ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy (1994)
Bernussi, A A; Souza, C F; Carvalho, W.; Lubyshev, D I; Rossi, J C; Basmaji, Pierre
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BERNUSSI, A A et al. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 460-5, 1994Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Bernussi, A. A., Souza, C. F., Carvalho, W., Lubyshev, D. I., Rossi, J. C., & Basmaji, P. (1994). Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 460-5.
NLM
Bernussi AA, Souza CF, Carvalho W, Lubyshev DI, Rossi JC, Basmaji P. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 460-5.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Bernussi AA, Souza CF, Carvalho W, Lubyshev DI, Rossi JC, Basmaji P. Optical and structural properties of low temperature 'GA''AS' layers grown by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 460-5.[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Magnetic-field-tuned impurity level in a mesoscopic 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' antidot sample (1994)
Gusev, G M; Gennser, U; Maude, D K; Portal, J C; Lubyshev, D I; Nastaushev, Y V; Rossi, J C; Basmaji, Pierre
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Magnetic-field-tuned impurity level in a mesoscopic 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' antidot sample. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 6 , p. l265-72, 1994Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Gusev, G. M., Gennser, U., Maude, D. K., Portal, J. C., Lubyshev, D. I., Nastaushev, Y. V., et al. (1994). Magnetic-field-tuned impurity level in a mesoscopic 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' antidot sample. Journal of Physics: Condensed Matter, 6 , l265-72.
NLM
Gusev GM, Gennser U, Maude DK, Portal JC, Lubyshev DI, Nastaushev YV, Rossi JC, Basmaji P. Magnetic-field-tuned impurity level in a mesoscopic 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' antidot sample. Journal of Physics: Condensed Matter. 1994 ;6 l265-72.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Gusev GM, Gennser U, Maude DK, Portal JC, Lubyshev DI, Nastaushev YV, Rossi JC, Basmaji P. Magnetic-field-tuned impurity level in a mesoscopic 'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' / 'GA''AS' antidot sample. Journal of Physics: Condensed Matter. 1994 ;6 l265-72.[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings (1994)
Gusev, G M; Basmaji, Pierre; Lubyshev, D I; Portal, J C; Litvin, L V; Nastaushev, Y V; Toropov, A I
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 297-301, 1994Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Gusev, G. M., Basmaji, P., Lubyshev, D. I., Portal, J. C., Litvin, L. V., Nastaushev, Y. V., & Toropov, A. I. (1994). Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 297-301.
NLM
Gusev GM, Basmaji P, Lubyshev DI, Portal JC, Litvin LV, Nastaushev YV, Toropov AI. Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 297-301.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Gusev GM, Basmaji P, Lubyshev DI, Portal JC, Litvin LV, Nastaushev YV, Toropov AI. Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 297-301.[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Atomic force microscopy studies on various types of photoluminescent porous silicon (1994)
Grivickas, V; Baranauskas, V; Rodrigues, C R; Basmaji, Pierre; Misoguti, L
Source: International Journal of Optoelectronics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GRIVICKAS, V et al. Atomic force microscopy studies on various types of photoluminescent porous silicon. International Journal of Optoelectronics, v. 9 , n. 4 , p. 303-9, 1994Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Grivickas, V., Baranauskas, V., Rodrigues, C. R., Basmaji, P., & Misoguti, L. (1994). Atomic force microscopy studies on various types of photoluminescent porous silicon. International Journal of Optoelectronics, 9 ( 4 ), 303-9.
NLM
Grivickas V, Baranauskas V, Rodrigues CR, Basmaji P, Misoguti L. Atomic force microscopy studies on various types of photoluminescent porous silicon. International Journal of Optoelectronics. 1994 ;9 ( 4 ): 303-9.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Grivickas V, Baranauskas V, Rodrigues CR, Basmaji P, Misoguti L. Atomic force microscopy studies on various types of photoluminescent porous silicon. International Journal of Optoelectronics. 1994 ;9 ( 4 ): 303-9.[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings (1994)
Gusev, G M; Basmaji, Pierre; Lubyshev, D I; Portal, J C; Litvin, L V; Nastaushev, Y V; Toropov, A I
Source: Solid-State Electronics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings. Solid-State Electronics, v. 37, n. 4-6, p. 1231-4, 1994Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Gusev, G. M., Basmaji, P., Lubyshev, D. I., Portal, J. C., Litvin, L. V., Nastaushev, Y. V., & Toropov, A. I. (1994). Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings. Solid-State Electronics, 37( 4-6), 1231-4.
