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Trabalho de evento-resumo
Semicondutores semimagnéticos de compostos IV-VI: crescimento e caracterização (2000)
Ueta, A Y; Rappl, P H O; Abramof, E; Motisuke, P; Boschetti, C; Closs, H; Bandeira, I N; Haar, Ewout ter ; Bindilatti, Valdir ; Oliveira Junior, Nei Fernandes de; Chitta, Valmir Antonio
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
UETA, A Y et al. Semicondutores semimagnéticos de compostos IV-VI: crescimento e caracterização. 2000, Anais.. São Paulo: SBF, 2000. . Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Ueta, A. Y., Rappl, P. H. O., Abramof, E., Motisuke, P., Boschetti, C., Closs, H., et al. (2000). Semicondutores semimagnéticos de compostos IV-VI: crescimento e caracterização. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ueta AY, Rappl PHO, Abramof E, Motisuke P, Boschetti C, Closs H, Bandeira IN, Haar E ter, Bindilatti V, Oliveira Junior NF de, Chitta VA. Semicondutores semimagnéticos de compostos IV-VI: crescimento e caracterização. Resumos. 2000 ;[citado 2026 maio 02 ]
Vancouver
Ueta AY, Rappl PHO, Abramof E, Motisuke P, Boschetti C, Closs H, Bandeira IN, Haar E ter, Bindilatti V, Oliveira Junior NF de, Chitta VA. Semicondutores semimagnéticos de compostos IV-VI: crescimento e caracterização. Resumos. 2000 ;[citado 2026 maio 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping (1992)
Alves, R R; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ALVES, R R et al. Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fb1f05e9-63b5-4091-944a-63be3151f2ea/PROD002058_828502.pdf. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Alves, R. R., Iikawa, F., Motisuke, P., & Basmaji, P. (1992). Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/fb1f05e9-63b5-4091-944a-63be3151f2ea/PROD002058_828502.pdf
NLM
Alves RR, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping [Internet]. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fb1f05e9-63b5-4091-944a-63be3151f2ea/PROD002058_828502.pdf
Vancouver
Alves RR, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Espectroscopia de tunelamento em sistemas delta-doping [Internet]. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fb1f05e9-63b5-4091-944a-63be3151f2ea/PROD002058_828502.pdf
Artigo de periodico
Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy (1991)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BERNUSSI, A A et al. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 108, p. 615-20, 1991Tradução . . Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., & Basmaji, P. (1991). Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, 108, 615-20.
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1991 ;108 615-20.[citado 2026 maio 02 ]
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P. Properties of 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' with an 'AL''AS' buffer layer on 'SI' substrates grown by metalorganic vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth. 1991 ;108 615-20.[citado 2026 maio 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping (1991)
Novellino, R A; Motisuke, P; Bernussi, A A; Basmaji, Pierre
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
NOVELLINO, R A et al. Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping. 1991, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1991. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9d8974b6-9ac1-4a34-851c-ce41ca5a8ff2/PROD001860_813528.pdf. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Novellino, R. A., Motisuke, P., Bernussi, A. A., & Basmaji, P. (1991). Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/9d8974b6-9ac1-4a34-851c-ce41ca5a8ff2/PROD001860_813528.pdf
NLM
Novellino RA, Motisuke P, Bernussi AA, Basmaji P. Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping [Internet]. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9d8974b6-9ac1-4a34-851c-ce41ca5a8ff2/PROD001860_813528.pdf
Vancouver
Novellino RA, Motisuke P, Bernussi AA, Basmaji P. Medidas de fotoreflectancia em 'DELTA'-doping [Internet]. Programa e Resumos. 1991 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/9d8974b6-9ac1-4a34-851c-ce41ca5a8ff2/PROD001860_813528.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy (1991)
Lima, W; Notari, A C; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Motisuke, P
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: Interdisciplinary Laser Science Conference. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LIMA, W et al. Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5e65c7b-4c8c-417e-a80f-2a146e0719f3/PROD000453_820206.pdf. Acesso em: 02 maio 2026. , 1991
APA
Lima, W., Notari, A. C., Basmaji, P., Siu Li, M., Hipólito, O., & Motisuke, P. (1991). Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5e65c7b-4c8c-417e-a80f-2a146e0719f3/PROD000453_820206.pdf
NLM
Lima W, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Motisuke P. Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1991 ;36( 7 ): 2000.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5e65c7b-4c8c-417e-a80f-2a146e0719f3/PROD000453_820206.pdf
Vancouver
Lima W, Notari AC, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O, Motisuke P. Preparation and characterization of 'IN IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' samples grown by molecular beam epitaxy [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1991 ;36( 7 ): 2000.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b5e65c7b-4c8c-417e-a80f-2a146e0719f3/PROD000453_820206.pdf
