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Artigo de periodico
Study of temperature and performance for LED devices with white emission (2019)
Santos, Emerson Roberto ; Fullenbach, Thiago de Carvalho; Duarte, Antonio Celso ; Marcos, Paulo Jorge Brasão; Sonnenberg, Victor ; Burini Junior, Elvo Calixto ; Onmori, Roberto Koji ; Hui,Wang Shu
Source: Revista Brasileira de Aplicação de Vacuo, Campinas, SP. Unidade: EP
Subjects: ÁGUA CORRENTE, DIODOS
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ABNT
SANTOS, Emerson Roberto et al. Study of temperature and performance for LED devices with white emission. Revista Brasileira de Aplicação de Vacuo, Campinas, SP, v. 38, n. 2, p. 83-88, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.17563/rbav.v38i2.1129. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Santos, E. R., Fullenbach, T. de C., Duarte, A. C., Marcos, P. J. B., Sonnenberg, V., Burini Junior, E. C., et al. (2019). Study of temperature and performance for LED devices with white emission. Revista Brasileira de Aplicação de Vacuo, Campinas, SP, 38( 2), 83-88. doi:10.17563/rbav.v38i2.1129
NLM
Santos ER, Fullenbach T de C, Duarte AC, Marcos PJB, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Onmori RK, Hui WS. Study of temperature and performance for LED devices with white emission [Internet]. Revista Brasileira de Aplicação de Vacuo, Campinas, SP. 2019 ; 38( 2): 83-88.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.17563/rbav.v38i2.1129
Vancouver
Santos ER, Fullenbach T de C, Duarte AC, Marcos PJB, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Onmori RK, Hui WS. Study of temperature and performance for LED devices with white emission [Internet]. Revista Brasileira de Aplicação de Vacuo, Campinas, SP. 2019 ; 38( 2): 83-88.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.17563/rbav.v38i2.1129
Artigo de periodico
Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies (2017)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 82-88, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2017). Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 82-88. doi:10.29292/jics.v12i2.455
NLM
Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455
Vancouver
Itocazu VT, Sonnenberg V, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Ground Plane Influence on Analog Parameters of Different UTBB nMOSFET Technologies [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2017 ; 12( 2): 82-88.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.455
Artigo de periodico
Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation (2016)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Martino, João Antonio ; Sasaki, Kátia Regina Akemi; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Sonnenberg, Victor
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 12, n. 2, p. 101-106, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Itocazu, V. T., Martino, J. A., Sasaki, K. R. A., Simoen, E., Claeys, C., & Sonnenberg, V. (2016). Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation. Journal of Integrated Circuits and Systems, 12( 2), 101-106. doi:10.29292/jics.v12i2.458
NLM
Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458
Vancouver
Itocazu VT, Martino JA, Sasaki KRA, Simoen E, Claeys C, Sonnenberg V. Analytical Model for Threshold Voltage in UTBB SOI MOSFET in Dynamic Threshold Voltage Operation [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2016 ; 12( 2): 101-106.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v12i2.458
Artigo de periodico
Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices (2014)
Santos, Emerson Roberto ; Wang, Shu Hui ; Correia, Fábio Conte; Costa, Ivan Rodrigues; Sonnenberg, Victor ; Burini Junior, Elvo Calixto ; Onmori, Roberto Koji
Source: Química Nova. Unidades: EP, IEE
Subjects: SOLVENTE, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SANTOS, Emerson Roberto et al. Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices. Química Nova, v. 37, n. 1, p. 1-5, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0100-40422014000100001. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Santos, E. R., Wang, S. H., Correia, F. C., Costa, I. R., Sonnenberg, V., Burini Junior, E. C., & Onmori, R. K. (2014). Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices. Química Nova, 37( 1), 1-5. doi:10.1590/s0100-40422014000100001
NLM
Santos ER, Wang SH, Correia FC, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Onmori RK. Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices [Internet]. Química Nova. 2014 ;37( 1): 1-5.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0100-40422014000100001
Vancouver
Santos ER, Wang SH, Correia FC, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Onmori RK. Influência de diferentes solventes utilizados na deposição de filme de poli(9-vinilcarbazol) em dispositivos OLEDs: Influence of different solvents used in film deposition of poly(9-vinylcarbazole) in OLED devices [Internet]. Química Nova. 2014 ;37( 1): 1-5.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0100-40422014000100001
Trabalho de evento
Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos (2013)
Santos, Emerson Roberto ; Moraes, José Igor Balbino de; Costa, Ivan Rodrigues; Sonnenberg, Victor ; Burini Junior, Elvo Calixto ; Onmori, Roberto Koji ; Wang, Shu Hui
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Polímeros. Unidades: EP, IEE
Subjects: OZÔNIO, SOLVENTE
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ABNT
SANTOS, Emerson Roberto et al. Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos. 2013, Anais.. São Carlos: Associação Brasileira de Polímeros (ABPol), 2013. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Santos, E. R., Moraes, J. I. B. de, Costa, I. R., Sonnenberg, V., Burini Junior, E. C., Onmori, R. K., & Wang, S. H. (2013). Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos. In Anais. São Carlos: Associação Brasileira de Polímeros (ABPol).