NLM
Gusev GM, Basmaji P, Lubyshev DI, Portal JC, Litvin LV, Nastaushev YV, Toropov AI. Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings. Solid-State Electronics. 1994 ;37( 4-6): 1231-4.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Gusev GM, Basmaji P, Lubyshev DI, Portal JC, Litvin LV, Nastaushev YV, Toropov AI. Magnetic field tuned transition of aharonov-bohm oscillations from hc / e to hc/2e periodicity in the array of 'AL''GA''AS' / 'GA''AS' rings. Solid-State Electronics. 1994 ;37( 4-6): 1231-4.[citado 2024 jun. 27 ]
Trabalho de evento
Magnetic field -induced localization in a two-dimensional array of quantum dots (1994)
Gusev, G M; Gennser, U; Kleber, X; Maude, D K; Portal, J C; Lubyshev, D I; Nastaushev, Y V; Basmaji, Pierre
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Magnetic field -induced localization in a two-dimensional array of quantum dots. 1994, Anais.. Cambridge: Francis Bitter National Magnetic Laboratory, 1994. . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Gusev, G. M., Gennser, U., Kleber, X., Maude, D. K., Portal, J. C., Lubyshev, D. I., et al. (1994). Magnetic field -induced localization in a two-dimensional array of quantum dots. In Proceedings. Cambridge: Francis Bitter National Magnetic Laboratory.
NLM
Gusev GM, Gennser U, Kleber X, Maude DK, Portal JC, Lubyshev DI, Nastaushev YV, Basmaji P. Magnetic field -induced localization in a two-dimensional array of quantum dots. Proceedings. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Gusev GM, Gennser U, Kleber X, Maude DK, Portal JC, Lubyshev DI, Nastaushev YV, Basmaji P. Magnetic field -induced localization in a two-dimensional array of quantum dots. Proceedings. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Conductance fluctuations in a mesoscopic conductor with antidots (1994)
Gusev, G M; Basmaji, Pierre; Degani, Marcos Henrique; Portal, J C; Pinkse, P W H; Kvon, Z D; Litvin, L V; Nastaushev, Y V; Toropov, A I
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Conductance fluctuations in a mesoscopic conductor with antidots. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 317-22, 1994Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Gusev, G. M., Basmaji, P., Degani, M. H., Portal, J. C., Pinkse, P. W. H., Kvon, Z. D., et al. (1994). Conductance fluctuations in a mesoscopic conductor with antidots. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 317-22.
NLM
Gusev GM, Basmaji P, Degani MH, Portal JC, Pinkse PWH, Kvon ZD, Litvin LV, Nastaushev YV, Toropov AI. Conductance fluctuations in a mesoscopic conductor with antidots. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 317-22.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Gusev GM, Basmaji P, Degani MH, Portal JC, Pinkse PWH, Kvon ZD, Litvin LV, Nastaushev YV, Toropov AI. Conductance fluctuations in a mesoscopic conductor with antidots. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 317-22.[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Effect of alloy disorder and structural defects on excitonic properties in (100)-and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' quantum wells (1994)
Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo; Lubyshev, D I; Chitta, V A; Basmaji, Pierre
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUIMARÃES, Francisco Eduardo Gontijo et al. Effect of alloy disorder and structural defects on excitonic properties in (100)-and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 15, n. 3 , p. 361-5, 1994Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Guimarães, F. E. G., Lubyshev, D. I., Chitta, V. A., & Basmaji, P. (1994). Effect of alloy disorder and structural defects on excitonic properties in (100)-and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures, 15( 3 ), 361-5.
