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Estudo experimental da deposição autocatalítica de níquel sobre silício policristalino ou alumínio visando a fabricação de microeletrodos e portas MOS (2002)

  • Authors:
  • Autor USP: NAVIA, ALAN RODRIGO - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: ELECTROLESS; MICROELETRÔNICA; SILÍCIO; CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho, foram fabricados capacitores MOS com porta de níquel sobre silício policristalino ou sobre alumínio para serem eletricamente caracterizados utilizando curvas Capacitância x Tensão e Corrente x Tensão. Camadas de níquel sobre si-poli e níquel sobre alumínio também foram caracterizadas fisicamente através das técnicas SEM (Microscopia Eletrônica de Varredura), AFM (Microscopia de Força Atômica), RBS (Espectroscopia de Retroespalhamento de Rutherford) e XRD (Difração de Raios X). As deposições químicas de níquel sobre as superfícies citadas foram feitas através de um processo autocatalítico, precedido da ativação da superfície com uma solução a base de paládio. Devido ao fato do agente redutor externo utilizado ser o hipofosfito, o filme de níquel e fósforo. A partir das análises AFM e SEM, verificou-se que as estruturas de níquel sobre si-poli apresentaram boas características morfológicas e baixa rugosidade. Os espectros de RBS mostraram a evolução da estequiometria e da espessura do filme em função tempo, possibilitando obter o conteúdo de fósforo no filme (12 a 17%) e uma estimativa da taxa de deposição de níquel (81,2 nm/min). A análise XRD permitiu estudar o efeito de um tratamento térmico a 420°C nos filmes obtidos, onde foi observada a aparição de fases cristalinas da liga níquel/fósforo, bem como algumas fases de siliceto de níquel e paládio. Os capacitores MOS com porta de níquel sobre si-poli apresentaram boas característicaselétricas após a sinterização do contato de porta de níquel, de acordo com as curvas CxV. Medidas IxV mostraram que a deposição de níquel teve influência no campo máximo de ruptura da rigidez dielétrica, provavelmente devido a alguma contaminação no óxido de porta causada pela solução de deposição de níquel. ) Por outro lado, as estruturas de níquel sobre alumínio mostraram apenas características morfológicas razoáveis e rugosidade maior. Os espectros de RBS também mostraram a evolução da estequiometria e da espessura do filme em função tempo, possibilitando notar o alto conteúdo de fósforo no filme (14 a 22%) e uma estimativa da taxa de deposição de níquel (´aproximadamente itual´100 nm/min). A análise XRD foi utilizada para estudar o efeito de um tratamento térmico a 420°C nos filmes obtidos, onde foi observada a aparição de fases cristalinas correspondentes a liga níquel/fósforo e outras fases da liga níquel/alumínio. Os capacitores MOS com porta de níquel sobre alumínio apresentaram algumas características peculiares após a deposição do contato de níquel e a sinterização, tal como a alta densidade de estados de interface. Foi também notado um ganho de área de aproximadamente 30% dos dispositivos devido a problemas de seletividade com a solução de deposição de níquel empregada para recobrir a superfície de alumínio. Medidas IxV mostraram que a deposição de níquel também teve uma leve influência na ruptura dos dispositivos, provavelmente devido a algumacontaminação no óxido de porta causada pela solução de deposição de níquel
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 22.11.2002

  • How to cite
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    • ABNT

      NAVIA, Alan Rodrigo; SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Estudo experimental da deposição autocatalítica de níquel sobre silício policristalino ou alumínio visando a fabricação de microeletrodos e portas MOS. 2002.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2002.
    • APA

      Navia, A. R., & Santos Filho, S. G. dos. (2002). Estudo experimental da deposição autocatalítica de níquel sobre silício policristalino ou alumínio visando a fabricação de microeletrodos e portas MOS. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Navia AR, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da deposição autocatalítica de níquel sobre silício policristalino ou alumínio visando a fabricação de microeletrodos e portas MOS. 2002 ;
    • Vancouver

      Navia AR, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da deposição autocatalítica de níquel sobre silício policristalino ou alumínio visando a fabricação de microeletrodos e portas MOS. 2002 ;

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