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Trabalho de evento
Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication (2001)
Escobar Forhan, Neisy Amparo; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Gonçalves, José Lino
Source: SBMicro 2001: proceedings. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e GONÇALVES, José Lino. Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. 2001, Anais.. Brasília: SBMicro, 2001. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Escobar Forhan, N. A., Braga, N. L. de A., & Gonçalves, J. L. (2001). Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. In SBMicro 2001: proceedings. Brasília: SBMicro.
NLM
Escobar Forhan NA, Braga NL de A, Gonçalves JL. Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Escobar Forhan NA, Braga NL de A, Gonçalves JL. Analysis of process parameters in "Smart cut" SOI structure fabrication. SBMicro 2001: proceedings. 2001 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos (2001)
Marques, Marlos Sampaio; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TRANSISTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
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ABNT
MARQUES, Marlos Sampaio. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Marques, M. S. (2001). Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Marques MS. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Marques MS. Estudo do efeito do transistor bipolar parasitário no comportamento elétrico de dispositivos FDSOI MOSFET´s submicrométricos. 2001 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Dissertação (Mestrado)
Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut" (2000)
Escobar Forhan, Neisy Amparo; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo. Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut". 2000. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Escobar Forhan, N. A. (2000). Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut" (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Escobar Forhan NA. Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut". 2000 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Escobar Forhan NA. Solda direta para obtenção de lâminas SOI com tecnologia "Smart Cut". 2000 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Relatorio tecnico
Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices (1997)
Brunetti, Cláudia; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
BRUNETTI, Cláudia e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 06 nov. 2024. , 1997
APA
Brunetti, C., Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1997). Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. São Paulo: EPUSP.
NLM
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom) (1997)
Brunetti, Cláudia; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
BRUNETTI, Cláudia e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Brunetti, C., Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1997). Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Simulated and measured I-V characteristic of FD SOI-NMOS transistors modified by the self-heating effect. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom) (1997)
Torres, Luiz Carlos Molina; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
TORRES, Luiz Carlos Molina e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). 1997, Anais.. Itajubá: SBMICRO/EFEI, 1997. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Torres, L. C. M., & Braga, N. L. de A. (1997). On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). In Proceedings. Itajubá: SBMICRO/EFEI.
NLM
Torres LCM, Braga NL de A. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Torres LCM, Braga NL de A. On` the measurement of stripe temperatures during electromigration characterization by BEM. (em CD-Rom). Proceedings. 1997 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Artigo de periodico
Quantitative analysis of an enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in 'SI' / 'SI' ('GE') heterostructures (1996)
Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Source: Journal of Solid-State Devices and Circuits. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Quantitative analysis of an enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in 'SI' / 'SI' ('GE') heterostructures. Journal of Solid-State Devices and Circuits, v. 4 , n. ja 1996, p. 1-6, 1996Tradução . . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1996). Quantitative analysis of an enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in 'SI' / 'SI' ('GE') heterostructures. Journal of Solid-State Devices and Circuits, 4 ( ja 1996), 1-6.
NLM
Braga NL de A, Zasnicoff LS. Quantitative analysis of an enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in 'SI' / 'SI' ('GE') heterostructures. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1996 ;4 ( ja 1996): 1-6.[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Braga NL de A, Zasnicoff LS. Quantitative analysis of an enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in 'SI' / 'SI' ('GE') heterostructures. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1996 ;4 ( ja 1996): 1-6.[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Lattice heating and energy balance consideration on the i-v characteristics of submicrometer thin-film fully depleted soi nmos devices (1996)
Brunetti, Cláudia; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Source: Proceedings. Conference titles: Conference of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
BRUNETTI, Cláudia e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Lattice heating and energy balance consideration on the i-v characteristics of submicrometer thin-film fully depleted soi nmos devices. 1996, Anais.. São Paulo: Sbmicro, 1996. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Brunetti, C., Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1996). Lattice heating and energy balance consideration on the i-v characteristics of submicrometer thin-film fully depleted soi nmos devices. In Proceedings. São Paulo: Sbmicro.
