InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications (2006)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1590/s0103-97332006000300046
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; POÇOS QUÂNTICOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Brazilian Journal of Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 36, n. 2A, p. 405-407, 2006
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by-nc
-
ABNT
LAMAS, Tomás Erikson e QUIVY, A. A. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 405-407, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046. Acesso em: 03 out. 2024. -
APA
Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2006). InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 405-407. doi:10.1590/s0103-97332006000300046 -
NLM
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046 -
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA. InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed In deposition for long-wavelength applications [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 405-407.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000300046 - Microscopio de tunelamento a ser usado no ar, no vacuo e no helio liquido
- Transferência de energia entre pontos quânticos de InAs/GaAs assistida por ASE
- Difusão de portadores em poços quânticos assimétricos
- Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3
- Fabricação e caracterização de células solares de terceira geração baseadas em nanoestruturas obtidas pela técnica de epitaxia por feixes moleculares
- Infrared photodetectors based on submonolayer quantum dots
- Step bunching in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on GaAs(001) vicinal surfaces
- Theoretical and experimental study of the excitonic binding energy in 'GA''AS'/'AL''GA''AS' single and coupled double quantum wells
- High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction
- Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer
Informações sobre o DOI: 10.1590/s0103-97332006000300046 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | a46v362a.pdf | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
