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Trabalho de evento-resumo
Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise (2015)
Fernandes, Fernando Massa; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
FERNANDES, Fernando Massa e SILVA, Euzi Conceição Fernandes da e QUIVY, A. A. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Fernandes, F. M., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2015). Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise. Resumos. 2015 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Fernandes FM, Silva ECF da, Quivy AA. Mid-Infrared (3-5 µm) photodetection in AlGaAs/GaAs QWIPs using photo-induced noise. Resumos. 2015 ;[citado 2023 set. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy (2015)
Pereira, Ricardo Aluisio; Quivy, A. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
PEREIRA, Ricardo Aluisio e QUIVY, A. A. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Pereira, R. A., & Quivy, A. A. (2015). Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Pereira RA, Quivy AA. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy. Resumos. 2015 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Pereira RA, Quivy AA. Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy. Resumos. 2015 ;[citado 2023 set. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors (2015)
Claro, Marcel Santos; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.; Stroppa, Daniel G
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CLARO, Marcel Santos et al. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Claro, M. S., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Stroppa, D. G. (2015). High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Claro MS, Silva ECF da, Quivy AA, Stroppa DG. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors. Resumos. 2015 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Claro MS, Silva ECF da, Quivy AA, Stroppa DG. High density InAlAs and InAs/InAlAs quantum dots for infrared photodetectors. Resumos. 2015 ;[citado 2023 set. 21 ]
Trabalho de evento
Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001) (2012)
Sawata, Marcella Ferraz; Oliveira, Ana Flávia Ciríaco de; Poças, Luiz Carlos; Lourenço, Sidney Alves; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A. A.
Source: Programa (Painéis). Conference titles: 2ª Conferência de Física da Comunidade de Países de Língua Portuguesa. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA - PESQUISA (CONGRESSOS)
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ABNT
SAWATA, Marcella Ferraz et al. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001). 2012, Anais.. São Paulo: SBF, 2012. . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Sawata, M. F., Oliveira, A. F. C. de, Poças, L. C., Lourenço, S. A., Laureto, E., Duarte, J. L., et al. (2012). Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001). In Programa (Painéis). São Paulo: SBF.
NLM
Sawata MF, Oliveira AFC de, Poças LC, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001). Programa (Painéis). 2012 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Sawata MF, Oliveira AFC de, Poças LC, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competição entre o efeito de interdifusão de In/Ga e o acoplamento eletrônico em pontos quânticos duplos auto-organizados de InAs/GaAs crescidos por MBE sobre substratos de GaAs(001). Programa (Painéis). 2012 ;[citado 2023 set. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures (2012)
Honda, B. S. L.; Henriques, A. B.; Maia, A. D. B.; Quivy, A. A.; Abramof, E.; Rappl, P. H. O.
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
HONDA, B. S. L. et al. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Honda, B. S. L., Henriques, A. B., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., Abramof, E., & Rappl, P. H. O. (2012). Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF.
NLM
Honda BSL, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Abramof E, Rappl PHO. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures. Resumo. 2012 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Honda BSL, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Abramof E, Rappl PHO. Light-induced magnetism using picosecond and femtosecond pulses in semiconductor nanostructures. Resumo. 2012 ;[citado 2023 set. 21 ]
Artigo de periodico
Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing (2012)
Keizer, J. G; Henriques, André Bohomoletz; Maia, A D B; Quivy, A. A.; Koenraad, P. M
Source: APPLIED PHYSICS LETTERS. Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
KEIZER, J. G et al. Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. 101 24, p. 243113, 2012Tradução . . Disponível em: http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4795066H0. Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Keizer, J. G., Henriques, A. B., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., & Koenraad, P. M. (2012). Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing. APPLIED PHYSICS LETTERS, 101 24, 243113. doi:10.1063/1.4770371
NLM
Keizer JG, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Koenraad PM. Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012 ;101 24 243113.[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4795066H0
Vancouver
Keizer JG, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Koenraad PM. Atomically resolved study of the morphology change of InAs/GaAs quantum dot layers induced by rapid thermal annealing [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2012 ;101 24 243113.[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4795066H0
Trabalho de evento-resumo
Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots (2012)
Poças, Luiz Carlos; Sawata, Marcella Ferraz; Lourenço, Sidney Alves; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
POÇAS, Luiz Carlos et al. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Poças, L. C., Sawata, M. F., Lourenço, S. A., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2012). Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF.
NLM
Poças LC, Sawata MF, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots. Resumo. 2012 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Poças LC, Sawata MF, Lourenço SA, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots. Resumo. 2012 ;[citado 2023 set. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures (2012)
Laureto, E.; Aquino, V. M. de; Iwamoto, H.; Silva, M. A. T. da; Fernandes, R. V.; Franchello, F.; Dias, I. F. L.; Duarte, J. L.; Maia, A. D. B.; Silva, E. C. F. da; Quivy, A. A.
