extended arrays of 'CO''SI' IND. 2' hexagonal nanoplatelets buried in 'SI'(001), 'SI'(011) and 'SI'(111) wafers. Physical Chemistry Chemical Physics, 17( ja 2015), 4945-4951. doi:10.1039/C4CP04738A
NLM
Kellermann G, Montoro LA, Giovanetti LJ, Claro PC dos S, Requejo FG, Zhang L, Ramirez AJ, Craievich AF. Controlled growth of extended arrays of 'CO''SI' IND. 2' hexagonal nanoplatelets buried in 'SI'(001), 'SI'(011) and 'SI'(111) wafers [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2015 ; 17( ja 2015): 4945-4951.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1039/C4CP04738A
Vancouver
Kellermann G, Montoro LA, Giovanetti LJ, Claro PC dos S, Requejo FG, Zhang L, Ramirez AJ, Craievich AF. Controlled growth of extended arrays of 'CO''SI' IND. 2' hexagonal nanoplatelets buried in 'SI'(001), 'SI'(011) and 'SI'(111) wafers [Internet]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2015 ; 17( ja 2015): 4945-4951.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1039/C4CP04738A
Artigo de periodico
Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation (2014)
Caño de Andrade, Maria Glória; Collaert, Nadine ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Aoulaiche, Marc; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics Reliability. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
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ABNT
CAÑO DE ANDRADE, Maria Glória et al. Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation. Microelectronics Reliability, v. 54, n. 11, p. 2349-2354, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2014.06.013. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Caño de Andrade, M. G., Collaert, N., Simoen, E., Claeys, C., Aoulaiche, M., & Martino, J. A. (2014). Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation. Microelectronics Reliability, 54( 11), 2349-2354. doi:10.1016/j.microrel.2014.06.013
NLM
Caño de Andrade MG, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Aoulaiche M, Martino JA. Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation [Internet]. Microelectronics Reliability. 2014 ; 54( 11): 2349-2354.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2014.06.013
Vancouver
Caño de Andrade MG, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Aoulaiche M, Martino JA. Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation [Internet]. Microelectronics Reliability. 2014 ; 54( 11): 2349-2354.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2014.06.013
Artigo de periodico
Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics (2014)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio ; Cretu, B; Strobel, V; Routoure, J.-M; Carin, R; Aoulaiche, Marc; Jurczak, Malgorzata; Claeys, Cor
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics. Solid-State Electronics, v. 97, p. 14-22, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Martino, J. A., Cretu, B., Strobel, V., Routoure, J. -M., Carin, R., et al. (2014). Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics. Solid-State Electronics, 97, 14-22. doi:10.1016/j.sse.2014.04.034
NLM
Santos SD dos, Martino JA, Cretu B, Strobel V, Routoure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Jurczak M, Claeys C. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 97 14-22.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034
Vancouver
Santos SD dos, Martino JA, Cretu B, Strobel V, Routoure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Jurczak M, Claeys C. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 97 14-22.[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034
Tese (Doutorado)
Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos (2003)
Souza, Silvana Gasparotto de; Furlan, Rogério (Orientador) ; Silva, Maria Lucia Pereira da (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, MICROELETRÔNICA, PRODUTOS QUÍMICOS (CONCENTRAÇÃO)
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ABNT
SOUZA, Silvana Gasparotto de. Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Souza, S. G. de. (2003). Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Souza SG de. Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos. 2003 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Souza SG de. Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos. 2003 ;[citado 2024 out. 17 ]
Relatorio tecnico
Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication (2003)
Dantas, Michel Oliveira da Silva; Galeazzo, Elisabete ; Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
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ABNT
DANTAS, Michel Oliveira da Silva et al. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 17 out. 2024. , 2003
APA
Dantas, M. O. da S., Galeazzo, E., Peres, H. E. M., & Ramírez Fernandez, F. J. (2003). Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. São Paulo: EPUSP.
NLM
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. 2003 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Dantas MO da S, Galeazzo E, Peres HEM, Ramírez Fernandez FJ. Porous silicon processing for enhancing thin silicon membranes fabrication. 2003 ;[citado 2024 out. 17 ]
Relatorio tecnico
Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos (2003)
Souza, Silvana Gasparotto de; Silva, Maria Lucia Pereira da; Furlan, Rogério
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Silvana Gasparotto de e SILVA, Maria Lucia Pereira da e FURLAN, Rogério. Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 17 out. 2024. , 2003
APA
Souza, S. G. de, Silva, M. L. P. da, & Furlan, R. (2003). Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos. São Paulo: EPUSP.
