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Trabalho de evento-resumo
Derivative optical imaging technique (DOIT) (2024)
Machado, Marcelo Jean; Soares, Yohan Szuszko; Cionek, Marcelo Prado; Misoguti, Lino ; Barbano, Emerson Cristiano
Source: Caderno de Resumos. Conference titles: Escola de Verão de Física de Curitiba - EVFC. Unidade: IFSC
Subjects: ÓPTICA, LASER, MICROSCOPIA, FOTODETECTORES, IMAGEM
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ABNT
MACHADO, Marcelo Jean et al. Derivative optical imaging technique (DOIT). 2024, Anais.. Curitiba: Universidade Federal do Paraná - UFPR, 2024. Disponível em: https://fisica.ufpr.br/verao2024/assets/files/Caderno-deResumos-VEVFC-28-01.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Machado, M. J., Soares, Y. S., Cionek, M. P., Misoguti, L., & Barbano, E. C. (2024). Derivative optical imaging technique (DOIT). In Caderno de Resumos. Curitiba: Universidade Federal do Paraná - UFPR. Recuperado de https://fisica.ufpr.br/verao2024/assets/files/Caderno-deResumos-VEVFC-28-01.pdf
NLM
Machado MJ, Soares YS, Cionek MP, Misoguti L, Barbano EC. Derivative optical imaging technique (DOIT) [Internet]. Caderno de Resumos. 2024 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://fisica.ufpr.br/verao2024/assets/files/Caderno-deResumos-VEVFC-28-01.pdf
Vancouver
Machado MJ, Soares YS, Cionek MP, Misoguti L, Barbano EC. Derivative optical imaging technique (DOIT) [Internet]. Caderno de Resumos. 2024 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://fisica.ufpr.br/verao2024/assets/files/Caderno-deResumos-VEVFC-28-01.pdf
Artigo de periodico
High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction (2024)
Alzeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Sautter, K E; Vallejo, K D; Simmonds, P J; Quivy, Alain André
Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
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ABNT
ALZEIDAN, Ahmad et al. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical, v. 374, 2024Tradução . . Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, Sautter, K. E., Vallejo, K. D., Simmonds, P. J., & Quivy, A. A. (2024). High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical, 374. doi:10.1016/j.sna.2024.115464
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Sautter KE, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical. 2024 ; 374[citado 2024 nov. 02 ]
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Sautter KE, Vallejo KD, Simmonds PJ, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Sensors and Actuators A: Physical. 2024 ; 374[citado 2024 nov. 02 ]
Tese (Doutorado)
Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors (2023)
Zeidan, Ahmad Al ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, INFRAVERMELHO
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ABNT
ZEIDAN, Ahmad Al. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Zeidan, A. A. (2023). Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
NLM
Zeidan AA. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors [Internet]. 2023 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
Vancouver
Zeidan AA. Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectors [Internet]. 2023 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-01082023-130331/
Trabalho de evento
Investigando o tempo de resposta de um fotodetector semicondutor: proposta de uma atividade didática (2023)
Rodrigues, Miller da Silva; Souza, Lúcius Borges de; Costa, Gláucia Gruninger Gomes; Catunda, Tomaz
Source: Programa. Conference titles: Simpósio Nacional de Ensino de Física - SNEF. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTODETECTORES, DIODOS
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ABNT
RODRIGUES, Miller da Silva et al. Investigando o tempo de resposta de um fotodetector semicondutor: proposta de uma atividade didática. 2023, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2023. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxv/sys/resumos/T0262-1.pdf. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Rodrigues, M. da S., Souza, L. B. de, Costa, G. G. G., & Catunda, T. (2023). Investigando o tempo de resposta de um fotodetector semicondutor: proposta de uma atividade didática. In Programa. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxv/sys/resumos/T0262-1.pdf
NLM
Rodrigues M da S, Souza LB de, Costa GGG, Catunda T. Investigando o tempo de resposta de um fotodetector semicondutor: proposta de uma atividade didática [Internet]. Programa. 2023 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxv/sys/resumos/T0262-1.pdf
Vancouver
Rodrigues M da S, Souza LB de, Costa GGG, Catunda T. Investigando o tempo de resposta de um fotodetector semicondutor: proposta de uma atividade didática [Internet]. Programa. 2023 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxv/sys/resumos/T0262-1.pdf
Dissertação (Mestrado)
Estudo teórico de oligômeros de tiofeno para fotovoltaicos: tiofeno-furano para filmes e tiofeno cianoacrilado como sensitizador de ZnO (2023)
Bastos, Vinicius Alves ; Caldas, Marilia Junqueira (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, FOTODETECTORES
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ABNT
BASTOS, Vinicius Alves. Estudo teórico de oligômeros de tiofeno para fotovoltaicos: tiofeno-furano para filmes e tiofeno cianoacrilado como sensitizador de ZnO. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-30102023-110406/. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Bastos, V. A. (2023). Estudo teórico de oligômeros de tiofeno para fotovoltaicos: tiofeno-furano para filmes e tiofeno cianoacrilado como sensitizador de ZnO (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-30102023-110406/
