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Artigo de periodico
Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes (2023)
Almalki, Abdulaziz; Madani, Labed; Sengouga, Nouredine; Alhassan, Sultan; Alotaibi, Saud; Alhassni, Amra; Almunyif, Amjad; Chauhan, Jasbinder S.; Henini, Mohamed; Galeti, Helder Vinícius Avanço ; Gobato, Yara Galvão ; Godoy, Marcio Peron Franco de; Andrade, Marcelo Barbosa de ; Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Zhou, Hong; Wang, Boyan; Xiao, Ming; Qin, Yuan; Zhang, Yuhao
Fonte: Materials Today Electronics. Unidade: IFSC
Assuntos: GÁLIO, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
ALMALKI, Abdulaziz et al. Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes. Materials Today Electronics, v. 4, p. 100042-1-100042-12 + supplementary materials, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100042. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Almalki, A., Madani, L., Sengouga, N., Alhassan, S., Alotaibi, S., Alhassni, A., et al. (2023). Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes. Materials Today Electronics, 4, 100042-1-100042-12 + supplementary materials. doi:10.1016/j.mtelec.2023.100042
NLM
Almalki A, Madani L, Sengouga N, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Chauhan JS, Henini M, Galeti HVA, Gobato YG, Godoy MPF de, Andrade MB de, Souto SPA, Zhou H, Wang B, Xiao M, Qin Y, Zhang Y. Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes [Internet]. Materials Today Electronics. 2023 ; 4 100042-1-100042-12 + supplementary materials.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100042
Vancouver
Almalki A, Madani L, Sengouga N, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Chauhan JS, Henini M, Galeti HVA, Gobato YG, Godoy MPF de, Andrade MB de, Souto SPA, Zhou H, Wang B, Xiao M, Qin Y, Zhang Y. Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/𝛽-Ga2O3 heterojuncion diodes [Internet]. Materials Today Electronics. 2023 ; 4 100042-1-100042-12 + supplementary materials.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mtelec.2023.100042
Trabalho de evento-resumo
Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates (2021)
Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Souza, Daniele de; Alhassan, Sultan; Alotaibi, Saud; Alhassni, Amra; Almunyif, Amjad; Almalki, A.; Alhuwayz, M.; Kazakov, Igor; Klekovkin, Alexey V.; Zinov'ev, Sergey A.; Likhachev, Igor A.; Pashaev, Elkhan. M.; Gobato, Yara Galvao ; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Henini, Mohamed
Fonte: Anais. Nome do evento: Encontro de Outono. Unidade: FZEA
Assuntos: ESPECTROSCOPIA RAMAN, POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral et al. Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates. 2021, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 2021. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0630-1.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A., Souza, D. de, Alhassan, S., Alotaibi, S., Alhassni, A., Almunyif, A., et al. (2021). Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates. In Anais. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0630-1.pdf
NLM
Souto SPA, Souza D de, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Almalki A, Alhuwayz M, Kazakov I, Klekovkin AV, Zinov'ev SA, Likhachev IA, Pashaev EM, Gobato YG, Galeti HVA, Henini M. Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Anais. 2021 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0630-1.pdf
Vancouver
Souto SPA, Souza D de, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Almalki A, Alhuwayz M, Kazakov I, Klekovkin AV, Zinov'ev SA, Likhachev IA, Pashaev EM, Gobato YG, Galeti HVA, Henini M. Raman spectroscopy of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Anais. 2021 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2021/sys/resumos/R0630-1.pdf
Artigo de periodico
Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy (2021)