Artigo de periodico
Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures, v. 8 , n. 2 , p. 205-8, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0749-6036(90)90093-M. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers. Superlattices and Microstructures, 8 ( 2 ), 205-8. doi:10.1016/0749-6036(90)90093-M
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1990 ;8 ( 2 ): 205-8.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(90)90093-M
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Continuous to bound interband transitions in 'DELTA' - doped 'GA''AS' layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1990 ;8 ( 2 ): 205-8.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0749-6036(90)90093-M
Artigo de periodico
Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy (1990)
Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, v. 67, n. 9 , p. 4149-51, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.358788. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Bernussi, A. A., Iikawa, F., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics, 67( 9 ), 4149-51. doi:10.1063/1.358788
NLM
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.358788
Vancouver
Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance measurements on 'SI' 'DELTA'-doped 'GA''AS' samples grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Journal of Applied Physics. 1990 ;67( 9 ): 4149-51.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.358788
Artigo de periodico
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1990)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Surface Science. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, v. 228, p. 356-8, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0039-6028(90)90327-5. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1990). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Surface Science, 228, 356-8. doi:10.1016/0039-6028(90)90327-5
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' [Internet]. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(90)90327-5
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' [Internet]. Surface Science. 1990 ;228 356-8.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0039-6028(90)90327-5
Trabalho de evento-resumo periodico
Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' (1990)
Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Motisuke, P
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf. Acesso em: 02 maio 2026. , 1990
APA
Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., & Motisuke, P. (1990). Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS'. Bulletin of the American Physical Society. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
NLM
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Vancouver
Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Motisuke P. Photoreflectance spectra of periodically 'DELTA'-doped 'SI': 'GA''AS' [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 1990 ;35( 3 ): 346.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2caae918-1c1a-414b-9042-d60a4516df29/PROD000243_816630.pdf
Trabalho de evento-resumo
Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Basmaji, Pierre; Motisuke, P
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar. 1990, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Basmaji, P., & Motisuke, P. (1990). Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Basmaji P, Motisuke P. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Basmaji P, Motisuke P. Analise da estrutura de sub-bandas em camadas de 'GA''AS' com dopagem planar [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/901307de-8202-457f-819f-7843ba0d475b/PROD000113_816640.pdf
Artigo de periodico
Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples (1990)
Bernussi, A A; Brum, J A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Materials Science Forum. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, v. 65-6, p. 67-72, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Bernussi, A. A., Brum, J. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1990). Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples. Materials Science Forum, 65-6, 67-72. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
NLM
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Vancouver
Bernussi AA, Brum JA, Motisuke P, Basmaji P, Siu Li M, Hipólito O. Optical interband transitions in single and periodically delta-doped 'GA''AS' samples [Internet]. Materials Science Forum. 1990 ;65-6 67-72.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.65-66.67
Trabalho de evento-resumo
Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS' (1990)
Carvalho Lima, W L; Basmaji, Pierre; Brasil, M J S P; Motisuke, P
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CARVALHO LIMA, W L et al. Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS'. 1990, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/84b1b672-bf8d-4042-af6e-8513900993d5/PROD001262_817898.pdf. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Carvalho Lima, W. L., Basmaji, P., Brasil, M. J. S. P., & Motisuke, P. (1990). Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/84b1b672-bf8d-4042-af6e-8513900993d5/PROD001262_817898.pdf
