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Trabalho de evento-resumo
Break-down of raman selection rules for optic confined photons caused by the different arrangements of the normal and inverted interfaces in GaAs/AlAs superlattices (1996)
Pusep, Yuri A ; Silva, S. W.; Galzerani, J. C.; Lubyshev, D. I.; Basmaji, Pierre
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Raman Spectroscopy. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Break-down of raman selection rules for optic confined photons caused by the different arrangements of the normal and inverted interfaces in GaAs/AlAs superlattices. 1996, Anais.. Pittsburg: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1996. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., & Basmaji, P. (1996). Break-down of raman selection rules for optic confined photons caused by the different arrangements of the normal and inverted interfaces in GaAs/AlAs superlattices. In Abstracts. Pittsburg: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Silva SW, Galzerani JC, Lubyshev DI, Basmaji P. Break-down of raman selection rules for optic confined photons caused by the different arrangements of the normal and inverted interfaces in GaAs/AlAs superlattices. Abstracts. 1996 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva SW, Galzerani JC, Lubyshev DI, Basmaji P. Break-down of raman selection rules for optic confined photons caused by the different arrangements of the normal and inverted interfaces in GaAs/AlAs superlattices. Abstracts. 1996 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices (1995)
Pusep, Yuri A ; Silva, S.; Galzerani, J. C.; Lubyshev, D. I.; Basmaji, Pierre
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices - LDSD. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
PUSEP, Yuri A et al. Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices. 1995, Anais.. Singapore: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pusep, Y. A., Silva, S., Galzerani, J. C., Lubyshev, D. I., & Basmaji, P. (1995). Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices. In Abstracts. Singapore: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Pusep YA, Silva S, Galzerani JC, Lubyshev DI, Basmaji P. Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices. Abstracts. 1995 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Pusep YA, Silva S, Galzerani JC, Lubyshev DI, Basmaji P. Atomic-scale characterization of interfaces in the GaAs/AlAs superlattices. Abstracts. 1995 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Influence of surface structure on segregation and alloy quality in (100) and (311) oriented InGaAs/GaAs heterostructures (1995)
Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo ; Lubyshev, D.; Chitta, Valmir Antonio ; Basmaji, Pierre
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices - LDSD. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
GUIMARÃES, Francisco Eduardo Gontijo et al. Influence of surface structure on segregation and alloy quality in (100) and (311) oriented InGaAs/GaAs heterostructures. 1995, Anais.. Singapore: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Guimarães, F. E. G., Lubyshev, D., Chitta, V. A., & Basmaji, P. (1995). Influence of surface structure on segregation and alloy quality in (100) and (311) oriented InGaAs/GaAs heterostructures. In Abstracts. Singapore: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Guimarães FEG, Lubyshev D, Chitta VA, Basmaji P. Influence of surface structure on segregation and alloy quality in (100) and (311) oriented InGaAs/GaAs heterostructures. Abstracts. 1995 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Guimarães FEG, Lubyshev D, Chitta VA, Basmaji P. Influence of surface structure on segregation and alloy quality in (100) and (311) oriented InGaAs/GaAs heterostructures. Abstracts. 1995 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades ópticas de super-redes de ('GA''AS')/('AL''AS') crescidas nas direções (100) e (n11)A e B com n =1,2,3,5,7 (1995)
Marega Junior, Euclydes ; Lubyshev, D. I.; González-Borrero, P. P.; Basmaji, Pierre
Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Crescimento de Cristais. Unidade: IFSC
Assuntos: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MAREGA JUNIOR, Euclydes et al. Propriedades ópticas de super-redes de ('GA''AS')/('AL''AS') crescidas nas direções (100) e (n11)A e B com n =1,2,3,5,7. 1995, Anais.. Sao José dos Campos: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - INPE, 1995. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marega Junior, E., Lubyshev, D. I., González-Borrero, P. P., & Basmaji, P. (1995). Propriedades ópticas de super-redes de ('GA''AS')/('AL''AS') crescidas nas direções (100) e (n11)A e B com n =1,2,3,5,7. In . Sao José dos Campos: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais - INPE.
