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Artigo de periodico
Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies (2017)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 82-88, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455. Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2017). Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 82-88. doi:10.29292/jics.v12i2.455
NLM
Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455
Vancouver
Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455
Artigo de periodico
Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation (2016)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio ; Sasaki, Kátia Regina Akemi; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Sonnenberg, Victor
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 101-106, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458. Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Itocazu, V. T., Martino, J. A., Sasaki, K. R. A., Simoen, E., Claeys, C., & Sonnenberg, V. (2016). Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 101-106. doi:10.29292/jics.v12i2.458
NLM
Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458
Vancouver
Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2024 nov. 16 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS
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ABNT
RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
NLM
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Vancouver
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Trabalho de evento
A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor (1998)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor. 1998, Anais.. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC, 1998. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1998). A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor. In SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET (1997)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET. 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1997). Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET. In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET. Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos (1995)
Kimura, G W F; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: Anais. Conference titles: Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KIMURA, G W F e SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos. 1995, Anais.. Curitiba: Copel, 1995. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Kimura, G. W. F., Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1995). Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos. In Anais. Curitiba: Copel.
NLM
Kimura GWF, Sonnenberg V, Martino JA. Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos. Anais. 1995 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Kimura GWF, Sonnenberg V, Martino JA. Programa didatico para o estudo de capacitores mos na caracterizacao de processos. Anais. 1995 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento
Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet (1994)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet. 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1994). Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet. In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet. Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet. Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 16 ]

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