Alhassan, Sultan; Souza, Daniele de; Alhassni, Amra; Almunyif, Amjad; Alotaibi, Saud; Almalki, Abdulaziz; Alhuwayz, Maryam; Kazakov, Igor P.; Klekovkin, Alexey V.; Tsekhosh, Vladimir I.; Likhachev, Igor A.; Pashaev, Elkhan M.; Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Gobato, Yara Galvao ; Al Saqri, N.; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Al Mashary, Faisal; Albalawi, Hindi; Alwadai, Norah; Henini, Mohamed
Fonte: Journal of Alloys and Compounds. Unidade: FZEA
Assuntos: SEMICONDUTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
ALHASSAN, Sultan et al. Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy. Journal of Alloys and Compounds, v. 885, p. 1-11, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.161019. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Alhassan, S., Souza, D. de, Alhassni, A., Almunyif, A., Alotaibi, S., Almalki, A., et al. (2021). Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy. Journal of Alloys and Compounds, 885, 1-11. doi:10.1016/j.jallcom.2021.161019
NLM
Alhassan S, Souza D de, Alhassni A, Almunyif A, Alotaibi S, Almalki A, Alhuwayz M, Kazakov IP, Klekovkin AV, Tsekhosh VI, Likhachev IA, Pashaev EM, Souto SPA, Gobato YG, Al Saqri N, Galeti HVA, Al Mashary F, Albalawi H, Alwadai N, Henini M. Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2021 ; 885 1-11.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.161019
Vancouver
Alhassan S, Souza D de, Alhassni A, Almunyif A, Alotaibi S, Almalki A, Alhuwayz M, Kazakov IP, Klekovkin AV, Tsekhosh VI, Likhachev IA, Pashaev EM, Souto SPA, Gobato YG, Al Saqri N, Galeti HVA, Al Mashary F, Albalawi H, Alwadai N, Henini M. Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1−xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2021 ; 885 1-11.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.161019
Artigo de periodico
Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates (2021)
Souza, Daniele de; Alhassan, Sultan; Alotaibi, Saud; Alhassni, Amra; Almunyif, Amjad; Albalawi, Hindi; Kazakov, Igor P.; Klekovkin, Alexey V.; ZinovEv, Sergey A; Likhachev, Igor A.; Pashaev, Elkhan M.; Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Gobato, Yara Galvao ; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Henini, Mohamed
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: FZEA
Assuntos: SEMICONDUTORES, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SOUZA, Daniele de et al. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 36, n. 7, p. 1-12, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/abf3d1. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souza, D. de, Alhassan, S., Alotaibi, S., Alhassni, A., Almunyif, A., Albalawi, H., et al. (2021). Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, 36( 7), 1-12. doi:10.1088/1361-6641/abf3d1
NLM
Souza D de, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Albalawi H, Kazakov IP, Klekovkin AV, ZinovEv SA, Likhachev IA, Pashaev EM, Souto SPA, Gobato YG, Galeti HVA, Henini M. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2021 ; 36( 7): 1-12.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/abf3d1
Vancouver
Souza D de, Alhassan S, Alotaibi S, Alhassni A, Almunyif A, Albalawi H, Kazakov IP, Klekovkin AV, ZinovEv SA, Likhachev IA, Pashaev EM, Souto SPA, Gobato YG, Galeti HVA, Henini M. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1−x)Bix thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2021 ; 36( 7): 1-12.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/abf3d1
Trabalho de evento-resumo
Estudo de impedância bioelétrica em frutos congelados (2020)
Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Leite, Wellington Wesley da Silva
Fonte: Anais CoBICET : um mundo em constante transformação. Nome do evento: Congresso Brasileiro Interdisciplinar em Ciência e Tecnologia. Unidade: FZEA
Assuntos: IMPEDÂNCIA ELÉTRICA, CONSERVAÇÃO DE ALIMENTOS PELO FRIO, MEMBRANA CELULAR VEGETAL
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ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral e LEITE, Wellington Wesley da Silva. Estudo de impedância bioelétrica em frutos congelados. 2020, Anais.. Diamantina, MG: Even3, 2020. Disponível em: https://even3.blob.core.windows.net/anais/265675.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A., & Leite, W. W. da S. (2020). Estudo de impedância bioelétrica em frutos congelados. In Anais CoBICET : um mundo em constante transformação. Diamantina, MG: Even3. Recuperado de https://even3.blob.core.windows.net/anais/265675.pdf
