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Relatorio tecnico
Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films (2020)
Morelhão, Sergio Luiz ; Kycia, Stefan; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo
Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X
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ABNT
MORELHÃO, Sergio Luiz et al. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. . Melville: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf. Acesso em: 07 ago. 2024. , 2020
APA
Morelhão, S. L., Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2020). Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Melville: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
NLM
Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2020 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
Vancouver
Morelhão SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2020 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/2007.15042.pdf
Artigo de periodico
Structural defects and electronic phase diagram of topological insulator bismuth telluride epitaxial films (2018)
Fornari, C. I; Rappl, P. H. O.; Fornari, G.; Travelho, J. S.; Castro, S. de; Pirralho, M. J. P.; Pena, F. S.; Peres, M. L.; Abramof, E.; Morelhao, Sergio Luiz
Source: Materials Research Express. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X
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ABNT
FORNARI, C. I et al. Structural defects and electronic phase diagram of topological insulator bismuth telluride epitaxial films. Materials Research Express, v. no 2018, n. 11, p. 116410, 2018Tradução . . Disponível em: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aadeb7. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., Fornari, G., Travelho, J. S., Castro, S. de, Pirralho, M. J. P., et al. (2018). Structural defects and electronic phase diagram of topological insulator bismuth telluride epitaxial films. Materials Research Express, no 2018( 11), 116410. doi:10.1088/2053-1591/aadeb7
NLM
Fornari CI, Rappl PHO, Fornari G, Travelho JS, Castro S de, Pirralho MJP, Pena FS, Peres ML, Abramof E, Morelhao SL. Structural defects and electronic phase diagram of topological insulator bismuth telluride epitaxial films [Internet]. Materials Research Express. 2018 ; no 2018( 11): 116410.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aadeb7
Vancouver
Fornari CI, Rappl PHO, Fornari G, Travelho JS, Castro S de, Pirralho MJP, Pena FS, Peres ML, Abramof E, Morelhao SL. Structural defects and electronic phase diagram of topological insulator bismuth telluride epitaxial films [Internet]. Materials Research Express. 2018 ; no 2018( 11): 116410.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1591/aadeb7
Artigo de periodico
Novel near field detector for three-dimensional X-ray diffraction microscopy (2018)
Annett, Scott; Kycia, Stefan; Dale, Darren; Morelhao, Sergio Luiz
Source: MRS Advances. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X
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ABNT
ANNETT, Scott et al. Novel near field detector for three-dimensional X-ray diffraction microscopy. MRS Advances, v. 3, n. ju 2018, p. 2341-2346, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1557/adv.2018.487. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Annett, S., Kycia, S., Dale, D., & Morelhao, S. L. (2018). Novel near field detector for three-dimensional X-ray diffraction microscopy. MRS Advances, 3( ju 2018), 2341-2346. doi:10.1557/adv.2018.487
NLM
Annett S, Kycia S, Dale D, Morelhao SL. Novel near field detector for three-dimensional X-ray diffraction microscopy [Internet]. MRS Advances. 2018 ; 3( ju 2018): 2341-2346.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1557/adv.2018.487
Vancouver
Annett S, Kycia S, Dale D, Morelhao SL. Novel near field detector for three-dimensional X-ray diffraction microscopy [Internet]. MRS Advances. 2018 ; 3( ju 2018): 2341-2346.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1557/adv.2018.487
Relatorio tecnico
X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films (2018)
Kycia, Stefan; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo; Morelhao, Sergio Luiz
Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X
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ABNT
KYCIA, Stefan et al. X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1812.10804. Acesso em: 07 ago. 2024. , 2018
APA
Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., Abramof, E., & Morelhao, S. L. (2018). X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1812.10804
NLM
Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E, Morelhao SL. X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1812.10804
Vancouver
Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E, Morelhao SL. X-ray tools for van der waals epitaxy of bismuth telluride topological insulator films [Internet]. 2018 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1812.10804
Artigo de periodico