NLM
Souza SG de, Silva MLP da, Furlan R. Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos. 2003 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Souza SG de, Silva MLP da, Furlan R. Estudo da viabilidade técnica da utilização de microcanais para concentração de produtos químicos. 2003 ;[citado 2024 out. 17 ]
Tese (Doutorado)
Contribuições ao desenvolvimento de sensores e microssistemas (2003)
Peres, Henrique Estanislau Maldonado ; Ramírez Fernandez, Francisco Javier (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO, SISTEMAS MICROELETROMECÂNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERES, Henrique Estanislau Maldonado. Contribuições ao desenvolvimento de sensores e microssistemas. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Peres, H. E. M. (2003). Contribuições ao desenvolvimento de sensores e microssistemas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Peres HEM. Contribuições ao desenvolvimento de sensores e microssistemas. 2003 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Peres HEM. Contribuições ao desenvolvimento de sensores e microssistemas. 2003 ;[citado 2024 out. 17 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo experimental da deposição autocatalítica de níquel sobre silício policristalino ou alumínio visando a fabricação de microeletrodos e portas MOS (2002)
Navia, Alan Rodrigo; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ELECTROLESS, MICROELETRÔNICA, SILÍCIO, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NAVIA, Alan Rodrigo. Estudo experimental da deposição autocatalítica de níquel sobre silício policristalino ou alumínio visando a fabricação de microeletrodos e portas MOS. 2002. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-132927/pt-br.php. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Navia, A. R. (2002). Estudo experimental da deposição autocatalítica de níquel sobre silício policristalino ou alumínio visando a fabricação de microeletrodos e portas MOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-132927/pt-br.php
NLM
Navia AR. Estudo experimental da deposição autocatalítica de níquel sobre silício policristalino ou alumínio visando a fabricação de microeletrodos e portas MOS [Internet]. 2002 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-132927/pt-br.php
Vancouver
Navia AR. Estudo experimental da deposição autocatalítica de níquel sobre silício policristalino ou alumínio visando a fabricação de microeletrodos e portas MOS [Internet]. 2002 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102024-132927/pt-br.php
Tese (Doutorado)
Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda (2000)
Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: PLASMA, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda. 2000. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-095615/. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Alayo Chávez, M. I. (2000). Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-095615/
NLM
Alayo Chávez MI. Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda [Internet]. 2000 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-095615/
Vancouver
Alayo Chávez MI. Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda [Internet]. 2000 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-095615/
Dissertação (Mestrado)
Películas de Si-a: h: construção de um reator PECVD, estudo de técnicas de deposição e caracterizacao das películas (1994)
Bottechia, João Paulo; Andrade, Adnei Melges de (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOTTECHIA, João Paulo. Películas de Si-a: h. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-092313/pt-br.php. Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Bottechia, J. P. (1994). Películas de Si-a: h: construção de um reator PECVD, estudo de técnicas de deposição e caracterizacao das películas (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-092313/pt-br.php
NLM
Bottechia JP. Películas de Si-a: h: construção de um reator PECVD, estudo de técnicas de deposição e caracterizacao das películas [Internet]. 1994 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-092313/pt-br.php
Vancouver
Bottechia JP. Películas de Si-a: h: construção de um reator PECVD, estudo de técnicas de deposição e caracterizacao das películas [Internet]. 1994 ;[citado 2024 out. 17 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22082024-092313/pt-br.php
Trabalho de evento
Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta (1987)
Martino, João Antonio ; Seabra, Antonio Carlos ; Swart, Jacobus Willibrordus; Braz, Ivan Carlos; Favoretto, K
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, João Antonio et al. Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. 1987, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1987. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Martino, J. A., Seabra, A. C., Swart, J. W., Braz, I. C., & Favoretto, K. (1987). Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Martino JA, Seabra AC, Swart JW, Braz IC, Favoretto K. Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. Anais. 1987 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Martino JA, Seabra AC, Swart JW, Braz IC, Favoretto K. Obtenção de fontes e drenos em processo CMOS sem implantação de boro no silício policristalino de porta. Anais. 1987 ;[citado 2024 out. 17 ]
Trabalho de evento
Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (1985)
Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro; Gouvea, R; Andrade, Adnei Melges de
Source: Anais. Conference titles: Simposio Brasileiro de Microeletronica. Unidade: EP
Subjects: ELETRODEPOSIÇÃO, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
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ABNT
PEREYRA, Inés et al. Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. 1985, Anais.. São Paulo: Lme-Usp, 1985. . Acesso em: 17 out. 2024.
APA
Pereyra, I., Sanematsu, M. S., Gouvea, R., & Andrade, A. M. de. (1985). Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. In Anais. São Paulo: Lme-Usp.
NLM
Pereyra I, Sanematsu MS, Gouvea R, Andrade AM de. Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. Anais. 1985 ;[citado 2024 out. 17 ]
Vancouver
Pereyra I, Sanematsu MS, Gouvea R, Andrade AM de. Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. Anais. 1985 ;[citado 2024 out. 17 ]

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