NLM
Marega Junior E, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Basmaji P. Propriedades ópticas de super-redes de ('GA''AS')/('AL''AS') crescidas nas direções (100) e (n11)A e B com n =1,2,3,5,7. 1995 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Marega Junior E, Lubyshev DI, González-Borrero PP, Basmaji P. Propriedades ópticas de super-redes de ('GA''AS')/('AL''AS') crescidas nas direções (100) e (n11)A e B com n =1,2,3,5,7. 1995 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Charge capture in Al GaAs/GaAs heterostructures with disordered antidot lattice (1995)
Basmaji, Pierre; Gusev, Gennady ; Lubyshev, D. I.; Silva, S. W.
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices - LDSD. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Charge capture in Al GaAs/GaAs heterostructures with disordered antidot lattice. 1995, Anais.. Singapore: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1995. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Basmaji, P., Gusev, G., Lubyshev, D. I., & Silva, S. W. (1995). Charge capture in Al GaAs/GaAs heterostructures with disordered antidot lattice. In Abstracts. Singapore: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P, Gusev G, Lubyshev DI, Silva SW. Charge capture in Al GaAs/GaAs heterostructures with disordered antidot lattice. Abstracts. 1995 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Basmaji P, Gusev G, Lubyshev DI, Silva SW. Charge capture in Al GaAs/GaAs heterostructures with disordered antidot lattice. Abstracts. 1995 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' (1991)
Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Schrappe, B.; Degani, Marcos Henrique; Ioriatti Júnior, Lidério Citrângulo; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Electronic Properties Two-Dimension Systems. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS'. 1991, Anais.. Nara: , Universidade de São Paulo, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Schrappe, B., Degani, M. H., Ioriatti Júnior, L. C., & Hipólito, O. (1991). Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS'. In Abstracts. Nara: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Schrappe B, Degani MH, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' [Internet]. Abstracts. 1991 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Schrappe B, Degani MH, Ioriatti Júnior LC, Hipólito O. Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS' [Internet]. Abstracts. 1991 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/f23745bc-b07a-41d8-b63a-b1a53784efae/PROD001378_2292574.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Iikawa, F.; Motisuke, Paulo; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Proceedings of SPIE. Nome do evento: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Disponível em: https://doi.org/10.1117/12.20864. Acesso em: 04 nov. 2025. , 1990
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs. Proceedings of SPIE. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. doi:10.1117/12.20864
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs [Internet]. Proceedings of SPIE. 1990 ; 1286 348-358.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1117/12.20864
Trabalho de evento
Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Brum, J.; Motisuke, P.
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
NOTARI, A. C. et al. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., et al. (1990). Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Brum J, Motisuke P. Dopagem planar ('gama' - doping): 'GA''AS' crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE) (1990)
Schrappe, B. J.; Notari, A. C.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência - CBRAVIC. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHRAPPE, B. J. et al. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). 1990, Anais.. São Paulo: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schrappe, B. J., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). In Anais. São Paulo: , Universidade de São Paulo.
NLM
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Schrappe BJ, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Implementação e estudo de um sistema de capacitância-voltagem para caracterização de filmes semicondutores crescidos por epitaxia por feixe molecular (MBE). Anais. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs (1990)
Bernussi, Ayrton A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Notari, A. C.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, Ayrton A. et al. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. 1990, Anais.. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs. In Abstracts. Bellingham: International Society for Optical Engineering - SPIE. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs [Internet]. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3d7f1665-75c3-415b-b411-3365348cf5ee/PROD000094_2278687.pdf
Trabalho de evento-resumo
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A. A.; Brum, J. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Physic of Electro-optic microstructures and microdevices. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. 1990, Anais.. Crete: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. In Abstracts. Crete: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS' (1990)
Bernussi, A. A.; Iikawa, F.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference of Modulation Spectroscopy. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. 1990, Anais.. San Diego: , Universidade de São Paulo, 1990. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. In Abstracts. San Diego: , Universidade de São Paulo.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'. Abstracts. 1990 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento
MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence (1989)
Bernussi, A. A.; Motisuke, P.; Basmaji, Pierre; Ceschin, A. M.; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Fonte: Anais. Nome do evento: Escola Brasileira de Física de Semicondutores. Unidade: IFQSC
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A. A. et al. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. 1989, Anais.. Belo Horizonte: UFMG, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. In Anais. Belo Horizonte: UFMG.
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O. MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence. Anais. 1989 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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