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Artigo de periodico
Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys (2005)
Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physics Status Solidi C. Unidade: IF
Assunto: ESTADO SÓLIDO
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ABNT
MARQUES, M et al. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physics Status Solidi C, v. 2, n. 7, p. 2508-2511, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys. Physics Status Solidi C, 2( 7), 2508-2511. doi:10.1002/pssc.200461516
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys [Internet]. Physics Status Solidi C. 2005 ; 2( 7): 2508-2511.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio studies of indium separated phases in AlGaInN quaternary alloys [Internet]. Physics Status Solidi C. 2005 ; 2( 7): 2508-2511.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200461516
Trabalho de evento-anais periodico
Luminescence spectra in metallic and ferromagnetic GaMnAs/GaAs multilayers: a self-consistent super-cell Kane K.p calculation (2004)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S. C. P.; Lima, I. C. da Cunha; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Boseli, M. A.; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi C. Conference titles: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, LUMINESCÊNCIA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Luminescence spectra in metallic and ferromagnetic GaMnAs/GaAs multilayers: a self-consistent super-cell Kane K.p calculation. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH. . Acesso em: 19 jul. 2024. , 2004
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Lima, I. C. da C., Scolfaro, L. M. R., Boseli, M. A., & Leite, J. R. (2004). Luminescence spectra in metallic and ferromagnetic GaMnAs/GaAs multilayers: a self-consistent super-cell Kane K.p calculation. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Lima IC da C, Scolfaro LMR, Boseli MA, Leite JR. Luminescence spectra in metallic and ferromagnetic GaMnAs/GaAs multilayers: a self-consistent super-cell Kane K.p calculation. Physica Status Solidi C. 2004 ; 1( S2): S282-S286.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Lima IC da C, Scolfaro LMR, Boseli MA, Leite JR. Luminescence spectra in metallic and ferromagnetic GaMnAs/GaAs multilayers: a self-consistent super-cell Kane K.p calculation. Physica Status Solidi C. 2004 ; 1( S2): S282-S286.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Energy gap and optical properties of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N (2003)
Bechtesdt, F; Furthmuller, J; Ferhat, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Davydov, V Yu; Ambacher, O; Goldhahn, R
Source: Physics Status Solidi A-Applied Research. Unidade: IF
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
BECHTESDT, F et al. Energy gap and optical properties of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N. Physics Status Solidi A-Applied Research, v. 195, n. 3, p. 628-633, 2003Tradução . . Disponível em: http://download.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=102530239&PLACEBO=IE.pdf&mode=pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Bechtesdt, F., Furthmuller, J., Ferhat, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (2003). Energy gap and optical properties of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N. Physics Status Solidi A-Applied Research, 195( 3), 628-633. Recuperado de http://download.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=102530239&PLACEBO=IE.pdf&mode=pdf
NLM
Bechtesdt F, Furthmuller J, Ferhat M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Davydov VY, Ambacher O, Goldhahn R. Energy gap and optical properties of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N [Internet]. Physics Status Solidi A-Applied Research. 2003 ; 195( 3): 628-633.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://download.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=102530239&PLACEBO=IE.pdf&mode=pdf
Vancouver
Bechtesdt F, Furthmuller J, Ferhat M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Davydov VY, Ambacher O, Goldhahn R. Energy gap and optical properties of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N [Internet]. Physics Status Solidi A-Applied Research. 2003 ; 195( 3): 628-633.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://download.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=102530239&PLACEBO=IE.pdf&mode=pdf
Artigo de periodico
Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
TELES, L. K. et al. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 234, n. 3, p. 956-960, 2002Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Leite, J. R. (2002). Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research, 234( 3), 956-960.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Leite JR. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 3): 956-960.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Leite JR. Phase separation, gap bowing, and structural properties of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X'N. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 3): 956-960.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices (2002)
Rodrigues, Sara C P; Scolfaro, L M R; Sipahi, Guilherme Matos; Noriega, O C; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi B. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, Sara C P et al. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, v. 234, n. 3, p. 906-910, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2002). K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices. Physica Status Solidi B, 234( 3), 906-910. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Noriega OC, Leite JR. K center dot p calculations of electronic and optical properties of p-doped (001) AlGaN/GaN thin superlattices [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 234( 3): 906-910.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=101521325&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density (2002)
Sales, F V de; Silva, S W da; Monte, F G; Soler, M A G; Cruz, J M R; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Morais, P C