NLM
Santos ER, Moraes JIB de, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Onmori RK, Wang SH. Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos. Anais. 2013 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Santos ER, Moraes JIB de, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Onmori RK, Wang SH. Estudo de solventes em filmes de PVK para dispositivos OLEDS com diferentes eletrodods anodos. Anais. 2013 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento
Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. (2012)
Itocazu, Vitor Tatsuo ; Sonnenberg, Victor ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2012). Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0511ecst
NLM
Itocazu VT, Sonnenberg V, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst
Vancouver
Itocazu VT, Sonnenberg V, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst
Trabalho de evento-resumo
Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs (2012)
Santos, Emerson Roberto ; Costa, Ivan Rodrigues; Sonnenberg, Victor ; Burini Junior, Elvo Calixto ; Wang, Shu Hui ; Onmori, Roberto Koji
Source: CBECIMAT 2012. São Carlos, USFCAR, 2012. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciência dos Materiais. Unidades: EP, IEE
Subjects: SOLVENTE, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Emerson Roberto et al. Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs. 2012, Anais.. São Carlos: UFSCAR, 2012. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Santos, E. R., Costa, I. R., Sonnenberg, V., Burini Junior, E. C., Wang, S. H., & Onmori, R. K. (2012). Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs. In CBECIMAT 2012. São Carlos, USFCAR, 2012. São Carlos: UFSCAR.
NLM
Santos ER, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Wang SH, Onmori RK. Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs. CBECIMAT 2012. São Carlos, USFCAR, 2012. 2012 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Santos ER, Costa IR, Sonnenberg V, Burini Junior EC, Wang SH, Onmori RK. Study of different solvents for PVK used in P-OLEDs. CBECIMAT 2012. São Carlos, USFCAR, 2012. 2012 ;[citado 2024 set. 10 ]
Tese (Doutorado)
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (2010)
Rodrigues, Michele; Martino, João Antonio (Orientador) ; Sonnenberg, Victor (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, SILÍCIO, TRANSISTORES, ELETRODO, DIELÉTRICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Rodrigues, M. (2010). Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
NLM
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Vancouver
Rodrigues M. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico [Internet]. 2010 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01032011-122604/
Artigo de periodico
Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films (2010)
Christiano, Veronica; Gozzi, Giuliano ; Sonnenberg, Victor ; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: ELETROQUÍMICA
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ABNT
CHRISTIANO, Veronica et al. Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 333-340, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474177. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Christiano, V., Gozzi, G., Sonnenberg, V., & Santos Filho, S. G. dos. (2010). Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 333-340. doi:10.1149/1.3474177
NLM
Christiano V, Gozzi G, Sonnenberg V, Santos Filho SG dos. Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 333-340.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474177
Vancouver
Christiano V, Gozzi G, Sonnenberg V, Santos Filho SG dos. Conductance modeling of High-k Al2O3 gate dielectrics prepared by oxidation of aluminum thin films [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 333-340.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474177
Trabalho de evento
Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET (2008)
Rodrigues, Michele; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: SBMICRO 2008: Anais. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele e SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Rodrigues, M., Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2008). Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Rodrigues M, Sonnenberg V, Martino JA. Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Rodrigues M, Sonnenberg V, Martino JA. Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento
Triple gate finFET parameter extraction using high frequency capacitance - voltage curves (2007)
Rodrigues, Michele; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: SBMicro 2007. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele e SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Triple gate finFET parameter extraction using high frequency capacitance - voltage curves. 2007, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2007. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Rodrigues, M., Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2007). Triple gate finFET parameter extraction using high frequency capacitance - voltage curves. In SBMicro 2007. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Rodrigues M, Sonnenberg V, Martino JA. Triple gate finFET parameter extraction using high frequency capacitance - voltage curves. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Rodrigues M, Sonnenberg V, Martino JA. Triple gate finFET parameter extraction using high frequency capacitance - voltage curves. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento
Simple method to determine the poly gate doping concentration based on poly depletion effect (2005)