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAURETO, E. et al. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Laureto, E., Aquino, V. M. de, Iwamoto, H., Silva, M. A. T. da, Fernandes, R. V., Franchello, F., et al. (2012). Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF.
NLM
Laureto E, Aquino VM de, Iwamoto H, Silva MAT da, Fernandes RV, Franchello F, Dias IFL, Duarte JL, Maia ADB, Silva ECF da, Quivy AA. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures. Resumo. 2012 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Laureto E, Aquino VM de, Iwamoto H, Silva MAT da, Fernandes RV, Franchello F, Dias IFL, Duarte JL, Maia ADB, Silva ECF da, Quivy AA. Energy levels for lens-shaped self-assembled quantum dots heterostructures. Resumo. 2012 ;[citado 2023 set. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100) (2010)
Lourenço, Sidney Alves; Poças, Luiz Carlos; Lopes, Joyce Marquini; Laureto, Edson; Duarte, José Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LOURENÇO, Sidney Alves et al. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Lourenço, S. A., Poças, L. C., Lopes, J. M., Laureto, E., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., & Quivy, A. A. (2010). Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). In . São Paulo: SBF.
NLM
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). 2010 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Lourenço SA, Poças LC, Lopes JM, Laureto E, Duarte JL, Dias IFL, Quivy AA. Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100). 2010 ;[citado 2023 set. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS' (2010)
Franchello, Flávio; Duarte, José Leonil; Laureto, Edson; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Souza, Leonardo Dias de; Quivy, A. A.
Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FRANCHELLO, Flávio et al. Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS'. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Franchello, F., Duarte, J. L., Laureto, E., Dias, I. F. L., Souza, L. D. de, & Quivy, A. A. (2010). Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS'. In . São Paulo: SBF.
NLM
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS'. 2010 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS'. 2010 ;[citado 2023 set. 21 ]
Artigo de periodico
Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs (2010)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Lourenço, S A; Silva, Euzi Conceição Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORAIS, R R O et al. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, v. 40, n. 1, p. 15-21, 2010Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ba8f0b68-e16b-478a-8bc6-f4cc328cb59f/a03v40n1.pdf. Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Lourenço, S. A., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2010). Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs. Brazilian Journal of Physics, 40( 1), 15-21. doi:10.1590/s0103-97332010000100003
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2023 set. 21 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ba8f0b68-e16b-478a-8bc6-f4cc328cb59f/a03v40n1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA. Comparison of some theoretical models for fittings of the temperature dependence of the fundamental energy gap in GaAs [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2010 ; 40( 1): 15-21.[citado 2023 set. 21 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/ba8f0b68-e16b-478a-8bc6-f4cc328cb59f/a03v40n1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs (2009)
Duarte, José Leonil; Toni Junior, Orlando De; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Laureto, Edson; Toguinho Filho, Dari Oliveira; Quivy, A. A.
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, José Leonil et al. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf. Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Duarte, J. L., Toni Junior, O. D., Dias, I. F. L., Laureto, E., Toguinho Filho, D. O., & Quivy, A. A. (2009). Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
NLM
Duarte JL, Toni Junior OD, Dias IFL, Laureto E, Toguinho Filho DO, Quivy AA. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
Vancouver
Duarte JL, Toni Junior OD, Dias IFL, Laureto E, Toguinho Filho DO, Quivy AA. Eletroreflectance in CDQW of AlGaAs/GaAs [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0608-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction (2009)
Freitas, Raul de Oliveira; Diaz, Beatriz; Abramof, Eduardo; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Conference titles: Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira et al. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART. Acesso em: 21 set. 2023. , 2009
APA
Freitas, R. de O., Diaz, B., Abramof, E., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
NLM
Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
Vancouver
Freitas R de O, Diaz B, Abramof E, Quivy AA, Morelhão SL. Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction [Internet]. Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. 2009 ; 206( 8):[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext/122462600/PDFSTART
Trabalho de evento-resumo
Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells (2009)
Lopes, Èlder Mantovani; Duarte, Jose Leonil; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Laureto, Edson; Poças, Luiz Carlos; Lourenço, Sidney Alves; Quivy, A. A.
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, Èlder Mantovani et al. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf. Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Lopes, È. M., Duarte, J. L., Dias, I. F. L., Laureto, E., Poças, L. C., Lourenço, S. A., & Quivy, A. A. (2009). Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
NLM
Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Poças LC, Lourenço SA, Quivy AA. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
Vancouver
Lopes ÈM, Duarte JL, Dias IFL, Laureto E, Poças LC, Lourenço SA, Quivy AA. Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0581-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates (2009)
Franchello, Flávio; Duarte, Jose Leonil; Laureto, Edson; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Souza, Leonardo Dias de; Quivy, A. A.