NLM
Souto SPA, Leite WW da S. Estudo de impedância bioelétrica em frutos congelados [Internet]. Anais CoBICET : um mundo em constante transformação. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://even3.blob.core.windows.net/anais/265675.pdf
Vancouver
Souto SPA, Leite WW da S. Estudo de impedância bioelétrica em frutos congelados [Internet]. Anais CoBICET : um mundo em constante transformação. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://even3.blob.core.windows.net/anais/265675.pdf
Trabalho de evento-resumo
Influence of plasticizer on proton conduction in the casein films by A.C. conductivity and time domain NMR (2020)
Mattos, Ritamara Isis de; Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Tambelli, Caio Eduardo de Campos
Fonte: Anais. Nome do evento: Encontro de Outono. Unidade: FZEA
Assunto: POLÍMEROS (MATERIAIS)
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ABNT
MATTOS, Ritamara Isis de e SOUTO, Sérgio Paulo Amaral e TAMBELLI, Caio Eduardo de Campos. Influence of plasticizer on proton conduction in the casein films by A.C. conductivity and time domain NMR. 2020, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-2.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Mattos, R. I. de, Souto, S. P. A., & Tambelli, C. E. de C. (2020). Influence of plasticizer on proton conduction in the casein films by A.C. conductivity and time domain NMR. In Anais. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-2.pdf
NLM
Mattos RI de, Souto SPA, Tambelli CE de C. Influence of plasticizer on proton conduction in the casein films by A.C. conductivity and time domain NMR [Internet]. Anais. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-2.pdf
Vancouver
Mattos RI de, Souto SPA, Tambelli CE de C. Influence of plasticizer on proton conduction in the casein films by A.C. conductivity and time domain NMR [Internet]. Anais. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Bismuth-induced Raman modes in GaSb1-x Bi x alloys (2020)
Souto, Sérgio Paulo Amaral ; Hilska, Joonas; Gobato, Yara Galvao ; Souza, D.; Andrade, Marcelo Barbosa de ; Koivusalo, Eero; Puustinen, Janne; Guina, Mircea
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidades: FZEA, IFSC
Assunto: ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral et al. Bismuth-induced Raman modes in GaSb1-x Bi x alloys. 2020, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica - SBF, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-1.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A., Hilska, J., Gobato, Y. G., Souza, D., Andrade, M. B. de, Koivusalo, E., et al. (2020). Bismuth-induced Raman modes in GaSb1-x Bi x alloys. In Program. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica - SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-1.pdf
NLM
Souto SPA, Hilska J, Gobato YG, Souza D, Andrade MB de, Koivusalo E, Puustinen J, Guina M. Bismuth-induced Raman modes in GaSb1-x Bi x alloys [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-1.pdf
Vancouver
Souto SPA, Hilska J, Gobato YG, Souza D, Andrade MB de, Koivusalo E, Puustinen J, Guina M. Bismuth-induced Raman modes in GaSb1-x Bi x alloys [Internet]. Program. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0534-1.pdf
Material didatico
Apostila de apoio à disciplina de Matemática para Biociências (2020)
; Ferreira, Laura Barbosa; Gonçalves, Matheus Napolitano; Ribeiro, Marcelo Machado de Luca de Oliveira ; Souto, Sérgio Paulo Amaral
Unidade: FZEA
Assuntos: MATEMÁTICA, BIOCIÊNCIAS
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ABNT
, et al. Apostila de apoio à disciplina de Matemática para Biociências. . Pirassununga: FZEA/USP. . Acesso em: 09 ago. 2024. , 2020
APA
,, Ferreira, L. B., Gonçalves, M. N., Ribeiro, M. M. de L. de O., & Souto, S. P. A. (2020). Apostila de apoio à disciplina de Matemática para Biociências. Pirassununga: FZEA/USP.