Source: Physica Status Solidi A-Applied Research. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SALES, F V de et al. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density. Physica Status Solidi A-Applied Research, v. 187, n. 7, p. 45-48, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Monte, F. G., Soler, M. A. G., Cruz, J. M. R., Silva, M. J. da, et al. (2002). Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density. Physica Status Solidi A-Applied Research, 187( 7), 45-48. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Monte FG, Soler MAG, Cruz JMR, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR, Morais PC. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density [Internet]. Physica Status Solidi A-Applied Research. 2002 ; 187( 7): 45-48.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Monte FG, Soler MAG, Cruz JMR, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR, Morais PC. Excitation transfer through quantum dots measured by microluminescence: dependence on the quantum dot density [Internet]. Physica Status Solidi A-Applied Research. 2002 ; 187( 7): 45-48.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=85512477&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Noriega, Odille Cue; Leite, Jose Roberto; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D; Lischka, K
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 190, n. 1, p. 121-127, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Noriega, O. C., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, 190( 1), 121-127. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Carbon-based defects in GaN: doping behaviour (2002)
Ramos, L E; Furthmuller, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Bechstedt, F
Source: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
RAMOS, L E et al. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 234, n. 4, p. 864-867, 2002Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Ramos, L. E., Furthmuller, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Bechstedt, F. (2002). Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research, 234( 4), 864-867.
NLM
Ramos LE, Furthmuller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 4): 864-867.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Ramos LE, Furthmuller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 4): 864-867.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Kohler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K; Noriega, O. C.; Meneses, E. A.; Tabata, A.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KOHLER, U. et al. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 192, n. 1, p. 129-134, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Kohler, U., As, D. J., Potthast, S., Khartchenko, A., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, 192( 1), 129-134. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells (2002)
Noriega, O. C.; Leite, J. R.; Meneses, E. A.; Soares, J. A. N. T.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos; Köhler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K.
Source: Physica Status Solidi C. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors - IWM. Unidades: IF, IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORIEGA, O. C. et al. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105. Acesso em: 19 jul. 2024. , 2002
APA
Noriega, O. C., Leite, J. R., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., et al. (2002). Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells. Physica Status Solidi C. Weinheim: Wiley-VCH Verlag. doi:10.1002/pssc.200390105
NLM
Noriega OC, Leite JR, Meneses EA, Soares JANT, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Köhler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi C. 2002 ; 0( 1): 528-531.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105
Vancouver
Noriega OC, Leite JR, Meneses EA, Soares JANT, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Köhler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K. Photoluminescence and photoreflectance vharacterization of cubic GaN/AlxGa1-xN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi C. 2002 ; 0( 1): 528-531.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssc.200390105
Artigo de periodico
Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys (2002)
Santos, A M; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Noriega, O C; Alves, H W L; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, A M et al. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys. Physica Status Solidi B, v. 232, n. 1, p. 182-187, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Santos, A. M., Silva, E. C. F. da, Noriega, O. C., Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (2002). Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys. Physica Status Solidi B, 232( 1), 182-187. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Santos AM, Silva ECF da, Noriega OC, Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 232( 1): 182-187.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Santos AM, Silva ECF da, Noriega OC, Alves HWL, Alves JLA, Leite JR. Vibrational properties of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'In IND.X' 'Ga IND.1-X'N ternary alloys [Internet]. Physica Status Solidi B. 2002 ; 232( 1): 182-187.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=94517970&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN (1999)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Ramos, L. E.; Tabata, A.; Castineira, J. L. P.; As, D. J.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B, v. 216, n. 1, p. 541-545, 1999Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Ramos, L. E., Tabata, A., Castineira, J. L. P., & As, D. J. (1999). Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B, 216( 1), 541-545.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ramos LE, Tabata A, Castineira JLP, As DJ. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 541-545.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ramos LE, Tabata A, Castineira JLP, As DJ. Relaxation effects on the negatively charged Mg impurity in zincblende GaN. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 541-545.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys (1999)
Tabata, A.; Silveira, E.; Leite, J. R.; Trentin, R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lemos, V.; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A. et al. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B, v. 216, n. 1, p. 769-774, 1999Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Tabata, A., Silveira, E., Leite, J. R., Trentin, R., Scolfaro, L. M. R., Lemos, V., et al. (1999). Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B, 216( 1), 769-774.
