ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals (2008)
Flores, M Z S; Freire, V N; Santos, R P dos; Farias, G A; Caetano, E W S; Oliveira, M C F de; Fernandez, J R L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Bezerra, M J B; Oliveira, T M; Bezerra, G A; Cavada, B S; Alves, H W Leite
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FLORES, M Z S et al. Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals. Physical Review B, v. 77, n. 11 p. 115104/1-115104/7, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.115104. Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Flores, M. Z. S., Freire, V. N., Santos, R. P. dos, Farias, G. A., Caetano, E. W. S., Oliveira, M. C. F. de, et al. (2008). Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals. Physical Review B, 77( 11 p. 115104/1-115104/7). doi:10.1103/physrevb.77.115104
NLM
Flores MZS, Freire VN, Santos RP dos, Farias GA, Caetano EWS, Oliveira MCF de, Fernandez JRL, Scolfaro LMR, Bezerra MJB, Oliveira TM, Bezerra GA, Cavada BS, Alves HWL. Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 11 p. 115104/1-115104/7):[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.115104
Vancouver
Flores MZS, Freire VN, Santos RP dos, Farias GA, Caetano EWS, Oliveira MCF de, Fernandez JRL, Scolfaro LMR, Bezerra MJB, Oliveira TM, Bezerra GA, Cavada BS, Alves HWL. Optical absorption and electronic band structure first-principles calculations of 'alfa´-glycine crystals [Internet]. Physical Review B. 2008 ; 77( 11 p. 115104/1-115104/7):[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.77.115104
Trabalho de evento-resumo
Absorção ótica, XPS e cálculos de primeiros princípios em cristais de `alfa´-glicina (2007)
Flores, M Z S; Caetano, E W S; Freire, V N; Bezerra, G A; Oliveira, T M; Cavada, B S; Oliveira, M C F de; Fernandez, J R L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Alves, H W Leite; Schreiner, W H
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Materia Condensada. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FLORES, M Z S et al. Absorção ótica, XPS e cálculos de primeiros princípios em cristais de `alfa´-glicina. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0862-1.pdf. Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Flores, M. Z. S., Caetano, E. W. S., Freire, V. N., Bezerra, G. A., Oliveira, T. M., Cavada, B. S., et al. (2007). Absorção ótica, XPS e cálculos de primeiros princípios em cristais de `alfa´-glicina. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0862-1.pdf
NLM
Flores MZS, Caetano EWS, Freire VN, Bezerra GA, Oliveira TM, Cavada BS, Oliveira MCF de, Fernandez JRL, Scolfaro LMR, Alves HWL, Schreiner WH. Absorção ótica, XPS e cálculos de primeiros princípios em cristais de `alfa´-glicina [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0862-1.pdf
Vancouver
Flores MZS, Caetano EWS, Freire VN, Bezerra GA, Oliveira TM, Cavada BS, Oliveira MCF de, Fernandez JRL, Scolfaro LMR, Alves HWL, Schreiner WH. Absorção ótica, XPS e cálculos de primeiros princípios em cristais de `alfa´-glicina [Internet]. Resumo. 2007 ;[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0862-1.pdf
Artigo de periodico
Surface properties of CdS nanoparticles (2006)
Favero, Paulo Roberto; Souza-Parise, M de; Fernandez, J R L; Miotto, R; Ferraz, A. C.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, NANOPARTÍCULAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAVERO, Paulo Roberto et al. Surface properties of CdS nanoparticles. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3B, p. 1032-1034, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600062. Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Favero, P. R., Souza-Parise, M. de, Fernandez, J. R. L., Miotto, R., & Ferraz, A. C. (2006). Surface properties of CdS nanoparticles. Brazilian Journal of Physics, 36( 3B), 1032-1034. doi:10.1590/s0103-97332006000600062
NLM
Favero PR, Souza-Parise M de, Fernandez JRL, Miotto R, Ferraz AC. Surface properties of CdS nanoparticles [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 1032-1034.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600062
Vancouver
Favero PR, Souza-Parise M de, Fernandez JRL, Miotto R, Ferraz AC. Surface properties of CdS nanoparticles [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3B): 1032-1034.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000600062
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Programa e Livro de Resumos. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2003). Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Artigo de periodico
Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Brasil, M J S P; Soares, J A N; Santos, A M; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Köhler, U; Potthast, S; Pacheco Salazar, D G
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204. Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Brasil, M. J. S. P., Soares, J. A. N., Santos, A. M., et al. (2003). Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.68.155204
