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  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      FERNANDES, Fernando Massa e SILVA, Euzi Conceição Fernandes da e QUIVY, A. A. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Fernandes, F. M., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2015). Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf
    • NLM

      Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf
    • Vancouver

      Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0184-1.pdf
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR

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    • ABNT

      PEREIRA, Ricardo Aluisio e QUIVY, A. A. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Pereira, R. A., & Quivy, A. A. (2015). Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdf
    • NLM

      Pereira RA, Quivy AA. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdf
    • Vancouver

      Pereira RA, Quivy AA. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0580-1.pdf
  • Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      CLARO, Marcel Santos et al. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Claro, M. S., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Stroppa, D. G. (2015). High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf
    • NLM

      Claro MS, Silva ECF da, Quivy AA, Stroppa DG. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf
    • Vancouver

      Claro MS, Silva ECF da, Quivy AA, Stroppa DG. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors [Internet]. Resumos. 2015 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0389-1.pdf
  • Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MAGNETISMO, NANOTECNOLOGIA

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    • ABNT

      HONDA, B. S. L. et al. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Honda, B. S. L., Henriques, A. B., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., Abramof, E., & Rappl, P. H. O. (2012). Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf
    • NLM

      Honda BSL, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Abramof E, Rappl PHO. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf
    • Vancouver

      Honda BSL, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Abramof E, Rappl PHO. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0687-1.pdf
  • Source: Programa (Painéis). Conference titles: 2ª Conferência de Física da Comunidade de Países de Língua Portuguesa. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA - PESQUISA (CONGRESSOS)

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    • ABNT

      SAWATA, Marcella Ferraz et al. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001). 2012, Anais.. São Paulo: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Sawata, M. F., Oliveira, A. F. C. de, Poças, L. C., Lourenço, S. A., Laureto, E., Duarte, J. L., et al. (2012). Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001). In Programa (Painéis). São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf
    • NLM

      Sawata MF, Oliveira AFC de, Poças LC, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001) [Internet]. Programa (Painéis). 2012 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf
    • Vancouver

      Sawata MF, Oliveira AFC de, Poças LC, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001) [Internet]. Programa (Painéis). 2012 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/cfcplp2/sys/resumos/R0051-1.pdf
  • Source: APPLIED PHYSICS LETTERS. Unidade: IF

    Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      KEIZER, J. G et al. Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 101 24, p. 243113, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4770371. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Keizer, J. G., Henriques, A. B., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., & Koenraad, P. M. (2012). Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing. APPLIED PHYSICS LETTERS, 101 24, 243113. doi:10.1063/1.4770371
    • NLM

      Keizer JG, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Koenraad PM. Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012 ;101 24 243113.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4770371
    • Vancouver

      Keizer JG, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Koenraad PM. Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012 ;101 24 243113.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4770371
  • Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      POÇAS, Luiz Carlos et al. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Poças, L. C., Sawata, M. F., Lourenço, S. A., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2012). Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf
    • NLM

      Poças LC, Sawata MF, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf
    • Vancouver

      Poças LC, Sawata MF, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0805-1.pdf
  • Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUORES

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    • ABNT

      LAURETO, E. et al. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Laureto, E., Aquino, V. M. de, Iwamoto, H., Silva, M. A. T. da, Fernandes, R. V., Franchello, F., et al. (2012). Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf
    • NLM

      Laureto E, Aquino VM de, Iwamoto H, Silva MAT da, Fernandes RV, Franchello F, Dias IFL, Duarte JL, Maia ADB, Silva ECF da, Quivy AA. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf
    • Vancouver

      Laureto E, Aquino VM de, Iwamoto H, Silva MAT da, Fernandes RV, Franchello F, Dias IFL, Duarte JL, Maia ADB, Silva ECF da, Quivy AA. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0082-1.pdf
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      LOURENÇO, Sidney Alves et al. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Lourenço, S. A., Poças, L. C., Lopes, J. M., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2010). Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
    • NLM

      Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
    • Vancouver

      Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0686-1.pdf
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      FRANCHELLO, Flávio et al. Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS'. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0142-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Franchello, F., Duarte, J. L., Laureto, E., Dias, I. F. L., Souza, L. D. de, & Quivy, A. A. (2010). Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS'. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0142-1.pdf
    • NLM

      Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS' [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0142-1.pdf
    • Vancouver

      Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS' [Internet]. 2010 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0142-1.pdf
  • Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      MORAIS, R R O et al. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 40, n. 1, p. 15-21, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Lourenço, S. A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2010). Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 40( 1), 15-21. doi:10.1590/s0103-97332010000100003
    • NLM

      Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
    • Vancouver

      Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332010000100003
  • Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      DUARTE, José Leonil et al. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Duarte, J. L., Toni Junior, O. D., Dias, I. F. L., Laureto, E., Toguinho Filho, D. O., & Quivy, A. A. (2009). Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
    • NLM

      Duarte JL, Toni Junior OD, Dias IFL, Laureto E, Toguinho Filho DO, Quivy AA. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
    • Vancouver

      Duarte JL, Toni Junior OD, Dias IFL, Laureto E, Toguinho Filho DO, Quivy AA. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
  • Source: Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Conference titles: Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging. Unidade: IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X

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    • ABNT

      FREITAS, Raul de Oliveira et al. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART. Acesso em: 25 maio 2024. , 2009
    • APA

      Freitas, R. de O., Diaz, B., Abramof, E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
    • NLM

      Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
    • Vancouver

      Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
  • Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      LOPES, Èlder Mantovani et al. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Lopes, È. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Poças, L. C., Lourenço, S. A., & Quivy, A. A. (2009). Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
    • NLM

      Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Poças LC, Lourenço SA, Quivy AA. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
    • Vancouver

      Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Poças LC, Lourenço SA, Quivy AA. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
  • Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS

    How to cite
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    • ABNT

      FRANCHELLO, Flávio et al. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. . Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Franchello, F., Duarte, J. L., Laureto, E., Dias, I. F. L., Souza, L. D. de, & Quivy, A. A. (2009). Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. In Poster Session. São Paulo: SBF.
    • NLM

      Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ]
    • Vancouver

      Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ]
  • Source: Journal of Applied Physics,. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      FREITAS, Raul de Oliveira e QUIVY, A. A. e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics, v. 105, n. 3, p. 036104-1/-03104/3, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3074376. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Freitas, R. de O., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics,, 105( 3), 036104-1/-03104/3. doi:10.1063/1.3074376
    • NLM

      Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376
    • Vancouver

      Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3074376
  • Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    • ABNT

      MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 21, n. 15, p. 155601/1-155601/7, 2009Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Silva, M. A. T. da, Cesar, D. F., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., et al. (2009). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 21( 15), 155601/1-155601/7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
    • NLM

      Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
    • Vancouver

      Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2024 maio 25 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
  • Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      AMARAL, Anderson Monteiro e SILVA, Sebastião William da e QUIVY, A. A. Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R1109-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Amaral, A. M., Silva, S. W. da, & Quivy, A. A. (2009). Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R1109-1.pdf
    • NLM

      Amaral AM, Silva SW da, Quivy AA. Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R1109-1.pdf
    • Vancouver

      Amaral AM, Silva SW da, Quivy AA. Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R1109-1.pdf
  • Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SOUZA, Leonardo Dias de et al. Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Souza, L. D. de, Laureto, E., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Franchello, F., & Quivy, A. A. (2009). Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf
    • NLM

      Souza LD de, Laureto E, Dias IFL, Duarte JL, Franchello F, Quivy AA. Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf
    • Vancouver

      Souza LD de, Laureto E, Dias IFL, Duarte JL, Franchello F, Quivy AA. Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf
  • Conference titles: Activity Report 2008: LNLS/Brazilian Synchrotron Light Laboratory. Unidade: IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SISTEMA QUÂNTICO, ESPALHAMENTO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      FREITAS, R O e QUIVY, A. A. e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems. 2009Tradução . . Disponível em: http://www.lnls.br/ar2008/web/index.html. Acesso em: 25 maio 2024.
    • APA

      Freitas, R. O., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems. Recuperado de http://www.lnls.br/ar2008/web/index.html
    • NLM

      Freitas RO, Quivy AA, Morelhão SL. Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems [Internet]. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.lnls.br/ar2008/web/index.html
    • Vancouver

      Freitas RO, Quivy AA, Morelhão SL. Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems [Internet]. 2009 ;[citado 2024 maio 25 ] Available from: http://www.lnls.br/ar2008/web/index.html

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