NLM
Bastos VA. Estudo teórico de oligômeros de tiofeno para fotovoltaicos: tiofeno-furano para filmes e tiofeno cianoacrilado como sensitizador de ZnO [Internet]. 2023 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-30102023-110406/
Vancouver
Bastos VA. Estudo teórico de oligômeros de tiofeno para fotovoltaicos: tiofeno-furano para filmes e tiofeno cianoacrilado como sensitizador de ZnO [Internet]. 2023 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-30102023-110406/
Trabalho de evento-resumo
INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS (2022)
Alzeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Quivy, Alain André
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Subjects: FOTODETECTORES, ARSÊNIO
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ABNT
ALZEIDAN, Ahmad e CANTALICE, Tiago Fernandes de e QUIVY, Alain André. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2022). INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. INFLUENCE OF THE ARSENIC FLUX ON THE PERFORMANCE OF INFRARED PHOTODETECTORS BASED ON InAs SUBMONOLAYER QUANTUM DOTS. Resumos. 2022 ;[citado 2024 nov. 02 ]
Artigo de periodico
Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors (2022)
Alzeidan, A.; Cantalice, T. F.; Vallejo, K. D.; Gajjela, R. S. R.; Hendriks, A. L.; Simmonds, P. J.; Koenraad, P. M.; Quivy, Alain André
Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, NANOTECNOLOGIA, MICROSCOPIA DE FORÇA ATÔMICA, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALZEIDAN, A. et al. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 334, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Alzeidan, A., Cantalice, T. F., Vallejo, K. D., Gajjela, R. S. R., Hendriks, A. L., Simmonds, P. J., et al. (2022). Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 334. doi:10.1016/j.sna.2021.113357
NLM
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Vancouver
Alzeidan A, Cantalice TF, Vallejo KD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Simmonds PJ, Koenraad PM, Quivy AA. Effect of As flux on InAs submonolayer quantum dot formation for infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2022 ; 334[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2021.113357
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry (2021)
Malafronte, A. A.; Petri, A. R.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Maidana, Nora Lía ; Mangiarotti, A. ; Martins, Marcos ; Quivy, Alain André ; Vanin, Vito
Source: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Subjects: FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES, DIODOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO GAMA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALAFRONTE, A. A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, v. 179, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Malafronte, A. A., Petri, A. R., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., Maidana, N. L., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry. Radiation Physics and Chemistry, 179. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109103
NLM
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Vancouver
Malafronte AA, Petri AR, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Maidana NL, Mangiarotti A, Martins M, Quivy AA, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: I. Electrical characterisation and low-energy photon spectrometry [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 179[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109103
Artigo de periodico
A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations (2021)
Mangiarotti, A. ; Petri, A. R.; Malafronte, A. A.; Gonçalves, J. A. C.; Barros, Suelen ; Bueno, Carmen ; Fernández-Varea, José M. ; Maidana, Nora Lía ; Martins, Marcos ; Vanin, Vito
Source: Radiation Physics and Chemistry. Unidades: IF, IPEN
Subjects: FÍSICA DE PARTÍCULAS, FOTODETECTORES, SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA), DIODOS, SILÍCIO, SIMULAÇÃO (ESTATÍSTICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANGIAROTTI, A. et al. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations. Radiation Physics and Chemistry, v. 182, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109102. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Mangiarotti, A., Petri, A. R., Malafronte, A. A., Gonçalves, J. A. C., Barros, S., Bueno, C., et al. (2021). A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations. Radiation Physics and Chemistry, 182. doi:10.1016/j.radphyschem.2020.109102
NLM
Mangiarotti A, Petri AR, Malafronte AA, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Fernández-Varea JM, Maidana NL, Martins M, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 182[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109102
Vancouver
Mangiarotti A, Petri AR, Malafronte AA, Gonçalves JAC, Barros S, Bueno C, Fernández-Varea JM, Maidana NL, Martins M, Vanin V. A low-cost small-size commercial PIN photodiode: II. Comparison of measurements with monoenergetic electrons to analytical expressions and Monte Carlo simulations [Internet]. Radiation Physics and Chemistry. 2021 ; 182[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.radphyschem.2020.109102
Artigo de periodico
Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer (2020)
Santos, Tiago G.; Vieira, Gustavo S.; Delfino, Cristian A.; Tanaka, Roberto Y.; Abe, Nancy M.; Passaro, Angelo; Fernandes, Fernando M.; Quivy, Alain A.
Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, SEMICONDUTIVIDADE, FÍSICA MODERNA, FOTODETECTORES, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Tiago G. et al. Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer. Sensors and Actuators A: Physical, v. 301, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111725. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Santos, T. G., Vieira, G. S., Delfino, C. A., Tanaka, R. Y., Abe, N. M., Passaro, A., et al. (2020). Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer. Sensors and Actuators A: Physical, 301. doi:10.1016/j.sna.2019.111725
NLM
Santos TG, Vieira GS, Delfino CA, Tanaka RY, Abe NM, Passaro A, Fernandes FM, Quivy AA. Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 301[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111725
Vancouver
Santos TG, Vieira GS, Delfino CA, Tanaka RY, Abe NM, Passaro A, Fernandes FM, Quivy AA. Effect of electric field non-uniformity on the differences between I-V characteristics of QWIP devices fabricated on the same wafer [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 301[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2019.111725
Artigo de periodico
Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors (2020)
Claro, M. S.; Stroppa, D. G.; Silva, Euzi Conceição Fernandes da ; Quivy, Alain André
Source: Sensors and Actuators A: Physical. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA MODERNA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, RADIAÇÃO INFRAVERMELHA, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CLARO, M. S. et al. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, v. 315, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Claro, M. S., Stroppa, D. G., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2020). Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors. Sensors and Actuators A: Physical, 315. doi:10.1016/j.sna.2020.112262
NLM
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Vancouver
Claro MS, Stroppa DG, Silva ECF da, Quivy AA. Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectors [Internet]. Sensors and Actuators A: Physical. 2020 ; 315[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sna.2020.112262
Artigo de periodico
Partial contributions to the valence band of MO2, RuO2, and Rh2O3: Cooper minimum and extended cluster model calculations (2020)
Stoeberl, V.; Guedes, E. B.; Abud, Fábio Santos Alves ; Jardim, Renato ; Abbate, M.; Mossanek, Rodrigo
Source: EPL (Europhysics Letters). Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, FOTODETECTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
STOEBERL, V. et al. Partial contributions to the valence band of MO2, RuO2, and Rh2O3: Cooper minimum and extended cluster model calculations. EPL (Europhysics Letters), v. 132, n. 4, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1209/0295-5075/132/47004. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Stoeberl, V., Guedes, E. B., Abud, F. S. A., Jardim, R., Abbate, M., & Mossanek, R. (2020). Partial contributions to the valence band of MO2, RuO2, and Rh2O3: Cooper minimum and extended cluster model calculations. EPL (Europhysics Letters), 132( 4). doi:10.1209/0295-5075/132/47004
NLM
Stoeberl V, Guedes EB, Abud FSA, Jardim R, Abbate M, Mossanek R. Partial contributions to the valence band of MO2, RuO2, and Rh2O3: Cooper minimum and extended cluster model calculations [Internet]. EPL (Europhysics Letters). 2020 ; 132( 4):[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1209/0295-5075/132/47004
Vancouver
Stoeberl V, Guedes EB, Abud FSA, Jardim R, Abbate M, Mossanek R. Partial contributions to the valence band of MO2, RuO2, and Rh2O3: Cooper minimum and extended cluster model calculations [Internet]. EPL (Europhysics Letters). 2020 ; 132( 4):[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1209/0295-5075/132/47004
Artigo de periodico
Introduction to continuous photocounting effects on the quantized optical field (2020)
Arruda, Luiz Gustavo Esmenard ; Prataviera, Gilberto Aparecido
Source: Revista Brasileira de Ensino de Física. Unidade: FEARP
Subjects: FOTODETECTORES, ÓPTICA QUÂNTICA, MECÂNICA QUÂNTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARRUDA, Luiz Gustavo Esmenard e PRATAVIERA, Gilberto Aparecido. Introduction to continuous photocounting effects on the quantized optical field. Revista Brasileira de Ensino de Física, v. 42, p. 1-14, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/1806-9126-RBEF-2020-0023. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Arruda, L. G. E., & Prataviera, G. A. (2020). Introduction to continuous photocounting effects on the quantized optical field. Revista Brasileira de Ensino de Física, 42, 1-14. doi:10.1590/1806-9126-RBEF-2020-0023
NLM
Arruda LGE, Prataviera GA. Introduction to continuous photocounting effects on the quantized optical field [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2020 ; 42 1-14.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1590/1806-9126-RBEF-2020-0023
Vancouver
Arruda LGE, Prataviera GA. Introduction to continuous photocounting effects on the quantized optical field [Internet]. Revista Brasileira de Ensino de Física. 2020 ; 42 1-14.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1590/1806-9126-RBEF-2020-0023
Trabalho de evento-anais periodico
Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy (2019)
Santos, Thales Borrely dos; Quivy, Alain André
Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos e QUIVY, Alain André. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412. Acesso em: 02 nov. 2024. , 2019
APA
Santos, T. B. dos, & Quivy, A. A. (2019). Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919412
NLM
Santos TB dos, Quivy AA. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412
Vancouver
Santos TB dos, Quivy AA. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412
Artigo de periodico
High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction (2019)
Alzeidan, Ahmad; Claro, M S; Quivy, Alain André