NLM
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Lattice heating and energy balance consideration on the i-v characteristics of submicrometer thin-film fully depleted soi nmos devices. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Lattice heating and energy balance consideration on the i-v characteristics of submicrometer thin-film fully depleted soi nmos devices. Proceedings. 1996 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Quantitative analysis of 'AS' and 'SB' pipe diffusion along misfit dislocation in epitaxial 'SI' / 'SI' (ge) (1995)
Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Source: Proceedings. Conference titles: Congress of the Brazilian Microelectronics Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Quantitative analysis of 'AS' and 'SB' pipe diffusion along misfit dislocation in epitaxial 'SI' / 'SI' (ge). 1995, Anais.. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs, 1995. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1995). Quantitative analysis of 'AS' and 'SB' pipe diffusion along misfit dislocation in epitaxial 'SI' / 'SI' (ge). In Proceedings. Porto Alegre: Instituto de Informatica da Ufrgs.
NLM
Braga NL de A, Zasnicoff LS. Quantitative analysis of 'AS' and 'SB' pipe diffusion along misfit dislocation in epitaxial 'SI' / 'SI' (ge). Proceedings. 1995 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Braga NL de A, Zasnicoff LS. Quantitative analysis of 'AS' and 'SB' pipe diffusion along misfit dislocation in epitaxial 'SI' / 'SI' (ge). Proceedings. 1995 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Artigo de periodico
Near-exact two-dimensional mathematical model for pipe diffusion along dislocations (1995)
Braga, Nelson Liebentritt de Almeida
Source: Journal of Solid-State Devices and Circuits. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida. Near-exact two-dimensional mathematical model for pipe diffusion along dislocations. Journal of Solid-State Devices and Circuits, v. 3 , n. 1 , p. 10-3, 1995Tradução . . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Braga, N. L. de A. (1995). Near-exact two-dimensional mathematical model for pipe diffusion along dislocations. Journal of Solid-State Devices and Circuits, 3 ( 1 ), 10-3.
NLM
Braga NL de A. Near-exact two-dimensional mathematical model for pipe diffusion along dislocations. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1995 ;3 ( 1 ): 10-3.[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Braga NL de A. Near-exact two-dimensional mathematical model for pipe diffusion along dislocations. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1995 ;3 ( 1 ): 10-3.[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Dopant pipe diffusion along misfit dislocations in epitaxial 'SI' / 'SI' (Ge) (1994)
Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Rozogonyi, G A
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ROZOGONYI, G A. Dopant pipe diffusion along misfit dislocations in epitaxial 'SI' / 'SI' (Ge). 1994, Anais.. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj, 1994. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Braga, N. L. de A., & Rozogonyi, G. A. (1994). Dopant pipe diffusion along misfit dislocations in epitaxial 'SI' / 'SI' (Ge). In Anais. Rio de Janeiro: Sbmicro/Ufrj.
NLM
Braga NL de A, Rozogonyi GA. Dopant pipe diffusion along misfit dislocations in epitaxial 'SI' / 'SI' (Ge). Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Braga NL de A, Rozogonyi GA. Dopant pipe diffusion along misfit dislocations in epitaxial 'SI' / 'SI' (Ge). Anais. 1994 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Artigo de periodico
Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge') (1994)
Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Buczkowski, A; Kirk, H R; Rozgonyi, G A
Source: Applied Physics Letters. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida et al. Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge'). Applied Physics Letters, v. 64, n. 11, p. 1410-2, 1994Tradução . . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Braga, N. L. de A., Buczkowski, A., Kirk, H. R., & Rozgonyi, G. A. (1994). Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge'). Applied Physics Letters, 64( 11), 1410-2.
