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Trabalho de evento-anais periodico
COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaN-based transistor 10 KeV X-ray Analysis (2022)
Bôas, A C V; Alberton, Saulo Gabriel Pereira Nascimento ; Melo, M A A de; Santos, R B B; Giacomini, R C; Medina, Nilberto Heder ; Seixas, L E; Finco, S; Palomo, F R; Guazzelli, M. A
Fonte: Journal of Physics: Conference Series. Nome do evento: Brazilian Workshop on Nuclear Physics. Unidade: IF
Assunto: PARTÍCULAS (FÍSICA NUCLEAR)
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ABNT
BÔAS, A C V et al. COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaN-based transistor 10 KeV X-ray Analysis. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. Disponível em: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012045. Acesso em: 14 out. 2025. , 2022
APA
Bôas, A. C. V., Alberton, S. G. P. N., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R. C., Medina, N. H., et al. (2022). COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaN-based transistor 10 KeV X-ray Analysis. Journal of Physics: Conference Series. Bristol: IOP Publishing. doi:10.1088/1742-6596/2340/1/012045
NLM
Bôas ACV, Alberton SGPN, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Guazzelli MA. COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaN-based transistor 10 KeV X-ray Analysis [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012045
Vancouver
Bôas ACV, Alberton SGPN, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Guazzelli MA. COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaN-based transistor 10 KeV X-ray Analysis [Internet]. Journal of Physics: Conference Series. 2022 ; 2340[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1742-6596/2340/1/012045
Trabalho de evento
Radiation Hardness of GaN HEMTs to TID Effects: COTS for harsh environments (2022)
Vilas Bôas, Alexis C; Melo, M A A de; Santos, R B B; Giacomini, R; Medina, Nilberto Heder ; Seixas, L E; Finco, S; Palomo, F R; Romero-Maestre, A; Guazzelli, Marcilei A.
Nome do evento: European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS). Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, RADIAÇÃO IONIZANTE, ELETRÔNICA QUÂNTICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
VILAS BÔAS, Alexis C et al. Radiation Hardness of GaN HEMTs to TID Effects: COTS for harsh environments. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/RADECS47380.2019.9745697. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Vilas Bôas, A. C., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R., Medina, N. H., Seixas, L. E., et al. (2022). Radiation Hardness of GaN HEMTs to TID Effects: COTS for harsh environments. In . New York: IEEE. doi:10.1109/RADECS47380.2019.9745697
NLM
Vilas Bôas AC, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Romero-Maestre A, Guazzelli MA. Radiation Hardness of GaN HEMTs to TID Effects: COTS for harsh environments [Internet]. 2022 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/RADECS47380.2019.9745697
Vancouver
Vilas Bôas AC, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Medina NH, Seixas LE, Finco S, Palomo FR, Romero-Maestre A, Guazzelli MA. Radiation Hardness of GaN HEMTs to TID Effects: COTS for harsh environments [Internet]. 2022 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/RADECS47380.2019.9745697
Trabalho de evento
Assessment of Ionizing Radiation Hardness of a GaN Field-Effect Transistor (2020)
Bôas, Alexis Cristiano Vilas; Melo, M A A de; Santos, R B B; Giacomini, R C; Medina, Nilberto Heder ; Seixas, L E; Palomo, F R; Guazzelli, Marcilei Aparecida
Nome do evento: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Assunto: RADIAÇÃO IONIZANTE
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ABNT
BÔAS, Alexis Cristiano Vilas et al. Assessment of Ionizing Radiation Hardness of a GaN Field-Effect Transistor. 2020, Anais.. Piscataway, Nova Jersey, USA: Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919340. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Bôas, A. C. V., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R. C., Medina, N. H., Seixas, L. E., et al. (2020). Assessment of Ionizing Radiation Hardness of a GaN Field-Effect Transistor. In . Piscataway, Nova Jersey, USA: Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919340
NLM
Bôas ACV, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Medina NH, Seixas LE, Palomo FR, Guazzelli MA. Assessment of Ionizing Radiation Hardness of a GaN Field-Effect Transistor [Internet]. 2020 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919340