NLM
Carvalho Lima WL, Basmaji P, Brasil MJSP, Motisuke P. Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS' [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/84b1b672-bf8d-4042-af6e-8513900993d5/PROD001262_817898.pdf
Vancouver
Carvalho Lima WL, Basmaji P, Brasil MJSP, Motisuke P. Estudo da influencia da temperatura de crescimento por mbe na cristalinidade das camadas de 'GA''AS' [Internet]. Programa e Resumos. 1990 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/84b1b672-bf8d-4042-af6e-8513900993d5/PROD001262_817898.pdf
Trabalho de evento
Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? (1990)
Bernussi, A A; Mendonca, C A C; Motisuke, P; Meneses, E A; Cerdeira, P; Pollak, F H; Basmaji, Pierre; Dias, I. F. L.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference of the Physics of Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? 1990, Anais.. Singapore: World Scientific, 1990. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Bernussi, A. A., Mendonca, C. A. C., Motisuke, P., Meneses, E. A., Cerdeira, P., Pollak, F. H., et al. (1990). Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? In Proceedings. Singapore: World Scientific. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf
NLM
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Mendonca CAC, Motisuke P, Meneses EA, Cerdeira P, Pollak FH, Basmaji P, Dias IFL. Photoreflectance of 2-d electron gas: observation of quantum franz-keldysh effect? [Internet]. Proceedings. 1990 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/be4ea6cc-b580-48d1-8302-3f29ca8aeafa/PROD001574_817896.pdf
Trabalho de evento
Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI' (1989)
Basmaji, Pierre; Ceschin, A M; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar; Bernussi, A A; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on Modulated Semiconductor Structures. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. 1989, Anais.. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo, 1989. . Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Basmaji, P., Ceschin, A. M., Siu Li, M., Hipólito, O., Bernussi, A. A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1989). Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. In Proceedings. Ann Arbor: , Universidade de São Paulo.
NLM
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2026 maio 02 ]
Vancouver
Basmaji P, Ceschin AM, Siu Li M, Hipólito O, Bernussi AA, Iikawa F, Motisuke P. Mbe growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'. Proceedings. 1989 ;[citado 2026 maio 02 ]
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' (1989)
Bernussi, A A; Motisuke, P; Basmaji, Pierre; Notari, A C; Siu Li, Máximo ; Hipólito, Oscar
Source: Program and Abstracts. Conference titles: Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology. Unidade: IFSC
Subjects: FOTÔNICA, ESPECTROSCOPIA
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ABNT
BERNUSSI, A A et al. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. 1989, Anais.. Brasília: Universidade de Brasilia, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Bernussi, A. A., Motisuke, P., Basmaji, P., Notari, A. C., Siu Li, M., & Hipólito, O. (1989). Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS'. In Program and Abstracts. Brasília: Universidade de Brasilia. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf
NLM
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' [Internet]. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf
Vancouver
Bernussi AA, Motisuke P, Basmaji P, Notari AC, Siu Li M, Hipólito O. Photoreflectance spectroscopy on periodically 'SI' delta-doped 'GA' 'AS' [Internet]. Program and Abstracts. 1989 ;[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/2b67e2ca-d6a0-4290-92d4-29e5ed853a58/PROD000354_799935.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp (1986)
Motisuke, P; Iikawa, F; Caldas, Marilia Junqueira ; Fazzio, Adalberto ; Pereira Neto, J R
Source: Mat Science Forum. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
MOTISUKE, P et al. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 02 maio 2026. , 1986
APA
Motisuke, P., Iikawa, F., Caldas, M. J., Fazzio, A., & Pereira Neto, J. R. (1986). On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Motisuke P, Iikawa F, Caldas MJ, Fazzio A, Pereira Neto JR. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.2): 687-92.[citado 2026 maio 02 ]
Vancouver
Motisuke P, Iikawa F, Caldas MJ, Fazzio A, Pereira Neto JR. On the evidence for the effect of local symmetry on the photoionization spectrum of 'FE POT.2+'ininp. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.2): 687-92.[citado 2026 maio 02 ]
Trabalho de evento
Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE' (1985)
Fazzio, Adalberto ; Iikawa, F; Motisuke, P
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
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ABNT
FAZZIO, Adalberto e IIKAWA, F e MOTISUKE, P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Fazzio, A., Iikawa, F., & Motisuke, P. (1985). Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2026 maio 02 ]
Vancouver
Fazzio A, Iikawa F, Motisuke P. Spectral distribution of photoionization cross section of 'FE POT.2+' in inp: 'FE'. Proceedings. 1985 ;[citado 2026 maio 02 ]

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