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FRANCHELLO, Flávio et al. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Franchello, F., Duarte, J. L., Laureto, E., Dias, I. F. L., Souza, L. D. de, & Quivy, A. A. (2009). Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. In Poster Session. São Paulo: SBF.
NLM
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Poster Session. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Franchello F, Duarte JL, Laureto E, Dias IFL, Souza LD de, Quivy AA. Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates. Poster Session. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ]
Artigo de periodico
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells (2009)
Morais, R R O; Dias, I F L; Silva, M A T da; Cesar, D F; Duarte, J L; Lourenço, S A; Laureto, E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 21, n. 15, p. 155601/1-155601/7, 2009Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf. Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Silva, M. A. T. da, Cesar, D. F., Duarte, J. L., Lourenço, S. A., et al. (2009). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells. Journal of Physics-Condensed Matter, 21( 15), 155601/1-155601/7. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2023 set. 21 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Silva MAT da, Cesar DF, Duarte JL, Lourenço SA, Laureto E, Silva ECF da, Quivy AA. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in `Al IND.0.18´`Ga IND.0.82´As/GaAs quantum wells [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2009 ; 21( 15): 155601/1-155601/7.[citado 2023 set. 21 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/89a955fe-df31-4137-bc37-638f06d87904/1-s2.0-0921452695006508-main.pdf
Artigo de periodico
Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction (2009)
Freitas, Raul de Oliveira; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Source: Journal of Applied Physics,. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, Raul de Oliveira e QUIVY, A. A. e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics, v. 105, n. 3, p. 036104-1/-03104/3, 2009Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000105000003036104000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Freitas, R. de O., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction. Journal of Applied Physics,, 105( 3), 036104-1/-03104/3. doi:10.1063/1.3074376
NLM
Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000105000003036104000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Freitas R de O, Quivy AA, Morelhão SL. Growth and capping of InAs/GaAs quantum dots investigated by x-ray Bragg-surface diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics,. 2009 ; 105( 3): 036104-1/-03104/3.[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000105000003036104000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates (2009)
Amaral, Anderson Monteiro; Silva, Sebastião William da; Quivy, A. A.
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AMARAL, Anderson Monteiro e SILVA, Sebastião William da e QUIVY, A. A. Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: "Clicar" sobre o botão para acesso ao texto completo. Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Amaral, A. M., Silva, S. W. da, & Quivy, A. A. (2009). Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de "Clicar" sobre o botão para acesso ao texto completo
NLM
Amaral AM, Silva SW da, Quivy AA. Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ] Available from: "Clicar" sobre o botão para acesso ao texto completo
Vancouver
Amaral AM, Silva SW da, Quivy AA. Optical properties in `In IND.0.2´`Ga IND.0.8´ As=GaAs superlattices grown on (001) GaAs substrates [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ] Available from: "Clicar" sobre o botão para acesso ao texto completo
Trabalho de evento-resumo
Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance (2009)
Souza, Leonardo Dias de; Laureto, Edson; Dias, Ivan Frederico Lupiano; Duarte, José Leonil; Franchello, Flávio; Quivy, A. A.
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, Leonardo Dias de et al. Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf. Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Souza, L. D. de, Laureto, E., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Franchello, F., & Quivy, A. A. (2009). Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf
NLM
Souza LD de, Laureto E, Dias IFL, Duarte JL, Franchello F, Quivy AA. Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf
Vancouver
Souza LD de, Laureto E, Dias IFL, Duarte JL, Franchello F, Quivy AA. Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0631-1.pdf
Artigo de periodico
Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems (2009)
Freitas, R O; Quivy, A. A.; Morelhão, Sérgio Luiz
Conference titles: Activity Report 2008: LNLS/Brazilian Synchrotron Light Laboratory. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SISTEMA QUÂNTICO, ESPALHAMENTO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREITAS, R O e QUIVY, A. A. e MORELHÃO, Sérgio Luiz. Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems. 2009Tradução . . Acesso em: 21 set. 2023.
APA
Freitas, R. O., Quivy, A. A., & Morelhão, S. L. (2009). Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems.
NLM
Freitas RO, Quivy AA, Morelhão SL. Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ]
Vancouver
Freitas RO, Quivy AA, Morelhão SL. Strong CTR-cap-layer coupling for X-ray scattering in InAs/GaAs (001) quantum dots systems. 2009 ;[citado 2023 set. 21 ]

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