NLM
Tabata A, Silveira E, Leite JR, Trentin R, Scolfaro LMR, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 769-774.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Tabata A, Silveira E, Leite JR, Trentin R, Scolfaro LMR, Lemos V, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman scattering study of zincblende 'In IND. X''Ga IND. 1-X' N alloys. Physica Status Solidi B. 1999 ; 216( 1): 769-774.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors (1998)
Beliaev, D; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELIAEV, D et al. Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B, v. 210, n. 2, p. 777-781, 1998Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Beliaev, D., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (1998). Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B, 210( 2), 777-781.
NLM
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 777-781.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Beliaev D, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Exchange-correlation effects on a multicomponent isotropic hole gas in semiconductors. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 777-781.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities (1998)
Enderlein, R; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ENDERLEIN, R et al. Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B, v. 206, n. 2p. 623-633, 1998Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Enderlein, R., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1998). Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B, 206( 2p. 623-633).
NLM
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B. 1998 ; 206( 2p. 623-633):[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Enderlein R, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Parameters of the Kane model from effective masses: ambiguities and instabilities. Physica Status Solidi B. 1998 ; 206( 2p. 623-633):[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride (1998)
Castineira, J L P; Leite, J. R.; Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Scolfaro, L M R; Alves, J L A; Alves, H W L
Source: Physica Status Solidi B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B, v. 210, n. 2, p. 401-405, 1998Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Silva, J. L. F. da, Scolfaro, L. M. R., Alves, J. L. A., & Alves, H. W. L. (1998). Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B, 210( 2), 401-405.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Silva JLF da, Scolfaro LMR, Alves JLA, Alves HWL. Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 401-405.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Silva JLF da, Scolfaro LMR, Alves JLA, Alves HWL. Electronic structure and stability of Be impurities in cubic boron nitride. Physica Status Solidi B. 1998 ; 210( 2): 401-405.[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento
Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride (1996)
Castineira, J L P; Leite, J. R.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Alves, J L A; Kajaj, K K
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CASTINEIRA, J L P et al. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Alves, J. L. A., & Kajaj, K. K. (1996). Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Kajaj KK. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais. 1996 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Castineira JLP, Leite JR, Scolfaro LMR, Enderlein R, Alves JLA, Kajaj KK. Nitrogen antisite defect in zincblende-type boron nitride. Anais. 1996 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento
Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes (1996)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Quivy, A. A.; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Pusep, Yuri A.; Silva, S W; Silva, M T O; Galzerani, J C
Source: Anais. Conference titles: Internatuonal Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Quivy, A. A., Lima, A. P., Leite, J. R., et al. (1996). Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Enderlein R, Quivy AA, Lima AP, Leite JR, Pusep YA, Silva SW, Silva MTO, Galzerani JC. Investigation of the vertical transport in 'GA''AS'-'DELTA'-doping sls by raman studies of coupled plasmon phonon modes. Anais. 1996 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento
Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c (1996)
Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.; Josiek, A; Schikora, D; Lischka, K
Source: Anais. Conference titles: International Conference on the Phisics of Semiconductors. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. 1996, Anais.. Singapore: World Scientific, 1996. . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., Leite, J. R., Josiek, A., Schikora, D., & Lischka, K. (1996). Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. In Anais. Singapore: World Scientific.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR, Josiek A, Schikora D, Lischka K. Total energy study of the epitaxialgrowth of cubic 'GA'n on 'SI'c. Anais. 1996 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields (1996)
Lino, A T; Takahashi, E K; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.
Source: International Journal Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, v. s30, p. 347, 1996Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Lino, A. T., Takahashi, E. K., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (1996). Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry, s30, 347.
NLM
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Lino AT, Takahashi EK, Scolfaro LMR, Leite JR. Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields. International Journal Quantum Chemistry. 1996 ;s30 347.[citado 2024 jul. 19 ]

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