NLM
Guimarães FEG, Lubyshev DI, Chitta VA, Basmaji P. Effect of alloy disorder and structural defects on excitonic properties in (100)-and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 361-5.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Guimarães FEG, Lubyshev DI, Chitta VA, Basmaji P. Effect of alloy disorder and structural defects on excitonic properties in (100)-and (311)-oriented 'IN''GA''AS' / 'GA''AS' quantum wells. Superlattices and Microstructures. 1994 ;15( 3 ): 361-5.[citado 2024 jun. 27 ]
Tese (Doutorado)
Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira (1994)
La Scala Junior, Newton; Basmaji, Pierre (Orientador)
Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LA SCALA JUNIOR, Newton. Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira. 1994. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 1994. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-091925/. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
La Scala Junior, N. (1994). Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-091925/
NLM
La Scala Junior N. Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira [Internet]. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-091925/
Vancouver
La Scala Junior N. Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira [Internet]. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76132/tde-28052009-091925/
Trabalho de evento
Geracao de mascaras em escala nano e micrometrica por litografia eletronica (1994)
Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Nastaushev, Y V; Basmaji, Pierre; Rossi, J C; Aegerter, M A
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Ceramica. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Marcelo de Assumpção Pereira da et al. Geracao de mascaras em escala nano e micrometrica por litografia eletronica. 1994, Anais.. São Paulo: Associacao Brasileira de Ceramica, 1994. . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Silva, M. de A. P. da, Nastaushev, Y. V., Basmaji, P., Rossi, J. C., & Aegerter, M. A. (1994). Geracao de mascaras em escala nano e micrometrica por litografia eletronica. In Anais. São Paulo: Associacao Brasileira de Ceramica.
NLM
Silva M de AP da, Nastaushev YV, Basmaji P, Rossi JC, Aegerter MA. Geracao de mascaras em escala nano e micrometrica por litografia eletronica. Anais. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Silva M de AP da, Nastaushev YV, Basmaji P, Rossi JC, Aegerter MA. Geracao de mascaras em escala nano e micrometrica por litografia eletronica. Anais. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Degradation of luminescence and fatigue effects in porous silicon (1994)
Grivickas, V; Bernussi, A; Basmaji, Pierre; Matvienko, B; Kolenda, J
Source: International Journal of Optoelectronics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GRIVICKAS, V et al. Degradation of luminescence and fatigue effects in porous silicon. International Journal of Optoelectronics, v. 9 , n. 4 , p. 311-4, 1994Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Grivickas, V., Bernussi, A., Basmaji, P., Matvienko, B., & Kolenda, J. (1994). Degradation of luminescence and fatigue effects in porous silicon. International Journal of Optoelectronics, 9 ( 4 ), 311-4.
NLM
Grivickas V, Bernussi A, Basmaji P, Matvienko B, Kolenda J. Degradation of luminescence and fatigue effects in porous silicon. International Journal of Optoelectronics. 1994 ;9 ( 4 ): 311-4.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Grivickas V, Bernussi A, Basmaji P, Matvienko B, Kolenda J. Degradation of luminescence and fatigue effects in porous silicon. International Journal of Optoelectronics. 1994 ;9 ( 4 ): 311-4.[citado 2024 jun. 27 ]
Trabalho de evento
Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon (1994)
Surdutovich, G I; Basmaji, Pierre; Vitlina, R Z; Kolenda, J; Bagnato, Vanderlei Salvador
Source: Anais: Optica. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SURDUTOVICH, G I et al. Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. 1994, Anais.. Sao Paulo: Ipen, 1994. . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Surdutovich, G. I., Basmaji, P., Vitlina, R. Z., Kolenda, J., & Bagnato, V. S. (1994). Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. In Anais: Optica. Sao Paulo: Ipen.