NLM
Braga NL de A, Buczkowski A, Kirk HR, Rozgonyi GA. Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge'). Applied Physics Letters. 1994 ;64( 11): 1410-2.[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Braga NL de A, Buczkowski A, Kirk HR, Rozgonyi GA. Formation of cylindrical n / p junction diodes by arsenic enhanced diffusion along interfacial misfit dislocations in p-type epitaxial 'SI' / 'SI' ('Ge'). Applied Physics Letters. 1994 ;64( 11): 1410-2.[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento-resumo
Enchanced diffusion of arsenic along misfit dislocation in epitaxial 'SI' / 'SI' (Ge ) (1993)
Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Buczkowski, A; Rosgonyi, G A
Source: Extended Abstracts. Conference titles: Fall Meeting of the Electrochemical Society. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e BUCZKOWSKI, A e ROSGONYI, G A. Enchanced diffusion of arsenic along misfit dislocation in epitaxial 'SI' / 'SI' (Ge ). 1993, Anais.. Pennington: Electrochemical Society, 1993. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Braga, N. L. de A., Buczkowski, A., & Rosgonyi, G. A. (1993). Enchanced diffusion of arsenic along misfit dislocation in epitaxial 'SI' / 'SI' (Ge ). In Extended Abstracts. Pennington: Electrochemical Society.
NLM
Braga NL de A, Buczkowski A, Rosgonyi GA. Enchanced diffusion of arsenic along misfit dislocation in epitaxial 'SI' / 'SI' (Ge ). Extended Abstracts. 1993 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Braga NL de A, Buczkowski A, Rosgonyi GA. Enchanced diffusion of arsenic along misfit dislocation in epitaxial 'SI' / 'SI' (Ge ). Extended Abstracts. 1993 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo teórico-experimental do efeito tiristor parasitário (Latch-up) em estruturas CMOS (1989)
Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: TIRISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida. Estudo teórico-experimental do efeito tiristor parasitário (Latch-up) em estruturas CMOS. 1989. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Braga, N. L. de A. (1989). Estudo teórico-experimental do efeito tiristor parasitário (Latch-up) em estruturas CMOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Braga NL de A. Estudo teórico-experimental do efeito tiristor parasitário (Latch-up) em estruturas CMOS. 1989 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Braga NL de A. Estudo teórico-experimental do efeito tiristor parasitário (Latch-up) em estruturas CMOS. 1989 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Estruturas para verificacao de regras de projeto em tecnologia CMOS (1988)
Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Waldman, Bernard; Vale Neto, José Vieira do; Molina Torres, L C; Zasnicoff, Luiz Sergio
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida et al. Estruturas para verificacao de regras de projeto em tecnologia CMOS. 1988, Anais.. São Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Braga, N. L. de A., Waldman, B., Vale Neto, J. V. do, Molina Torres, L. C., & Zasnicoff, L. S. (1988). Estruturas para verificacao de regras de projeto em tecnologia CMOS. In Anais. São Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Braga NL de A, Waldman B, Vale Neto JV do, Molina Torres LC, Zasnicoff LS. Estruturas para verificacao de regras de projeto em tecnologia CMOS. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Braga NL de A, Waldman B, Vale Neto JV do, Molina Torres LC, Zasnicoff LS. Estruturas para verificacao de regras de projeto em tecnologia CMOS. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Trabalho de evento
Regras de projeto para tecnologia CMOS (1988)
Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Costa, T F; Molina Torres, L C
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e COSTA, T F e MOLINA TORRES, L C. Regras de projeto para tecnologia CMOS. 1988, Anais.. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp, 1988. . Acesso em: 06 nov. 2024.
APA
Braga, N. L. de A., Costa, T. F., & Molina Torres, L. C. (1988). Regras de projeto para tecnologia CMOS. In Anais. Sao Paulo: Sbmicro/Epusp.
NLM
Braga NL de A, Costa TF, Molina Torres LC. Regras de projeto para tecnologia CMOS. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 06 ]
Vancouver
Braga NL de A, Costa TF, Molina Torres LC. Regras de projeto para tecnologia CMOS. Anais. 1988 ;[citado 2024 nov. 06 ]

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