New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects

New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects (2019)

Authors:
Autor USP: MEDINA, NILBERTO HEDER - IF
Unidade: IF
Assunto: TRANSISTORES
Agências de fomento:
- Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
- Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
Language: Inglês
Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Física
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 2019
Source:
- Título: Abstracts
Conference titles: Reunião de Trabalho sobre Física Nuclear no Brasil

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ABNT

GUAZZELLI, Marcilei A et al. New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2019. . Acesso em: 02 mar. 2026.
APA

Guazzelli, M. A., Bôas, A. C. V., Melo, M. A. A. de, Santos, R. B. B., Giacomini, R. C., Seixas, L. E., & Medina, N. H. (2019). New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. In Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM

Guazzelli MA, Bôas ACV, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Seixas LE, Medina NH. New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. Abstracts. 2019 ;[citado 2026 mar. 02 ]
Vancouver

Guazzelli MA, Bôas ACV, Melo MAA de, Santos RBB, Giacomini RC, Seixas LE, Medina NH. New generation of High Electron Mobility Transistors (HEMT) tolerant to radiation effects. Abstracts. 2019 ;[citado 2026 mar. 02 ]