Vancouver
Bôas ACV, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Medina NH, Seixas LE, Palomo FR, Guazzelli MA. Assessment of Ionizing Radiation Hardness of a GaN Field-Effect Transistor [Internet]. 2020 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919340
Trabalho de evento
New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects (2019)
Guazzelli, Marcilei A ; Bôas, Alexis Cristiano Vilas; Melo, M A A de; Santos, R B B; Giacomini, R C; Seixas, L E; Medina, Nilberto Heder
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil. Unidade: IF
Assunto: TRANSISTORES
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ABNT
GUAZZELLI, Marcilei A et al. New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2019. . Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Guazzelli, M. A., Bôas, A. C. V., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R. C., Seixas, L. E., & Medina, N. H. (2019). New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. In Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Guazzelli MA, Bôas ACV, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Seixas LE, Medina NH. New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. Abstracts. 2019 ;[citado 2025 out. 14 ]
Vancouver
Guazzelli MA, Bôas ACV, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Seixas LE, Medina NH. New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. Abstracts. 2019 ;[citado 2025 out. 14 ]
Trabalho de evento-resumo
Passivation layer and charge collection depth in electronic devices (2018)
Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Medina, Nilberto Heder; Added, Nemitala ; Macchione, Eduardo Luiz Augusto ; Leite, Alisson Rodolfo; Silva, Tiago Fiorini da; Rodrigues, Cleber Lima; Escudeiro, Rafael; Allegro, Paula Rangel Pestana ; Santos, Hellen Cristine dos; Alberton, Saulo Gabriel Pereira Nascimento; Scarduelli, Valdir Brunetti; Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da; Melo, M A A de; Santos, R B B; Giacomini, Renato; Oliveira, J A; Leite, F G H
Fonte: Abstracts. Nome do evento: Brazilian Meeting on Nuclear Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, ÍONS PESADOS
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ABNT
AGUIAR, Vitor Ângelo Paulino de et al. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/sys/resumos/R0013-1.pdf. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Aguiar, V. Â. P. de, Medina, N. H., Added, N., Macchione, E. L. A., Leite, A. R., Silva, T. F. da, et al. (2018). Passivation layer and charge collection depth in electronic devices. In Abstracts. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/sys/resumos/R0013-1.pdf
NLM
Aguiar VÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Leite AR, Silva TF da, Rodrigues CL, Escudeiro R, Allegro PRP, Santos HC dos, Alberton SGPN, Scarduelli VB, Silveira MAG da, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Oliveira JA, Leite FGH. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices [Internet]. Abstracts. 2018 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/sys/resumos/R0013-1.pdf
Vancouver
Aguiar VÂP de, Medina NH, Added N, Macchione ELA, Leite AR, Silva TF da, Rodrigues CL, Escudeiro R, Allegro PRP, Santos HC dos, Alberton SGPN, Scarduelli VB, Silveira MAG da, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini R, Oliveira JA, Leite FGH. Passivation layer and charge collection depth in electronic devices [Internet]. Abstracts. 2018 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/rtfnb/xli/sys/resumos/R0013-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Preliminary TID and SEU effects on an ARM COTS processor (2016)
Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da; Leite, F G H; Santos, R B B; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de ; Added, Nemitala ; Aguirre, Fernando Rodrigues; Macchione, Eduardo Luiz Augusto ; Giacomini, R C; Vargas, Fabian; Medina, Nilberto Heder
Fonte: Oral Session - Resumo. Nome do evento: Encontro de Física. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA NUCLEAR, RADIAÇÃO IONIZANTE
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ABNT
SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Preliminary TID and SEU effects on an ARM COTS processor. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0413-1.pdf. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Silveira, M. A. G. da, Leite, F. G. H., Santos, R. B. B., Aguiar, V. Â. P. de, Added, N., Aguirre, F. R., et al. (2016). Preliminary TID and SEU effects on an ARM COTS processor. In Oral Session - Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0413-1.pdf