NLM
, Ferreira LB, Gonçalves MN, Ribeiro MM de L de O, Souto SPA. Apostila de apoio à disciplina de Matemática para Biociências. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ]
Vancouver
, Ferreira LB, Gonçalves MN, Ribeiro MM de L de O, Souto SPA. Apostila de apoio à disciplina de Matemática para Biociências. 2020 ;[citado 2024 ago. 09 ]
Artigo de periodico
Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content (2020)
Souto, Sérgio Paulo Amaral; Gobato, Y. Galvão; Souza, D.; Andrade, Marcelo Barbosa de ; Koivusalo, E.; Puustinen, J.; Guina, M.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: FZEA, IFSC
Assuntos: ESPECTROSCOPIA RAMAN, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral et al. Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content. Applied Physics Letters, v. 116, n. 20, p. 202103-1-202103-5, 2020Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0008100. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A., Gobato, Y. G., Souza, D., Andrade, M. B. de, Koivusalo, E., Puustinen, J., & Guina, M. (2020). Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content. Applied Physics Letters, 116( 20), 202103-1-202103-5. doi:10.1063/5.0008100
NLM
Souto SPA, Gobato YG, Souza D, Andrade MB de, Koivusalo E, Puustinen J, Guina M. Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 20): 202103-1-202103-5.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0008100
Vancouver
Souto SPA, Gobato YG, Souza D, Andrade MB de, Koivusalo E, Puustinen J, Guina M. Raman spectroscopy of GaSb1-xBix alloys with high Bi content [Internet]. Applied Physics Letters. 2020 ; 116( 20): 202103-1-202103-5.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0008100
Trabalho de evento-resumo
Bioelectrical impedance and color of blueberry: a behaviour study during freezing (2019)
Miñano, Hubert Luzdemio Arteaga; Arce, Aldo Ivan Céspedes; Leite, Wellington Wesley da Silva; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Costa, Ernane José Xavier
Fonte: e-Book of Abstracts : “Challenging Food Engineering as a Driver Towards Sustainable Food Processing”. Nome do evento: Iberoamerican Congress of Food Engineering - CIBIA. Unidade: FZEA
Assuntos: ESPECTROSCOPIA, VISÃO COMPUTACIONAL, FRUTAS DE CLIMA TEMPERADO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIÑANO, Hubert Luzdemio Arteaga et al. Bioelectrical impedance and color of blueberry: a behaviour study during freezing. 2019, Anais.. Faro: University of Algarve, 2019. . Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Miñano, H. L. A., Arce, A. I. C., Leite, W. W. da S., Souto, S. P. A., & Costa, E. J. X. (2019). Bioelectrical impedance and color of blueberry: a behaviour study during freezing. In e-Book of Abstracts : “Challenging Food Engineering as a Driver Towards Sustainable Food Processing”. Faro: University of Algarve.