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JAN, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco Salazar DG. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN [Internet]. Physical Review B. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JAN, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco Salazar DG. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN [Internet]. Physical Review B. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Brasil, M J S P; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Brasil, M. J. S. P., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Resumos. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Resumos. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN (2003)
Soares, J A N T; Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Brasil, M J S P; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Potthast, S; Pacheco-Salazar, D G
Fonte: Paper SC-MoM7. Nome do evento: AVS 50th International Symposium. Unidade: IF
Assuntos: VÁCUO, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES, J A N T et al. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. 2003, Anais.. New York: AIP, 2003. . Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Brasil, M. J. S. P., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. In Paper SC-MoM7. New York: AIP.
NLM
Soares JANT, Fernandez JRL, Cerdeira F, Brasil MJSP, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco-Salazar DG. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Paper SC-MoM7. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Vancouver
Soares JANT, Fernandez JRL, Cerdeira F, Brasil MJSP, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco-Salazar DG. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Paper SC-MoM7. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Trabalho de evento-resumo
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Tabata, A; Rodrigues, S C P; Cerdeira, F; Meneses, E A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Lischka, K
Fonte: Book of Abstract. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Tabata, A., Rodrigues, S. C. P., Cerdeira, F., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF
Assuntos: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Trabalho de evento-resumo
Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização (2003)
Pinheiro, J Reinildes; Flores, M Z S; Freire, V N; Souza, H Fernandes de; Mesquita, M V; Freire, P T C; Cavada, B S; Arruda, G B; Oliveira, M C F de; Pinheiro, J Auri; Carvalho, M C; Leite, J. R.; Duarte, C A; Fernandez, J R L; Soares, J N T; Morais, P C; Silva, S W da; Cruz, J R; Lima Filho, L
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PINHEIRO, J Reinildes et al. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Pinheiro, J. R., Flores, M. Z. S., Freire, V. N., Souza, H. F. de, Mesquita, M. V., Freire, P. T. C., et al. (2003). Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Pinheiro JR, Flores MZS, Freire VN, Souza HF de, Mesquita MV, Freire PTC, Cavada BS, Arruda GB, Oliveira MCF de, Pinheiro JA, Carvalho MC, Leite JR, Duarte CA, Fernandez JRL, Soares JNT, Morais PC, Silva SW da, Cruz JR, Lima Filho L. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. Resumos. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Vancouver
Pinheiro JR, Flores MZS, Freire VN, Souza HF de, Mesquita MV, Freire PTC, Cavada BS, Arruda GB, Oliveira MCF de, Pinheiro JA, Carvalho MC, Leite JR, Duarte CA, Fernandez JRL, Soares JNT, Morais PC, Silva SW da, Cruz JR, Lima Filho L. Dopagem da L-Alanina com metais: cristalização e caracterização. Resumos. 2003 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Artigo de periodico
Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers (2002)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Fernandez, J R L; Chitta, V A; Leite, J. R.; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, v. 91, n. 9, p. 6197-6199, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips. Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Fernandez, J. R. L., Chitta, V. A., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers. Journal of Applied Physics, 91( 9), 6197-6199. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Fernandez JRL, Chitta VA, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Raman study of collective plasmon-longitudinal optical phonon excitations in cubic GaN and 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N epitaxial layers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2002 ; 91( 9): 6197-6199.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000091000009006197000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells (2001)
Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Chitta, V A; Sotomayor, N M; Fernandez, J R L; Leite, J. R.; Meneses, E A; Ribeiro, E; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS MAGNÉTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORIEGA, Odille Cue et al. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Chitta, V. A., Sotomayor, N. M., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., et al. (2001). Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Noriega OC, Tabata A, Chitta VA, Sotomayor NM, Fernandez JRL, Leite JR, Meneses EA, Ribeiro E, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Chitta VA, Sotomayor NM, Fernandez JRL, Leite JR, Meneses EA, Ribeiro E, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Artigo de periodico
Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems (2001)
Fernandez, J R L; Araujo, C Moyses; Silva, A Ferreira da; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E; Tabata, A; Abramog, E; Chitta, V A; Persson, C; Ahuja, R; Pepe, I; As, D J; Frey, T; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Assuntos: DIELÉTRICOS, RESISTÊNCIA ELÉTRICA, MATERIAIS (ANÁLISE;TESTES), RESISTÊNCIA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, v. 231, n. 3, p. 420-427, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7. Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Araujo, C. M., Silva, A. F. da, Leite, J. R., Sernelius, B. E., Tabata, A., et al. (2001). Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, 231( 3), 420-427. doi:10.1016/s0022-0248(01)01473-7
NLM
Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
Vancouver
Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
Artigo de periodico
MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties (2001)
As, D J; Frey, T; Barttls, M; Lischka, K; Goldhahn, R; Shokhovets, S; Tabata, A; Fernandez, J R L; Leite, J. R.
Fonte: Journal of Crstal Growth. Unidade: IF
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA (PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AS, D J et al. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties. Journal of Crstal Growth, v. 230, n. 3-4, p. 421-425, 2001Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
As, D. J., Frey, T., Barttls, M., Lischka, K., Goldhahn, R., Shokhovets, S., et al. (2001). MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties. Journal of Crstal Growth, 230( 3-4), 421-425. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
NLM
As DJ, Frey T, Barttls M, Lischka K, Goldhahn R, Shokhovets S, Tabata A, Fernandez JRL, Leite JR. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties [Internet]. Journal of Crstal Growth. 2001 ; 230( 3-4): 421-425.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
As DJ, Frey T, Barttls M, Lischka K, Goldhahn R, Shokhovets S, Tabata A, Fernandez JRL, Leite JR. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties [Internet]. Journal of Crstal Growth. 2001 ; 230( 3-4): 421-425.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
Artigo de periodico
Structural and vibrational properties of molecular beam epitaxy grown cubic (Al, Ga)N/GaN heterostructures (2001)
Frey, T; As, D J; Bartels, M; Pawlis, A; Tabata, A; Fernandez, J R L; Silva, M T O; Leite, J. R.; Haug, C; Brenn, R
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREY, T et al. Structural and vibrational properties of molecular beam epitaxy grown cubic (Al, Ga)N/GaN heterostructures. Journal of Applied Physics, v. 89, n. 5, p. 2631-2634, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1345858. Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Frey, T., As, D. J., Bartels, M., Pawlis, A., Tabata, A., Fernandez, J. R. L., et al. (2001). Structural and vibrational properties of molecular beam epitaxy grown cubic (Al, Ga)N/GaN heterostructures. Journal of Applied Physics, 89( 5), 2631-2634. doi:10.1063/1.1345858
NLM
Frey T, As DJ, Bartels M, Pawlis A, Tabata A, Fernandez JRL, Silva MTO, Leite JR, Haug C, Brenn R. Structural and vibrational properties of molecular beam epitaxy grown cubic (Al, Ga)N/GaN heterostructures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 5): 2631-2634.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1345858
Vancouver
Frey T, As DJ, Bartels M, Pawlis A, Tabata A, Fernandez JRL, Silva MTO, Leite JR, Haug C, Brenn R. Structural and vibrational properties of molecular beam epitaxy grown cubic (Al, Ga)N/GaN heterostructures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2001 ; 89( 5): 2631-2634.[citado 2024 ago. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1345858
Trabalho de evento
Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy (2000)
Fernandez, J R L; Tabata, A; Chitta, V A; As, D J; Frey, T; Noriega, O C; Silva, M T O; Abramof, E; Schikora, D; Lischka, K; Leite, J. R.
Fonte: Proceedings. Nome do evento: International Workshop on Nitride Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. 2000, Anais.. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000. . Acesso em: 29 ago. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Tabata, A., Chitta, V. A., As, D. J., Frey, T., Noriega, O. C., et al. (2000). Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. In Proceedings. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP.
NLM
Fernandez JRL, Tabata A, Chitta VA, As DJ, Frey T, Noriega OC, Silva MTO, Abramof E, Schikora D, Lischka K, Leite JR. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 ago. 29 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Tabata A, Chitta VA, As DJ, Frey T, Noriega OC, Silva MTO, Abramof E, Schikora D, Lischka K, Leite JR. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 ago. 29 ]

Unidades USP

ReP

Filtros

Autores

Ano de publicação

Assuntos

Título da fonte

Editora

Nome do evento

País de publicação

Afiliação dos autores externos normalizada

Afiliação dos autores externos não normalizada