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Relatorio tecnico
Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields (2020)
Oliveira, R F; Henriques, André Bohomoletz ; Lamas, Tomás Erikson; Quivy, Alain André ; Abramof, E
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CAMPO MAGNÉTICO, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
OLIVEIRA, R F et al. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024. , 2020
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Abramof, E. (2020). Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Abramof E. Measurement of miniband parameters of a doped superlattice by photoluminescence in high magnetic fields [Internet]. 2020 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0404254.pdf
Trabalho de evento
Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos (2006)
Cunha, J F R; Silva, S W; Morais, P C; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Cunha, J F R
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CUNHA, J F R et al. Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1105-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Cunha, J. F. R., Silva, S. W., Morais, P. C., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Cunha, J. F. R. (2006). Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1105-1.pdf
NLM
Cunha JFR, Silva SW, Morais PC, Quivy AA, Lamas TE, Cunha JFR. Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1105-1.pdf
Vancouver
Cunha JFR, Silva SW, Morais PC, Quivy AA, Lamas TE, Cunha JFR. Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R1105-1.pdf
Artigo de periodico
High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition (2006)
Szafraniec, J; Tsao, S; Zhang, W; Lim, H; Taguchi, M; Quivy, A. A.; Movaghar, B; Razeghi, M
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
SZAFRANIEC, J et al. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Applied Physics Letters, v. 88, n. 12, p. 121102/1-121102/3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2188056. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Szafraniec, J., Tsao, S., Zhang, W., Lim, H., Taguchi, M., Quivy, A. A., et al. (2006). High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Applied Physics Letters, 88( 12), 121102/1-121102/3. doi:10.1063/1.2188056
NLM
Szafraniec J, Tsao S, Zhang W, Lim H, Taguchi M, Quivy AA, Movaghar B, Razeghi M. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 12): 121102/1-121102/3.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2188056
Vancouver
Szafraniec J, Tsao S, Zhang W, Lim H, Taguchi M, Quivy AA, Movaghar B, Razeghi M. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 12): 121102/1-121102/3.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2188056
Artigo de periodico
Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes (2006)
Cano, Nilo Francisco; Duarte, Celso de Araújo; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CANO, Nilo Francisco et al. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 336-339, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Cano, N. F., Duarte, C. de A., Gusev, G. M., Quivy, A. A., & Lamas, T. E. (2006). Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 336-339. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
NLM
Cano NF, Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 336-339.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
Vancouver
Cano NF, Duarte C de A, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE. Magnetotransport in "Al IND.X" "Ga IND.X-1" As quantum wells with different potential shapes [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 336-339.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_336.pdf
Artigo de periodico
InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications (2006)
Lamas, Tomás Erikson; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
LAMAS, Tomás Erikson e QUIVY, A. A. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 405-407, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2006). InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 405-407. doi:10.1590/s0103-97332006000300046
NLM
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Trabalho de evento
Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs (2006)
Lopes, E M; Duarte, J L; César, D F; Poças, L C; Dias, I. F. L.; Laureto, E; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LOPES, E M et al. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., César, D. F., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., et al. (2006). Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
NLM
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf
Trabalho de evento
Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético (2006)
Ortiz de Zevallos, Angela M; Cano, Nilo Francisco; Gusev, G M; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Portal, J C
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ORTIZ DE ZEVALLOS, Angela M et al. Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Ortiz de Zevallos, A. M., Cano, N. F., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Portal, J. C. (2006). Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf
NLM
Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf
Vancouver
Ortiz de Zevallos AM, Cano NF, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Portal JC. Variação do coeficiente Hall em poços parabalólicos largos de 'Al IND.x''Ga IND. x-1' As em função do campo magnético [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0823-1.pdf
Trabalho de evento
Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices (2006)
Freitas, Raul de Oliveira; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Freitas, R. de O., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2006). Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
NLM
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
Vancouver
Freitas R de O, Lamas TE, Quivy AA, Morelhão SL. Synchrotron X-ray techniques for studying nanostructured semiconductor devices [Internet]. 2006 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0320-1.pdf
Artigo de periodico
Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well (2006)
Duarte, Cesário Antonio; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Gusev, G M
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, Cesário Antonio et al. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 488-491, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Gusev, G. M. (2006). Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 488-491. doi:10.1590/s0103-97332006000300068
NLM
Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Gusev GM. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 488-491.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068
Vancouver
Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Gusev GM. Spin valve effect and Hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 488-491.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300068
Artigo de periodico
InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications (2006)
Lamas, T E; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T E e QUIVY, A. A. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 405-407, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2006). InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 405-407. doi:10.1590/s0103-97332006000300046