NLM
Miñano HLA, Arce AIC, Leite WW da S, Souto SPA, Costa EJX. Bioelectrical impedance and color of blueberry: a behaviour study during freezing. e-Book of Abstracts : “Challenging Food Engineering as a Driver Towards Sustainable Food Processing”. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ]
Vancouver
Miñano HLA, Arce AIC, Leite WW da S, Souto SPA, Costa EJX. Bioelectrical impedance and color of blueberry: a behaviour study during freezing. e-Book of Abstracts : “Challenging Food Engineering as a Driver Towards Sustainable Food Processing”. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ]
Trabalho de evento
Influência do teor de umidade na condução protônica de filmes de pectina por RMN e condutividade A.C (2019)
Boas, Kelli Cristina Vilas; Mattos, Ritamara Isis de; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Tambelli, Caio Eduardo de Campos
Fonte: Anais CBPol. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Polímeros. Unidade: FZEA
Assuntos: RESSONÂNCIA MAGNÉTICA NUCLEAR, CONDUTIVIDADE TÉRMICA, BIOPOLÍMEROS, HIDRATAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOAS, Kelli Cristina Vilas et al. Influência do teor de umidade na condução protônica de filmes de pectina por RMN e condutividade A.C. 2019, Anais.. São Carlos, SP: Associação Brasileira de Polímeros - ABPol, 2019. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xvcbpol/329_1572373730.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Boas, K. C. V., Mattos, R. I. de, Souto, S. P. A., & Tambelli, C. E. de C. (2019). Influência do teor de umidade na condução protônica de filmes de pectina por RMN e condutividade A.C. In Anais CBPol. São Carlos, SP: Associação Brasileira de Polímeros - ABPol. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xvcbpol/329_1572373730.pdf
NLM
Boas KCV, Mattos RI de, Souto SPA, Tambelli CE de C. Influência do teor de umidade na condução protônica de filmes de pectina por RMN e condutividade A.C [Internet]. Anais CBPol. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xvcbpol/329_1572373730.pdf
Vancouver
Boas KCV, Mattos RI de, Souto SPA, Tambelli CE de C. Influência do teor de umidade na condução protônica de filmes de pectina por RMN e condutividade A.C [Internet]. Anais CBPol. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xvcbpol/329_1572373730.pdf
Trabalho de evento
Influência do plastificante na condução protônica de filmes de agar por RMN e condutividade A.C (2019)
Mattos, Ritamara Isis de; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Tambelli, Caio Eduardo de Campos
Fonte: Anais CBPol. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Polímeros. Unidade: FZEA
Assuntos: RESSONÂNCIA MAGNÉTICA NUCLEAR, CONDUTIVIDADE TÉRMICA, BIOPOLÍMEROS, AGAR, POLISSACARÍDEOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATTOS, Ritamara Isis de e SOUTO, Sérgio Paulo Amaral e TAMBELLI, Caio Eduardo de Campos. Influência do plastificante na condução protônica de filmes de agar por RMN e condutividade A.C. 2019, Anais.. São Carlos, SP: Associação Brasileira de Polímeros - ABPol, 2019. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xvcbpol/328_1572373668.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Mattos, R. I. de, Souto, S. P. A., & Tambelli, C. E. de C. (2019). Influência do plastificante na condução protônica de filmes de agar por RMN e condutividade A.C. In Anais CBPol. São Carlos, SP: Associação Brasileira de Polímeros - ABPol. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xvcbpol/328_1572373668.pdf
NLM
Mattos RI de, Souto SPA, Tambelli CE de C. Influência do plastificante na condução protônica de filmes de agar por RMN e condutividade A.C [Internet]. Anais CBPol. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xvcbpol/328_1572373668.pdf
Vancouver
Mattos RI de, Souto SPA, Tambelli CE de C. Influência do plastificante na condução protônica de filmes de agar por RMN e condutividade A.C [Internet]. Anais CBPol. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xvcbpol/328_1572373668.pdf
Trabalho de evento-resumo
Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST (2019)
Souto, Sérgio Paulo Amaral
Fonte: Anais. Nome do evento: Simpósio de Graduação da FZEA. Unidade: FZEA
Assuntos: VESTIBULAR, CONHECIMENTO, ENSINO E APRENDIZAGEM
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral. Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST. 2019, Anais.. Pirassununga: FZEA/USP, 2019. Disponível em: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A. (2019). Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST. In Anais. Pirassununga: FZEA/USP. Recuperado de http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
NLM
Souto SPA. Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST [Internet]. Anais. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
Vancouver
Souto SPA. Seletividade e caráter classificatório do vestibular FUVEST [Internet]. Anais. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