NLM
Silveira MAG da, Leite FGH, Santos RBB, Aguiar VÂP de, Added N, Aguirre FR, Macchione ELA, Giacomini RC, Vargas F, Medina NH. Preliminary TID and SEU effects on an ARM COTS processor [Internet]. Oral Session - Resumo. 2016 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0413-1.pdf
Vancouver
Silveira MAG da, Leite FGH, Santos RBB, Aguiar VÂP de, Added N, Aguirre FR, Macchione ELA, Giacomini RC, Vargas F, Medina NH. Preliminary TID and SEU effects on an ARM COTS processor [Internet]. Oral Session - Resumo. 2016 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R0413-1.pdf
Artigo de periodico
Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams (2012)
Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da ; Cirne, Karin Huscher; Santos, R B B; Gimenez, S P; Seixas, L E; Melo, W; Lima, J A de; Barbosa, Marcel Dupret Lopes ; Medina, Nilberto Heder ; Added, Nemitala ; Tabacniks, Manfredo Harri
Fonte: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. Unidade: IF
Assuntos: RAIOS X, RADIAÇÃO IONIZANTE
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ABNT
SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 273, p. 135-138, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.058. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Silveira, M. A. G. da, Cirne, K. H., Santos, R. B. B., Gimenez, S. P., Seixas, L. E., Melo, W., et al. (2012). Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 273, 135-138. doi:10.1016/j.nimb.2011.07.058
NLM
Silveira MAG da, Cirne KH, Santos RBB, Gimenez SP, Seixas LE, Melo W, Lima JA de, Barbosa MDL, Medina NH, Added N, Tabacniks MH. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams [Internet]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2012 ;273 135-138.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.058
Vancouver
Silveira MAG da, Cirne KH, Santos RBB, Gimenez SP, Seixas LE, Melo W, Lima JA de, Barbosa MDL, Medina NH, Added N, Tabacniks MH. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams [Internet]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2012 ;273 135-138.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.058
Artigo de periodico
Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular-gate MOSFETs (2012)
Cirne, Karin Huscher; Silveira, M A G; Santos, R B B; Gimenez, S P; Seixas jr, L E; Melo, W R de; Lima, J A de; Barbosa, M D L; Medina, N. H.; Added, Nemitala ; Tabacniks, Manfredo Harri
Fonte: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. Unidade: IF
Assuntos: RADIAÇÃO IONIZANTE, SEMICONDUTORES
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ABNT
CIRNE, Karin Huscher et al. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular-gate MOSFETs. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 273, p. 80-82, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.044. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Cirne, K. H., Silveira, M. A. G., Santos, R. B. B., Gimenez, S. P., Seixas jr, L. E., Melo, W. R. de, et al. (2012). Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular-gate MOSFETs. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 273, 80-82. doi:10.1016/j.nimb.2011.07.044
NLM
Cirne KH, Silveira MAG, Santos RBB, Gimenez SP, Seixas jr LE, Melo WR de, Lima JA de, Barbosa MDL, Medina NH, Added N, Tabacniks MH. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular-gate MOSFETs [Internet]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2012 ;273 80-82.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.044
Vancouver
Cirne KH, Silveira MAG, Santos RBB, Gimenez SP, Seixas jr LE, Melo WR de, Lima JA de, Barbosa MDL, Medina NH, Added N, Tabacniks MH. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular-gate MOSFETs [Internet]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2012 ;273 80-82.[citado 2025 out. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.nimb.2011.07.044
Trabalho de evento-resumo
Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. (2011)
Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da ; Cirne, Karin Huscher; Seixas Jr, L E; Lima, J A de; Barbosa, M D L; Tabacniks, Manfredo Harri ; Added, Nemitala ; Medina, N H; Gimenez, S P; Melo, W; Santos, R B B
Fonte: Resumo. Nome do evento: International Conference on Ion Beam Analysis. Unidade: IF
Assunto: RAIOS X
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ABNT
SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. 2011, Anais.. Itapema: IBA, 2011. Disponível em: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Silveira, M. A. G. da, Cirne, K. H., Seixas Jr, L. E., Lima, J. A. de, Barbosa, M. D. L., Tabacniks, M. H., et al. (2011). Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. In Resumo. Itapema: IBA. Recuperado de http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
NLM
Silveira MAG da, Cirne KH, Seixas Jr LE, Lima JA de, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W, Santos RBB. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
Vancouver
Silveira MAG da, Cirne KH, Seixas Jr LE, Lima JA de, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W, Santos RBB. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
Trabalho de evento-resumo
Effects of total dose of ionizing radiation on integrated circuits (2011)
Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da ; Added, Nemitala ; Barbosa, M D L; Medina, N H; Tabacniks, Manfredo Harri ; Cirne, Karin Huscher; Gimenez, S; Santos, R B B; Lima, J A de; Seixas Junior, L E; Melo, W
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro de Física. Unidade: IF
Assunto: RADIAÇÃO IONIZANTE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Effects of total dose of ionizing radiation on integrated circuits. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0340-1.pdf. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Silveira, M. A. G. da, Added, N., Barbosa, M. D. L., Medina, N. H., Tabacniks, M. H., Cirne, K. H., et al. (2011). Effects of total dose of ionizing radiation on integrated circuits. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0340-1.pdf
NLM
Silveira MAG da, Added N, Barbosa MDL, Medina NH, Tabacniks MH, Cirne KH, Gimenez S, Santos RBB, Lima JA de, Seixas Junior LE, Melo W. Effects of total dose of ionizing radiation on integrated circuits [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0340-1.pdf
Vancouver
Silveira MAG da, Added N, Barbosa MDL, Medina NH, Tabacniks MH, Cirne KH, Gimenez S, Santos RBB, Lima JA de, Seixas Junior LE, Melo W. Effects of total dose of ionizing radiation on integrated circuits [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0340-1.pdf
Artigo de periodico
Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects (2001)
Kim, J I; Santos, R B B; Nussenzveig, Paulo Alberto
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KIM, J I e SANTOS, R B B e NUSSENZVEIG, Paulo Alberto. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects. Physical Review Letters, v. 86, n. 8, p. 1474-1477, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000086000008001474000001&idtype=cvips. Acesso em: 14 out. 2025.
APA
Kim, J. I., Santos, R. B. B., & Nussenzveig, P. A. (2001). Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects. Physical Review Letters, 86( 8), 1474-1477. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000086000008001474000001&idtype=cvips
NLM
Kim JI, Santos RBB, Nussenzveig PA. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 86( 8): 1474-1477.[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000086000008001474000001&idtype=cvips
Vancouver
Kim JI, Santos RBB, Nussenzveig PA. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects [Internet]. Physical Review Letters. 2001 ; 86( 8): 1474-1477.[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000086000008001474000001&idtype=cvips
Relatorio tecnico
Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects (2000)
Kim, J I; Santos, R B B; Nussenzveig, Paulo Alberto
Unidade: IF
Assunto: FÍSICA MATEMÁTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KIM, J I e SANTOS, R B B e NUSSENZVEIG, Paulo Alberto. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://ttt.lanl.gov/PS_cache/quant-ph/pdf/0008/0008001.pdf. Acesso em: 14 out. 2025. , 2000
APA
Kim, J. I., Santos, R. B. B., & Nussenzveig, P. A. (2000). Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://ttt.lanl.gov/PS_cache/quant-ph/pdf/0008/0008001.pdf
NLM
Kim JI, Santos RBB, Nussenzveig PA. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects [Internet]. 2000 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://ttt.lanl.gov/PS_cache/quant-ph/pdf/0008/0008001.pdf
Vancouver
Kim JI, Santos RBB, Nussenzveig PA. Manipulation of cold atomic collisions by cavity QED effects [Internet]. 2000 ;[citado 2025 out. 14 ] Available from: http://ttt.lanl.gov/PS_cache/quant-ph/pdf/0008/0008001.pdf

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