Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs (2006)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada
-
ABNT
LOPES, E M et al. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. 2006, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf. Acesso em: 03 dez. 2025. -
APA
Lopes, E. M., Duarte, J. L., César, D. F., Poças, L. C., Dias, I. F. L., Laureto, E., et al. (2006). Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs. In . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf -
NLM
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf -
Vancouver
Lopes EM, Duarte JL, César DF, Poças LC, Dias IFL, Laureto E, Lamas TE, Quivy AA. Influence of barrier height and thickness on temperature dependence of excitonic transitions in coupled double quantum wells of 'Al IND.x' 'Ga IND.1-x' As/GaAs [Internet]. 2006 ;[citado 2025 dez. 03 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxix/sys/resumos/R0537-1.pdf - Anomalous blueshift in vertically coupled InAs/GaAs quantum dots using InGaAs strain-reducing layers
- New method for studying semiconducting surfaces in air by scanning tunneling microscopy
- p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant
- Microscopio de tonelamento operando no ar
- Medidas de efeito hall para determinacao da concentracao de portadores em amostras dopadas por mbe
- Programa de controle e tratamento de dados para um microscopio de tunelamento
- Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m
- Influence of the optical control in the lateral transport of carriers in InGaAs/GaAs one-side modulation-doped quantum wells
- Behavior of excitonic transitions in AlGaAs/GaAs coupled double quantum wells as a function of temperature and excitation power
- Crescimento epitaxial por feixe molecular: da física ao dispositivo
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