Micro grain analysis in plastically deformed silicon by 2nd-order X-ray diffraction (2018)
Dina, Gabriel; Kycia, Stefan; Gonzalez, Anal Gomez; Morelhao, Sergio Luiz
Source: MRS Advances. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X
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ABNT
DINA, Gabriel et al. Micro grain analysis in plastically deformed silicon by 2nd-order X-ray diffraction. MRS Advances, v. 3, n. ju 2018, p. 2347-2352, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1557/adv.2018.511. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Dina, G., Kycia, S., Gonzalez, A. G., & Morelhao, S. L. (2018). Micro grain analysis in plastically deformed silicon by 2nd-order X-ray diffraction. MRS Advances, 3( ju 2018), 2347-2352. doi:10.1557/adv.2018.511
NLM
Dina G, Kycia S, Gonzalez AG, Morelhao SL. Micro grain analysis in plastically deformed silicon by 2nd-order X-ray diffraction [Internet]. MRS Advances. 2018 ; 3( ju 2018): 2347-2352.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1557/adv.2018.511
Vancouver
Dina G, Kycia S, Gonzalez AG, Morelhao SL. Micro grain analysis in plastically deformed silicon by 2nd-order X-ray diffraction [Internet]. MRS Advances. 2018 ; 3( ju 2018): 2347-2352.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1557/adv.2018.511
Artigo de periodico
Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films (2018)
Morelhao, Sergio Luiz; Kycia, Stefan; Netzke, Samuel; Fornari, Celso I.; Rappl, Paulo H. O.; Abramof, Eduardo
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES, CRISTALOGRAFIA DE RAIOS X
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ABNT
MORELHAO, Sergio Luiz et al. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Applied Physics Letters, v. 112, n. 12, p. 101903, 2018Tradução . . Disponível em: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5020375. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Morelhao, S. L., Kycia, S., Netzke, S., Fornari, C. I., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2018). Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films. Applied Physics Letters, 112( 12), 101903. doi:10.1063/1.5020375
NLM
Morelhao SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. Applied Physics Letters. 2018 ; 112( 12): 101903.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5020375
Vancouver
Morelhao SL, Kycia S, Netzke S, Fornari CI, Rappl PHO, Abramof E. Hybrid reflections from multiple x-ray scattering in epitaxial bismuth telluride topological insulator films [Internet]. Applied Physics Letters. 2018 ; 112( 12): 101903.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5020375
Artigo de periodico
Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111) (2010)
Kellermann, Guinther; Rodriguez, Eugenio; Jimenez, Ernesto; Cesar, Carlos Lenz; Barbosa, Luiz Carlos; Craievich, Aldo Felix
Source: Journal of Applied Crystallography. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, SEMICONDUTORES
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ABNT
KELLERMANN, Guinther et al. Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111). Journal of Applied Crystallography, v. 43, p. 385-393, 2010Tradução . . Disponível em: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Kellermann, G., Rodriguez, E., Jimenez, E., Cesar, C. L., Barbosa, L. C., & Craievich, A. F. (2010). Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111). Journal of Applied Crystallography, 43, 385-393. Recuperado de http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf
NLM
Kellermann G, Rodriguez E, Jimenez E, Cesar CL, Barbosa LC, Craievich AF. Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111) [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2010 ; 43 385-393.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf
Vancouver
Kellermann G, Rodriguez E, Jimenez E, Cesar CL, Barbosa LC, Craievich AF. Structure of PbTe(`SiO IND.2´)/`SiO IND.2´ multilayers deposited on Si(111) [Internet]. Journal of Applied Crystallography. 2010 ; 43 385-393.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1107/S0021889810005625/pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Magnetic resonant x-ray diffraction applied to the study of EuTe films and multilayers (2009)
Diaz, B; Abramof, E; Rappl, P H O; Granado, E; Chitta, Valmir Antonio; Henriques, André Bohomoletz; Oliveira Jr., N. F.
Source: International Journal of Modern Physics B. Conference titles: International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics and Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIAZ, B et al. Magnetic resonant x-ray diffraction applied to the study of EuTe films and multilayers. International Journal of Modern Physics B. Singapore: World Scientific. . Acesso em: 07 ago. 2024. , 2009
APA
Diaz, B., Abramof, E., Rappl, P. H. O., Granado, E., Chitta, V. A., Henriques, A. B., & Oliveira Jr., N. F. (2009). Magnetic resonant x-ray diffraction applied to the study of EuTe films and multilayers. International Journal of Modern Physics B. Singapore: World Scientific.