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALZEIDAN, Ahmad e CLARO, M S e QUIVY, Alain André. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Journal of Applied Physics, v. 126, p. 224506(6), 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5125238. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Alzeidan, A., Claro, M. S., & Quivy, A. A. (2019). High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction. Journal of Applied Physics, 126, 224506(6). doi:10.1063/1.5125238
NLM
Alzeidan A, Claro MS, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 126 224506(6).[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5125238
Vancouver
Alzeidan A, Claro MS, Quivy AA. High-detectivity infrared photodetector based onInAs submonolayer quantum dots grown onGaAs(001) with a 2 × 4 surface reconstruction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 126 224506(6).[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5125238
Trabalho de evento-anais periodico
Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves (2019)
Lima, Marcelo D. de; Santos, Thales Borrely dos; Quivy, Alain André
Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: SIMULAÇÃO DE SISTEMAS, FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Marcelo D. de e SANTOS, Thales Borrely dos e QUIVY, Alain André. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450. Acesso em: 02 nov. 2024. , 2019
APA
Lima, M. D. de, Santos, T. B. dos, & Quivy, A. A. (2019). Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919450
NLM
Lima MD de, Santos TB dos, Quivy AA. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves [Internet]. IEEE. 2019 ;03.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450
Vancouver
Lima MD de, Santos TB dos, Quivy AA. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves [Internet]. IEEE. 2019 ;03.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450
Trabalho de evento-anais periodico
Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector (2019)
Al Zeidan, Ahmad ; Cantalice, Tiago F. de; Garcia, Ailton J.; Deneke, Christoph F.; Quivy, Alain André
Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, FOTODETECTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, ELETRÔNICA QUÂNTICA, FILMES FINOS, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AL ZEIDAN, Ahmad et al. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349. Acesso em: 02 nov. 2024. , 2019
APA
Al Zeidan, A., Cantalice, T. F. de, Garcia, A. J., Deneke, C. F., & Quivy, A. A. (2019). Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919349
NLM
Al Zeidan A, Cantalice TF de, Garcia AJ, Deneke CF, Quivy AA. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349
Vancouver
Al Zeidan A, Cantalice TF de, Garcia AJ, Deneke CF, Quivy AA. Investigation of the quantum confinement anisotropy in a submonolayer quantum dot infrared photodetector [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 nov. 02 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919349
Tese (Doutorado)
Desenvolvimento de um detector de nêutrons por meio da deposição de filme fino de boro via laser (2019)
Costa, Priscila; Genezini, Frederico Antonio (Orientador)
Unidade: IPEN
Subjects: FILMES FINOS, BORO, DETECÇÃO DE PARTÍCULAS, FOTODETECTORES, NÊUTRONS, LASER, DESENVOLVIMENTO DE TECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
COSTA, Priscila. Desenvolvimento de um detector de nêutrons por meio da deposição de filme fino de boro via laser. 2019. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07062019-161822/. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Costa, P. (2019). Desenvolvimento de um detector de nêutrons por meio da deposição de filme fino de boro via laser (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07062019-161822/
NLM
Costa P. Desenvolvimento de um detector de nêutrons por meio da deposição de filme fino de boro via laser [Internet]. 2019 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07062019-161822/
Vancouver
Costa P. Desenvolvimento de um detector de nêutrons por meio da deposição de filme fino de boro via laser [Internet]. 2019 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-07062019-161822/
Dissertação (Mestrado)
Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras (2018)
Melo, Thiago Luiz Chaves de; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTODETECTORES, SIMULAÇÃO, ABSORÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MELO, Thiago Luiz Chaves de. Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras. 2018. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2018. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112018-141021/. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Melo, T. L. C. de. (2018). Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112018-141021/
NLM
Melo TLC de. Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras [Internet]. 2018 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112018-141021/
Vancouver
Melo TLC de. Simulação computacional de propriedades dinâmicas de heteroestruturas semicondutoras [Internet]. 2018 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-27112018-141021/
Dissertação (Mestrado)
Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada (2017)
Al-Zeidan, Ahmad; Quivy, Alain Andre (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES, INFRAVERMELHO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AL-ZEIDAN, Ahmad. Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10082018-145516/. Acesso em: 02 nov. 2024.
APA
Al-Zeidan, A. (2017). Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10082018-145516/
NLM
Al-Zeidan A. Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10082018-145516/
Vancouver
Al-Zeidan A. Fotodetectores de radiação infravermelha baseados em pontos quânticos de submonocamada [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 02 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10082018-145516/

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