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Trabalho de evento-anais periodico
Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices (2005)
Pusep, Yuri A ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Malzer, S.; Döhler, G. H.
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1994427. Acesso em: 09 nov. 2024. , 2005
APA
Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Malzer, S., & Döhler, G. H. (2005). Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.1994427
NLM
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Döhler GH. Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 959-960.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994427
Vancouver
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Döhler GH. Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 959-960.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994427
Artigo de periodico
Disorder-driven coherence-incoherence crossover in random GaAs/'Al IND.0,3''Ga IND.0,7': as superlattices (2005)
Pusep, Yuri A ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Malzer, S.; Döhler, G. H.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Disorder-driven coherence-incoherence crossover in random GaAs/'Al IND.0,3''Ga IND.0,7': as superlattices. Physical Review B, v. 71, n. Ja 2005, p. 035323-1-035323-6, 2005Tradução . . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Malzer, S., & Döhler, G. H. (2005). Disorder-driven coherence-incoherence crossover in random GaAs/'Al IND.0,3''Ga IND.0,7': as superlattices. Physical Review B, 71( Ja 2005), 035323-1-035323-6.
NLM
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Döhler GH. Disorder-driven coherence-incoherence crossover in random GaAs/'Al IND.0,3''Ga IND.0,7': as superlattices. Physical Review B. 2005 ; 71( Ja 2005): 035323-1-035323-6.[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Döhler GH. Disorder-driven coherence-incoherence crossover in random GaAs/'Al IND.0,3''Ga IND.0,7': as superlattices. Physical Review B. 2005 ; 71( Ja 2005): 035323-1-035323-6.[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices (2004)
Pusep, Yuri A ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Malzer, S.; Dahler, G. H.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices. 2004, Anais.. Flagstaff: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Malzer, S., & Dahler, G. H. (2004). Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices. In Abstracts. Flagstaff: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dahler GH. Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dahler GH. Effect of the electron and hole scattering potentials compensation on optical band edge of heavily doped GaAs/AlGaAs superlattices. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Artigo de periodico
Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices (2004)
Pusep, Yuri A ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, C. A. de; Malzer, S.; Dohler, G. H.
Source: International Journal of Modern Physics B. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices. International Journal of Modern Physics B, v. No 2004, n. 27/29, p. 3629-3632, 2004Tradução . . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Malzer, S., & Dohler, G. H. (2004). Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices. International Journal of Modern Physics B, No 2004( 27/29), 3629-3632.
NLM
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dohler GH. Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices. International Journal of Modern Physics B. 2004 ; No 2004( 27/29): 3629-3632.[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dohler GH. Disorder induced coherence-incoherence crossover in random GaAs/AlGaAs superlattices. International Journal of Modern Physics B. 2004 ; No 2004( 27/29): 3629-3632.[citado 2024 nov. 09 ]
Artigo de periodico
Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices (2004)
Pusep, Yuri A ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Malzer, S.; Döhler, G. H.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B, v. 70, n. 9, p. Se 2004, 2004Tradução . . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Malzer, S., & Döhler, G. H. (2004). Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B, 70( 9), Se 2004.
NLM
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Döhler GH. Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B. 2004 ; 70( 9): Se 2004.[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Döhler GH. Effect of compensation of electron and hole scattering potentials on the optical band edge of heavily doped GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B. 2004 ; 70( 9): Se 2004.[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Disorder induced coherence-incoherence crossover in Random GaAs/AlGaAs superlattices (2004)
Pusep, Yuri A ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Malzer, S.; Dohler, G. H.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics - SemiMag. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, ENERGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Disorder induced coherence-incoherence crossover in Random GaAs/AlGaAs superlattices. 2004, Anais.. Florida: University of Florida, 2004. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Malzer, S., & Dohler, G. H. (2004). Disorder induced coherence-incoherence crossover in Random GaAs/AlGaAs superlattices. In Abstracts. Florida: University of Florida.
NLM
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dohler GH. Disorder induced coherence-incoherence crossover in Random GaAs/AlGaAs superlattices. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Malzer S, Dohler GH. Disorder induced coherence-incoherence crossover in Random GaAs/AlGaAs superlattices. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Artigo de periodico
Regimes of quantum transport in superlattices in a weak magnetic field (2004)
Pusep, Yuri A ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, Carlos Alberto de; Zanello, P. A.; Malzer, S.; Döhler, G. H.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC
Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, SUPERCONDUTIVIDADE, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Regimes of quantum transport in superlattices in a weak magnetic field. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 16, n. 13, p. 2447-2453, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/16/13/022. Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A. de, Zanello, P. A., Malzer, S., & Döhler, G. H. (2004). Regimes of quantum transport in superlattices in a weak magnetic field. Journal of Physics: Condensed Matter, 16( 13), 2447-2453. doi:10.1088/0953-8984/16/13/022
NLM
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Zanello PA, Malzer S, Döhler GH. Regimes of quantum transport in superlattices in a weak magnetic field [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2004 ; 16( 13): 2447-2453.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/16/13/022
Vancouver
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA de, Zanello PA, Malzer S, Döhler GH. Regimes of quantum transport in superlattices in a weak magnetic field [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2004 ; 16( 13): 2447-2453.[citado 2024 nov. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/16/13/022
Artigo de periodico
Anisotropy of quantum interference in disordered GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices (2003)
Pusep, Yuri A ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, C. A.; Zanello, P. A.; Chiquito, A. J.; Malzer, S.; Döhler, G. H.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Anisotropy of quantum interference in disordered GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B, v. No 2003, n. 19, p. 195207-1-195207-7, 2003Tradução . . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A., Zanello, P. A., Chiquito, A. J., et al. (2003). Anisotropy of quantum interference in disordered GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B, No 2003( 19), 195207-1-195207-7.
NLM
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA, Zanello PA, Chiquito AJ, Malzer S, Döhler GH. Anisotropy of quantum interference in disordered GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B. 2003 ; No 2003( 19): 195207-1-195207-7.[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA, Zanello PA, Chiquito AJ, Malzer S, Döhler GH. Anisotropy of quantum interference in disordered GaAs/'Al IND.x''Ga IND.1-x'As superlattices. Physical Review B. 2003 ; No 2003( 19): 195207-1-195207-7.[citado 2024 nov. 09 ]
Trabalho de evento-resumo
Effect of disorder on optical band edge of random doped GaAs/AlGaAs superlattices (2003)
Pusep, Yuri A ; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Ribeiro, M. B.; Arakaki, Haroldo; Souza, C. A.; Malzer, S.; Döhler, G. H.
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Effect of disorder on optical band edge of random doped GaAs/AlGaAs superlattices. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 09 nov. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Guimarães, F. E. G., Ribeiro, M. B., Arakaki, H., Souza, C. A., Malzer, S., & Döhler, G. H. (2003). Effect of disorder on optical band edge of random doped GaAs/AlGaAs superlattices. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA, Malzer S, Döhler GH. Effect of disorder on optical band edge of random doped GaAs/AlGaAs superlattices. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 09 ]
Vancouver
Pusep YA, Guimarães FEG, Ribeiro MB, Arakaki H, Souza CA, Malzer S, Döhler GH. Effect of disorder on optical band edge of random doped GaAs/AlGaAs superlattices. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 09 ]

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