NLM
Surdutovich GI, Basmaji P, Vitlina RZ, Kolenda J, Bagnato VS. Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. Anais: Optica. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Surdutovich GI, Basmaji P, Vitlina RZ, Kolenda J, Bagnato VS. Photoluminescence and optical anisotropy of a porous silicon. Anais: Optica. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Geracao de mascaras em escala nanometrica e micrometrica para estudo de propriedades superficiais em materiais (1994)
Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Nastaushev, Y V; Basmaji, Pierre; Rossi, J C; Aegerter, M A
Source: Ceramica. Conference titles: Congresso Brasileiro de Ceramica. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Marcelo de Assumpção Pereira da et al. Geracao de mascaras em escala nanometrica e micrometrica para estudo de propriedades superficiais em materiais. Ceramica. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 27 jun. 2024. , 1994
APA
Silva, M. de A. P. da, Nastaushev, Y. V., Basmaji, P., Rossi, J. C., & Aegerter, M. A. (1994). Geracao de mascaras em escala nanometrica e micrometrica para estudo de propriedades superficiais em materiais. Ceramica. São Paulo: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Silva M de AP da, Nastaushev YV, Basmaji P, Rossi JC, Aegerter MA. Geracao de mascaras em escala nanometrica e micrometrica para estudo de propriedades superficiais em materiais. Ceramica. 1994 ;40( abr./ju 1994): 11.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Silva M de AP da, Nastaushev YV, Basmaji P, Rossi JC, Aegerter MA. Geracao de mascaras em escala nanometrica e micrometrica para estudo de propriedades superficiais em materiais. Ceramica. 1994 ;40( abr./ju 1994): 11.[citado 2024 jun. 27 ]
Trabalho de evento
Nanolitografia por feixe de eletrons com mev em polimetilmetacrilato depositado sobre substrato de vidro (1994)
Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Basmaji, Pierre; Aegerter, Michel André; Nastaushev, Y V; Gusev, G M; Rossi, J C
Source: Anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Engenharia e Ciencia de Materiais. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Marcelo de Assumpção Pereira da et al. Nanolitografia por feixe de eletrons com mev em polimetilmetacrilato depositado sobre substrato de vidro. 1994, Anais.. São Paulo: Ipt/Poli/Ifusp, 1994. . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Silva, M. de A. P. da, Basmaji, P., Aegerter, M. A., Nastaushev, Y. V., Gusev, G. M., & Rossi, J. C. (1994). Nanolitografia por feixe de eletrons com mev em polimetilmetacrilato depositado sobre substrato de vidro. In Anais. São Paulo: Ipt/Poli/Ifusp.
NLM
Silva M de AP da, Basmaji P, Aegerter MA, Nastaushev YV, Gusev GM, Rossi JC. Nanolitografia por feixe de eletrons com mev em polimetilmetacrilato depositado sobre substrato de vidro. Anais. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Silva M de AP da, Basmaji P, Aegerter MA, Nastaushev YV, Gusev GM, Rossi JC. Nanolitografia por feixe de eletrons com mev em polimetilmetacrilato depositado sobre substrato de vidro. Anais. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy (1994)
Galzerani, J C; Pizani, P S; Rossi, J C; Silva, S W; Lubyshev, D I; Basmaji, Pierre
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALZERANI, J C et al. Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 337-9, 1994Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Galzerani, J. C., Pizani, P. S., Rossi, J. C., Silva, S. W., Lubyshev, D. I., & Basmaji, P. (1994). Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 337-9.
NLM
Galzerani JC, Pizani PS, Rossi JC, Silva SW, Lubyshev DI, Basmaji P. Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 337-9.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Galzerani JC, Pizani PS, Rossi JC, Silva SW, Lubyshev DI, Basmaji P. Raman scattering study of 'GA''AS' grown on porous 'SI' by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 337-9.[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Anisotropy investigations and photoluminescence properties of porous silicon (1994)
Basmaji, Pierre; Surdutovich, G I; Vitlina, R Z; Kolenda, J; Bagnato, Vanderlei Salvador; Mohajeri-Moghaddam, H; Peyghambarian, N
Source: Solid State Communications. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre et al. Anisotropy investigations and photoluminescence properties of porous silicon. Solid State Communications, v. 91, n. 8 , p. 649-53, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(94)90565-7. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Basmaji, P., Surdutovich, G. I., Vitlina, R. Z., Kolenda, J., Bagnato, V. S., Mohajeri-Moghaddam, H., & Peyghambarian, N. (1994). Anisotropy investigations and photoluminescence properties of porous silicon. Solid State Communications, 91( 8 ), 649-53. doi:10.1016/0038-1098(94)90565-7
NLM
Basmaji P, Surdutovich GI, Vitlina RZ, Kolenda J, Bagnato VS, Mohajeri-Moghaddam H, Peyghambarian N. Anisotropy investigations and photoluminescence properties of porous silicon [Internet]. Solid State Communications. 1994 ;91( 8 ): 649-53.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(94)90565-7
Vancouver