NLM
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046
Trabalho de evento-resumo
Processos de transferência de energia em pontos quânticos de InGaAs/GaAs (2005)
Cunha, J R da; Silva, S W; Quivy, A. A.; Cruz, J M R; Morais, P. C.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CUNHA, J R da et al. Processos de transferência de energia em pontos quânticos de InGaAs/GaAs. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1182-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Cunha, J. R. da, Silva, S. W., Quivy, A. A., Cruz, J. M. R., & Morais, P. C. (2005). Processos de transferência de energia em pontos quânticos de InGaAs/GaAs. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1182-1.pdf
NLM
Cunha JR da, Silva SW, Quivy AA, Cruz JMR, Morais PC. Processos de transferência de energia em pontos quânticos de InGaAs/GaAs [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1182-1.pdf
Vancouver
Cunha JR da, Silva SW, Quivy AA, Cruz JMR, Morais PC. Processos de transferência de energia em pontos quânticos de InGaAs/GaAs [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1182-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in (2005)
Sergio, C S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Goussev, Guennadii Michailovich; Portal, J C
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SERGIO, C S et al. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Sergio, C. S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Goussev, G. M., & Portal, J. C. (2005). Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
NLM
Sergio CS, Lamas TE, Quivy AA, Goussev GM, Portal JC. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
Vancouver
Sergio CS, Lamas TE, Quivy AA, Goussev GM, Portal JC. Magnetotransport of a hole gas in parabolic quantum wells grown on GaAs(311)A substrates in [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0578-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures (2005)
Goussev, Guennadii Michailovich; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Seabra, Antonio Carlos
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOUSSEV, Guennadii Michailovich et al. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Goussev, G. M., Lamas, T. E., Quivy, A. A., & Seabra, A. C. (2005). Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
NLM
Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
Vancouver
Goussev GM, Lamas TE, Quivy AA, Seabra AC. Eletric field control of the scattering processes in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-1.pdf
Artigo de periodico
Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant (2005)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.
Source: Thin Solid Films. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Trabalho de evento-resumo
Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well (2005)
Duarte, Cesário Antonio; Gusev, Guennadii Michailovich; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, FO
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, Cesário Antonio et al. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Duarte, C. A., Gusev, G. M., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2005). Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
NLM
Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Quivy AA. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
Vancouver
Duarte CA, Gusev GM, Lamas TE, Quivy AA. Spin valve effect and hall resistance in a wide parabolic well [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1027-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ (2005)
Silva, M A T; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Dias, I. F. L.; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenco, S A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SILVA, M A T et al. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. 2005, Anais.. São Paulo: SBF, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Silva, M. A. T., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., & Lourenco, S. A. (2005). Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
NLM
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Vancouver
Silva MAT, Lamas TE, Quivy AA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenco SA. Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$ [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0375-1.pdf
Artigo de periodico
Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates (2005)
Martini, S; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Silva, E C F da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MARTINI, S et al. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates. Physical Review B, v. 72, n. 15, p. 153304/01-153304/04, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Silva, E. C. F. da. (2005). Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates. Physical Review B, 72( 15), 153304/01-153304/04. doi:10.1103/physrevb.72.153304
NLM
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva ECF da. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 15): 153304/01-153304/04.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva ECF da. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 15): 153304/01-153304/04.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304
Trabalho de evento-resumo
Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots (2005)
Pagnossin, I R; Silva, E C F da; Quivy, A. A.; Martini, S; Sergio, C. S
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAGNOSSIN, I R et al. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Pagnossin, I. R., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Martini, S., & Sergio, C. S. (2005). Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
NLM
Pagnossin IR, Silva ECF da, Quivy AA, Martini S, Sergio CS. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
Vancouver
Pagnossin IR, Silva ECF da, Quivy AA, Martini S, Sergio CS. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)
Freitas, R. O.; Morelhão, Sérgio Luiz; Quivy, A. A.; Avanci, L H
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, R. O. et al. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Freitas, R. O., Morelhão, S. L., Quivy, A. A., & Avanci, L. H. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf
NLM
Freitas RO, Morelhão SL, Quivy AA, Avanci LH. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf
Vancouver
Freitas RO, Morelhão SL, Quivy AA, Avanci LH. Strain field of InAs QDs on GaAs (001) substrates by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 08 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0813-1.pdf
Artigo de periodico
Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas (2005)
Gusev, Guennadii Michailovich; Duarte, C A; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Toropov, A I
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 08 nov. 2024.
APA
Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311
NLM
Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
Vancouver
Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311

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