Rodrigues, Michele; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Michele e SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Simple method to determine the poly gate doping concentration based on poly depletion effect. 2005, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2005. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Rodrigues, M., Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2005). Simple method to determine the poly gate doping concentration based on poly depletion effect. In Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Rodrigues M, Sonnenberg V, Martino JA. Simple method to determine the poly gate doping concentration based on poly depletion effect. Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Rodrigues M, Sonnenberg V, Martino JA. Simple method to determine the poly gate doping concentration based on poly depletion effect. Proceedings v. 2005-08. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2005. 2005 ;[citado 2024 set. 10 ]
Artigo de periodico
SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor (2005)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor. Solid-State Electronics, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2005). SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor. Solid-State Electronics. doi:10.1016/j.sse.2004.06.010
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor [Internet]. Solid-State Electronics. 2005 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. SOI technology characterization using SOI-MOS capacitor [Internet]. Solid-State Electronics. 2005 ;[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.010
Parte de monografia/livro
Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor (2003)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2003). Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 set. 10 ]
Relatorio tecnico
New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor (2002)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 10 set. 2024. , 2002
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2002). New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. São Paulo: EPUSP.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. 2002 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. 2002 ;[citado 2024 set. 10 ]
Parte de monografia/livro
Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor (2002)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor. Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Tradução . Pennington: The Electrochemical Society, 2002. . . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2002). Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor. In Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor. In: Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002. Pennington: The Electrochemical Society; 2002. [citado 2024 set. 10 ]
Tese (Doutorado)
Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores (2001)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Sonnenberg, V. (2001). Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Sonnenberg V. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Sonnenberg V. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
Artigo de periodico
Physical and electrical characterization of thin nickel films obtained from electroless plating onto aluminum (2001)
Marques, Angelo Eduardo Battistini; Santos Filho, Sebastião Gomes dos ; Navia, Alan Rodrigo; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: Physica Status Solidi. Unidade: EP
Assunto: FILMES FINOS (CARACTERÍSTICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, Angelo Eduardo Battistini et al. Physical and electrical characterization of thin nickel films obtained from electroless plating onto aluminum. Physica Status Solidi, v. 187, n. 1, p. 75-84, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/1521-396x(200109)187:1<75::aid-pssa75>3.0.co;2-q. Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Marques, A. E. B., Santos Filho, S. G. dos, Navia, A. R., Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2001). Physical and electrical characterization of thin nickel films obtained from electroless plating onto aluminum. Physica Status Solidi, 187( 1), 75-84. doi:10.1002/1521-396x(200109)187:1<75::aid-pssa75>3.0.co;2-q
NLM
Marques AEB, Santos Filho SG dos, Navia AR, Sonnenberg V, Martino JA. Physical and electrical characterization of thin nickel films obtained from electroless plating onto aluminum [Internet]. Physica Status Solidi. 2001 ; 187( 1): 75-84.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/1521-396x(200109)187:1<75::aid-pssa75>3.0.co;2-q
Vancouver
Marques AEB, Santos Filho SG dos, Navia AR, Sonnenberg V, Martino JA. Physical and electrical characterization of thin nickel films obtained from electroless plating onto aluminum [Internet]. Physica Status Solidi. 2001 ; 187( 1): 75-84.[citado 2024 set. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1002/1521-396x(200109)187:1<75::aid-pssa75>3.0.co;2-q
Trabalho de evento
New method for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor (2001)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: SBMicro 2001: proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. New method for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2001). New method for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. New method for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. New method for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
Trabalho de evento
Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor (2001)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Source: Proceedings. Conference titles: International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. 2001, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2001. . Acesso em: 10 set. 2024.
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2001). Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. In Proceedings. Pennington: The Electrochemical Society.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Determination of silicon film doping concentration and back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor. Proceedings. 2001 ;[citado 2024 set. 10 ]

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