Basmaji P, Surdutovich GI, Vitlina RZ, Kolenda J, Bagnato VS, Mohajeri-Moghaddam H, Peyghambarian N. Anisotropy investigations and photoluminescence properties of porous silicon [Internet]. Solid State Communications. 1994 ;91( 8 ): 649-53.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(94)90565-7
Artigo de periodico
Charge transfer between percolation levels in a system with an artificial, strongly disordered potential (1994)
Gusev, G M; Gennser, U; Maude, D K; Portal, J C; Lubyshev, D I; Nastaushev, Y V; Rossi, J C; Basmaji, Pierre
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES ELÉTRICAS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M et al. Charge transfer between percolation levels in a system with an artificial, strongly disordered potential. Superlattices and Microstructures, v. 16, n. 1 , p. 97-9, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1118. Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Gusev, G. M., Gennser, U., Maude, D. K., Portal, J. C., Lubyshev, D. I., Nastaushev, Y. V., et al. (1994). Charge transfer between percolation levels in a system with an artificial, strongly disordered potential. Superlattices and Microstructures, 16( 1 ), 97-9. doi:10.1006/spmi.1994.1118
NLM
Gusev GM, Gennser U, Maude DK, Portal JC, Lubyshev DI, Nastaushev YV, Rossi JC, Basmaji P. Charge transfer between percolation levels in a system with an artificial, strongly disordered potential [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;16( 1 ): 97-9.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1118
Vancouver
Gusev GM, Gennser U, Maude DK, Portal JC, Lubyshev DI, Nastaushev YV, Rossi JC, Basmaji P. Charge transfer between percolation levels in a system with an artificial, strongly disordered potential [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1994 ;16( 1 ): 97-9.[citado 2024 jun. 27 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1994.1118
Tese (Livre Docência)
Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico (1994)
Basmaji, Pierre
Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BASMAJI, Pierre. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. 1994. Tese (Livre Docência) – Universidade de São Paulo, Sao Carlos, 1994. . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Basmaji, P. (1994). Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico (Tese (Livre Docência). Universidade de São Paulo, Sao Carlos.
NLM
Basmaji P. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Basmaji P. Nano estruturas luminescentes de silicio poroso fabricado pelo processo eletroquimico. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Artigo de periodico
Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon (1994)
Grivickas, V; Kolenda, J; Bernussi, A A; Matvienko, B; Basmaji, Pierre
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GRIVICKAS, V et al. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 24, n. 1 , p. 349-52, 1994Tradução . . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Grivickas, V., Kolenda, J., Bernussi, A. A., Matvienko, B., & Basmaji, P. (1994). Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics, 24( 1 ), 349-52.
NLM
Grivickas V, Kolenda J, Bernussi AA, Matvienko B, Basmaji P. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 349-52.[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Grivickas V, Kolenda J, Bernussi AA, Matvienko B, Basmaji P. Luminescence degradation and fatigue effects in porous silicon. Brazilian Journal of Physics. 1994 ;24( 1 ): 349-52.[citado 2024 jun. 27 ]
Trabalho de evento
Correcao de formas e fabricacao de interconeccoes metalicas em escala nanometrica atraves da litografia por feixe de eletrons (1994)
Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Nastaushev, Y V; Rossi, J C; Basmaji, Pierre; Gusev, G M; Aegerter, M A
Source: Anais. Conference titles: Simposio Brasileiro de Microscopia Eletronica e Tecnicas Associadas a Pesquisa de Materiais. Unidades: IFSC, IFQSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Marcelo de Assumpção Pereira da et al. Correcao de formas e fabricacao de interconeccoes metalicas em escala nanometrica atraves da litografia por feixe de eletrons. 1994, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Miscroscopia Eletronica, 1994. . Acesso em: 27 jun. 2024.
APA
Silva, M. de A. P. da, Nastaushev, Y. V., Rossi, J. C., Basmaji, P., Gusev, G. M., & Aegerter, M. A. (1994). Correcao de formas e fabricacao de interconeccoes metalicas em escala nanometrica atraves da litografia por feixe de eletrons. In Anais. São Paulo: Sociedade Brasileira de Miscroscopia Eletronica.
NLM
Silva M de AP da, Nastaushev YV, Rossi JC, Basmaji P, Gusev GM, Aegerter MA. Correcao de formas e fabricacao de interconeccoes metalicas em escala nanometrica atraves da litografia por feixe de eletrons. Anais. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]
Vancouver
Silva M de AP da, Nastaushev YV, Rossi JC, Basmaji P, Gusev GM, Aegerter MA. Correcao de formas e fabricacao de interconeccoes metalicas em escala nanometrica atraves da litografia por feixe de eletrons. Anais. 1994 ;[citado 2024 jun. 27 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Source title

Publisher

Conference titles