Trabalho de evento-resumo
Análise do índice de reprovação (2019)
Souto, Sérgio Paulo Amaral
Fonte: Anais. Nome do evento: Simpósio de Graduação da FZEA. Unidade: FZEA
Assuntos: FRACASSO ESCOLAR, CURRÍCULO DE ENSINO SUPERIOR, FÍSICA, MATEMÁTICA
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ABNT
SOUTO, Sérgio Paulo Amaral. Análise do índice de reprovação. 2019, Anais.. Pirassununga: FZEA/USP, 2019. Disponível em: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Souto, S. P. A. (2019). Análise do índice de reprovação. In Anais. Pirassununga: FZEA/USP. Recuperado de http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
NLM
Souto SPA. Análise do índice de reprovação [Internet]. Anais. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
Vancouver
Souto SPA. Análise do índice de reprovação [Internet]. Anais. 2019 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://www.fzea.usp.br/wp-content/uploads/2020/06/anais_II_simposio_graduacao_fzea_agosto_2019.pdf
Artigo de periodico
Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires (2019)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Hakkarainen, Teemu; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Talmila, Soile; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Lupo, Donald; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Nanotechnology. Unidade: FZEA
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33, p. 1-11, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Hakkarainen, T., Galeti, H. V. A., Rodrigues, A. de G., Talmila, S., et al. (2019). Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, 30( 33), 1-11. doi:10.1088/1361-6528/ab1a97
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Galeti HVA, Rodrigues A de G, Talmila S, Souto SPA, Lupo D, Gobato YG, Guina M. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires [Internet]. Nanotechnology. 2019 ; 30( 33): 1-11.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Hakkarainen T, Galeti HVA, Rodrigues A de G, Talmila S, Souto SPA, Lupo D, Gobato YG, Guina M. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires [Internet]. Nanotechnology. 2019 ; 30( 33): 1-11.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab1a97
Artigo de periodico
Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder (2019)
Carvalho, M. H; Piton, Marcelo Rizzo; Lemine, O. M; Bououdina, M; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Pereira, E. C.; Gobato, Yara Galvao; Oliveira, A J A
Fonte: Materials Research Express. Unidade: FZEA
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
CARVALHO, M. H et al. Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder. Materials Research Express, v. 6, n. 2, p. 1-13, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/2053-1591/aaec62. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Carvalho, M. H., Piton, M. R., Lemine, O. M., Bououdina, M., Galeti, H. V. A., Souto, S. P. A., et al. (2019). Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder. Materials Research Express, 6( 2), 1-13. doi:10.1088/2053-1591/aaec62
NLM
Carvalho MH, Piton MR, Lemine OM, Bououdina M, Galeti HVA, Souto SPA, Pereira EC, Gobato YG, Oliveira AJA. Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder [Internet]. Materials Research Express. 2019 ; 6( 2): 1-13.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1591/aaec62
Vancouver
Carvalho MH, Piton MR, Lemine OM, Bououdina M, Galeti HVA, Souto SPA, Pereira EC, Gobato YG, Oliveira AJA. Effects of strain, defects and crystal phase transition in mechanically milled nanocrystalline In2O3 powder [Internet]. Materials Research Express. 2019 ; 6( 2): 1-13.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/2053-1591/aaec62
Trabalho de evento-resumo
Influence of moisture in the proton conduction of Agar films studied by A.C. conductivity and time domain NMR (2018)
Callera, Bruna Pavan; Mattos, Ritamara Isis de; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Tambelli, Caio Eduardo de Campos
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidade: FZEA
Assunto: BIOPOLÍMEROS
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ABNT
CALLERA, Bruna Pavan et al. Influence of moisture in the proton conduction of Agar films studied by A.C. conductivity and time domain NMR. 2018, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2018. Disponível em: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/85_1523477155.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Callera, B. P., Mattos, R. I. de, Souto, S. P. A., & Tambelli, C. E. de C. (2018). Influence of moisture in the proton conduction of Agar films studied by A.C. conductivity and time domain NMR. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/85_1523477155.pdf
NLM
Callera BP, Mattos RI de, Souto SPA, Tambelli CE de C. Influence of moisture in the proton conduction of Agar films studied by A.C. conductivity and time domain NMR [Internet]. Proceedings. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/85_1523477155.pdf