NLM
Diaz B, Abramof E, Rappl PHO, Granado E, Chitta VA, Henriques AB, Oliveira Jr. NF. Magnetic resonant x-ray diffraction applied to the study of EuTe films and multilayers. International Journal of Modern Physics B. 2009 ; 23( 12-13): 2979-2983.[citado 2024 ago. 07 ]
Vancouver
Diaz B, Abramof E, Rappl PHO, Granado E, Chitta VA, Henriques AB, Oliveira Jr. NF. Magnetic resonant x-ray diffraction applied to the study of EuTe films and multilayers. International Journal of Modern Physics B. 2009 ; 23( 12-13): 2979-2983.[citado 2024 ago. 07 ]
Artigo de periodico
Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction (2009)
Freitas, Raul de Oliveira; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Journal of Applied Physics,. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira e QUIVY, A. A. e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics, v. 105, n. 3, p. 036104-1/-03104/3, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3074376. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Freitas, R. de O., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics,, 105( 3), 036104-1/-03104/3. doi:10.1063/1.3074376
NLM
Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376
Vancouver
Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376
Trabalho de evento-anais periodico
In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat (2007)
Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Marques, E B
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
MARTINI, S et al. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 07 ago. 2024. , 2007
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Marques, E. B. (2007). In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Marques EB. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 17-18.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Silva ECF da, Marques EB. In-segregation measurements by RHEED during growth: comparison between vicinal and nominal substrat [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 17-18.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001000017000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions (2004)
Chitta, Valmir Antonio; Coaquira, J A H; Fernandez, J R L; Duarte, C A; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
NLM
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Vancouver
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Artigo de periodico
Magnetic properties of the 'Mn IND. 1-x''Fe IND. x''In IND. 2''S IND. 4' spinel compounds (2004)
Sagredo, V; Pineda, F; Haar, Ewout Ter
Source: Journal of Alloys and Compounds. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SAGREDO, V e PINEDA, F e HAAR, Ewout Ter. Magnetic properties of the 'Mn IND. 1-x''Fe IND. x''In IND. 2''S IND. 4' spinel compounds. Journal of Alloys and Compounds, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TWY-4B857KH-4-T&_cdi=5575&_orig=browse&_coverDate=04%2F28%2F2004&_sk=996309998&view=c&wchp=dGLbVtz-zSkWb&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=0fa8a5f0105cd619de41f888028ef217&ie=f.pdf. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Sagredo, V., Pineda, F., & Haar, E. T. (2004). Magnetic properties of the 'Mn IND. 1-x''Fe IND. x''In IND. 2''S IND. 4' spinel compounds. Journal of Alloys and Compounds. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TWY-4B857KH-4-T&_cdi=5575&_orig=browse&_coverDate=04%2F28%2F2004&_sk=996309998&view=c&wchp=dGLbVtz-zSkWb&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=0fa8a5f0105cd619de41f888028ef217&ie=f.pdf
NLM
Sagredo V, Pineda F, Haar ET. Magnetic properties of the 'Mn IND. 1-x''Fe IND. x''In IND. 2''S IND. 4' spinel compounds [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2004 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TWY-4B857KH-4-T&_cdi=5575&_orig=browse&_coverDate=04%2F28%2F2004&_sk=996309998&view=c&wchp=dGLbVtz-zSkWb&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=0fa8a5f0105cd619de41f888028ef217&ie=f.pdf
Vancouver
Sagredo V, Pineda F, Haar ET. Magnetic properties of the 'Mn IND. 1-x''Fe IND. x''In IND. 2''S IND. 4' spinel compounds [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2004 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TWY-4B857KH-4-T&_cdi=5575&_orig=browse&_coverDate=04%2F28%2F2004&_sk=996309998&view=c&wchp=dGLbVtz-zSkWb&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=0fa8a5f0105cd619de41f888028ef217&ie=f.pdf
Trabalho de evento-resumo
Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors (2003)
Chaker, J A; Briois, V; Dahmouche, K; Santilli, C V; Pulcinelli, S H; Judeinstein, P; Flank, A M; Craievich, Aldo Felix
Source: Abstracts. Conference titles: Annual Meeting on the International Commission on Glass. Unidade: IF
Subjects: VIDRO, SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHAKER, J A et al. Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. 2003, Anais.. São Paulo: ABIVIDRO, 2003. . Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Chaker, J. A., Briois, V., Dahmouche, K., Santilli, C. V., Pulcinelli, S. H., Judeinstein, P., et al. (2003). Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. In Abstracts. São Paulo: ABIVIDRO.
NLM
Chaker JA, Briois V, Dahmouche K, Santilli CV, Pulcinelli SH, Judeinstein P, Flank AM, Craievich AF. Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. Abstracts. 2003 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Vancouver
Chaker JA, Briois V, Dahmouche K, Santilli CV, Pulcinelli SH, Judeinstein P, Flank AM, Craievich AF. Local and nanoscopic structure of sodium-doped siloxane-PPO transparent ionic conductors. Abstracts. 2003 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo da evolução estrutural em semicondutores 'Zn IND. 1-x''Mn IND.x''In IND. 2''Se IND. 4', por técnicas dee difração de raios x (2003)
Ochoa, J C Mantilla; Brito, Giancarlo Esposito de Souza; Haar, Ewout Ter; Bindilatti, V.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OCHOA, J C Mantilla et al. Estudo da evolução estrutural em semicondutores 'Zn IND. 1-x''Mn IND.x''In IND. 2''Se IND. 4', por técnicas dee difração de raios x. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Ochoa, J. C. M., Brito, G. E. de S., Haar, E. T., & Bindilatti, V. (2003). Estudo da evolução estrutural em semicondutores 'Zn IND. 1-x''Mn IND.x''In IND. 2''Se IND. 4', por técnicas dee difração de raios x. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ochoa JCM, Brito GE de S, Haar ET, Bindilatti V. Estudo da evolução estrutural em semicondutores 'Zn IND. 1-x''Mn IND.x''In IND. 2''Se IND. 4', por técnicas dee difração de raios x. Resumos. 2003 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Vancouver
Ochoa JCM, Brito GE de S, Haar ET, Bindilatti V. Estudo da evolução estrutural em semicondutores 'Zn IND. 1-x''Mn IND.x''In IND. 2''Se IND. 4', por técnicas dee difração de raios x. Resumos. 2003 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Artigo de periodico
Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures (2002)
Leite, J. R.
Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MUDANÇA DE FASE
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ABNT
LEITE, J. R. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, v. 33, n. 4, p. 323-329, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Leite, J. R. (2002). Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures. Microeletronics Journal, 33( 4), 323-329. doi:10.1016/s0026-2692(01)00126-4
NLM
Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
Vancouver
Leite JR. Origin of the radiative emission in blue-green light emitting diodes based on GaN/InGaN heterostructures [Internet]. Microeletronics Journal. 2002 ; 33( 4): 323-329.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00126-4
Trabalho de evento-resumo
Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers (2001)
Silva, Marcionilio Teles de Oliveira; Fernandez, Jose Rafael Leon; Pusep, Yuri A.; Chitta, Valmir Antonio; Tabata, Americo; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; Frey, Thomas; As, Donat Joseph; Lischka, Klaus
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
SILVA, Marcionilio Teles de Oliveira et al. Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Silva, M. T. de O., Fernandez, J. R. L., Pusep, Y. A., Chitta, V. A., Tabata, A., Noriega, O. C., et al. (2001). Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva MT de O, Fernandez JRL, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Lischka K. Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. Resumos. 2001 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Vancouver
Silva MT de O, Fernandez JRL, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Lischka K. Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. Resumos. 2001 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Artigo de periodico
Strength tuning of multiple waves in crystals (2001)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H
Source: Acta Crystallographica Section A. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz e AVANCI, L H. Strength tuning of multiple waves in crystals. Acta Crystallographica Section A, v. 57, p. 192-196, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Morelhão, S. L., & Avanci, L. H. (2001). Strength tuning of multiple waves in crystals. Acta Crystallographica Section A, 57, 192-196. doi:10.1107/s0108767300015774
NLM
Morelhão SL, Avanci LH. Strength tuning of multiple waves in crystals [Internet]. Acta Crystallographica Section A. 2001 ; 57 192-196.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH. Strength tuning of multiple waves in crystals [Internet]. Acta Crystallographica Section A. 2001 ; 57 192-196.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774
Trabalho de evento-resumo
Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells (2001)
Leite, J. R.; Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silveira, E; MENESES, Eliermes Arraes; Ribeiro, E; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Leite, J. R., Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., Silveira, E., et al. (2001). Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Vancouver
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain (2001)
Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Kharchenko, V; As, Donat Joseph; Schikora, D; Lischka, K; Bechstedt, F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, EMISSÃO DA LUZ, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, Americo et al. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., Kharchenko, V., et al. (2001). Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Kharchenko V, As DJ, Schikora D, Lischka K, Bechstedt F. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. Resumos. 2001 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Vancouver
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Kharchenko V, As DJ, Schikora D, Lischka K, Bechstedt F. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. Resumos. 2001 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Artigo de periodico
MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties (2001)
As, D J; Frey, T; Barttls, M; Lischka, K; Goldhahn, R; Shokhovets, S; Tabata, A; Fernandez, J R L; Leite, J. R.
Source: Journal of Crstal Growth. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA (PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AS, D J et al. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties. Journal of Crstal Growth, v. 230, n. 3-4, p. 421-425, 2001Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
As, D. J., Frey, T., Barttls, M., Lischka, K., Goldhahn, R., Shokhovets, S., et al. (2001). MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties. Journal of Crstal Growth, 230( 3-4), 421-425. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
NLM
As DJ, Frey T, Barttls M, Lischka K, Goldhahn R, Shokhovets S, Tabata A, Fernandez JRL, Leite JR. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties [Internet]. Journal of Crstal Growth. 2001 ; 230( 3-4): 421-425.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
As DJ, Frey T, Barttls M, Lischka K, Goldhahn R, Shokhovets S, Tabata A, Fernandez JRL, Leite JR. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties [Internet]. Journal of Crstal Growth. 2001 ; 230( 3-4): 421-425.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf

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