Vancouver
Callera BP, Mattos RI de, Souto SPA, Tambelli CE de C. Influence of moisture in the proton conduction of Agar films studied by A.C. conductivity and time domain NMR [Internet]. Proceedings. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/85_1523477155.pdf
Artigo de periodico
Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates (2018)
Prando, G. A.; Gordo, Vanessa Orsi; Puustinen, J.; Hilska, J.; Alghamdi, H. M.; Som, G; Gunes, M; Akyol, M; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Henini, M; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Semiconductor Science and Technology. Unidade: FZEA
Assuntos: FOTOLUMINESCÊNCIA, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, SEMICONDUTORES
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ABNT
PRANDO, G. A. et al. Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 8, p. 1-7, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad02e. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Prando, G. A., Gordo, V. O., Puustinen, J., Hilska, J., Alghamdi, H. M., Som, G., et al. (2018). Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, 33( 8), 1-7. doi:10.1088/1361-6641/aad02e
NLM
Prando GA, Gordo VO, Puustinen J, Hilska J, Alghamdi HM, Som G, Gunes M, Akyol M, Souto SPA, Rodrigues A de G, Galeti HVA, Henini M, Gobato YG, Guina M. Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 8): 1-7.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad02e
Vancouver
Prando GA, Gordo VO, Puustinen J, Hilska J, Alghamdi HM, Som G, Gunes M, Akyol M, Souto SPA, Rodrigues A de G, Galeti HVA, Henini M, Gobato YG, Guina M. Exciton localization and structural disorder of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 8): 1-7.[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aad02e
Trabalho de evento-resumo
Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties (2018)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Suomalainen, Soile; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Lupo, Donald; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Pizani, Paulo Sérgio; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Proceedings. Nome do evento: Brazilian MRS Meeting. Unidade: FZEA
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties. 2018, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2018. Disponível em: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Suomalainen, S., Souto, S. P. A., Galeti, H. V. A., Lupo, D., et al. (2018). Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties. In Proceedings. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Pizani PS, Gobato YG, Guina M. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties [Internet]. Proceedings. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Pizani PS, Gobato YG, Guina M. Be doped GaAs nanowires grown by self-catalyzed molecular beam epitaxy: structural, optical and electrical properties [Internet]. Proceedings. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: https://new.eventweb.com.br/specific-files/manuscripts/xviisbpmat/1036_1524863860.pdf
Trabalho de evento-resumo
Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy (2018)
Piton, Marcelo Rizzo; Koivusalo, Eero; Suomalainen, Soile; Hakkarainen, Teemu; Souto, Sérgio Paulo Amaral; Galeti, Helder Vinícius Avanço; Lupo, Donald; Rodrigues, Ariano de Giovanni; Gobato, Yara Galvao; Guina, Mircea
Fonte: Abstracts NSP. Nome do evento: International Workshop and School - Nanostructures for Photonics. Unidade: FZEA
Assuntos: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, NANOPARTÍCULAS, FOTÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PITON, Marcelo Rizzo et al. Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy. 2018, Anais.. Saint Petersburg: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo, 2018. Disponível em: http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf. Acesso em: 09 ago. 2024.
APA
Piton, M. R., Koivusalo, E., Suomalainen, S., Hakkarainen, T., Souto, S. P. A., Galeti, H. V. A., et al. (2018). Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy. In Abstracts NSP. Saint Petersburg: Faculdade de Zootecnia e Engenharia de Alimentos, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf
NLM
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Gobato YG, Guina M. Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Abstracts NSP. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf
Vancouver
Piton MR, Koivusalo E, Suomalainen S, Hakkarainen T, Souto SPA, Galeti HVA, Lupo D, Rodrigues A de G, Gobato YG, Guina M. Structural and transport properties of Be-doped self-catalysed GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Abstracts NSP. 2018 ;[citado 2024 ago. 09 ] Available from: http://nsp2018.ifmo.ru/upload/files/4a6750171b9a6dc588b28f49577ad286.pdf

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