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Trabalho de evento-resumo periodico
Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski (1989)
Furtado, W W; Stojanoff, Vivian
Fonte: Ciência e Cultura. Nome do evento: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
Assuntos: CARBONO, SILÍCIO
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ABNT
FURTADO, W W e STOJANOFF, Vivian. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 07 nov. 2024. , 1989
APA
Furtado, W. W., & Stojanoff, V. (1989). Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 290.[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 290.[citado 2024 nov. 07 ]
Tese (Doutorado)
Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos (1989)
Soler Pajanian, Maria Aparecida Godoy ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
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ABNT
SOLER PAJANIAN, Maria Aparecida Godoy. Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Soler Pajanian, M. A. G. (1989). Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Soler Pajanian MAG. Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Soler Pajanian MAG. Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Artigo de periodico
Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon (1989)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Fonte: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum, v. 38-41, p. 409, 1989Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1989). Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum, 38-41, 409.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 409.[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 409.[citado 2024 nov. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Ruído causado por retroespalhamento rayleigh em receptores de silício do tipo avalanche (1989)
Celaschi, S; Rosolem, J B
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: EESC
Assuntos: SILÍCIO, PARTÍCULAS (FÍSICA NUCLEAR), ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
CELASCHI, S e ROSOLEM, J B. Ruído causado por retroespalhamento rayleigh em receptores de silício do tipo avalanche. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Celaschi, S., & Rosolem, J. B. (1989). Ruído causado por retroespalhamento rayleigh em receptores de silício do tipo avalanche. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Celaschi S, Rosolem JB. Ruído causado por retroespalhamento rayleigh em receptores de silício do tipo avalanche. Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Celaschi S, Rosolem JB. Ruído causado por retroespalhamento rayleigh em receptores de silício do tipo avalanche. Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Trabalho de evento
Passivacao de defeitos em celulas solares de silicio semicristalino (1989)
Soler Pajanian, Maria Aparecida Godoy ; Pereyra, Inés ; Andrade, Adnei Melges de
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Assuntos: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
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ABNT
SOLER PAJANIAN, Maria Aparecida Godoy e PEREYRA, Inés e ANDRADE, Adnei Melges de. Passivacao de defeitos em celulas solares de silicio semicristalino. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbimicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Soler Pajanian, M. A. G., Pereyra, I., & Andrade, A. M. de. (1989). Passivacao de defeitos em celulas solares de silicio semicristalino. In Anais. Porto Alegre: Sbimicro/Ufrgs.
NLM
Soler Pajanian MAG, Pereyra I, Andrade AM de. Passivacao de defeitos em celulas solares de silicio semicristalino. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Soler Pajanian MAG, Pereyra I, Andrade AM de. Passivacao de defeitos em celulas solares de silicio semicristalino. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Fonseca, Fernando Josepetti ; Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Assuntos: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Andrade, C. A. M. de, Fonseca, F. J., Pereyra, I., & Sanematsu, M. S. (1989). Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Tese (Doutorado)
Estudo de transitórios em células solares de silício monocristalino de qualificação espacial (1989)
Nubile, Paulo; Waldman, Bernard (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
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ABNT
NUBILE, Paulo. Estudo de transitórios em células solares de silício monocristalino de qualificação espacial. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Nubile, P. (1989). Estudo de transitórios em células solares de silício monocristalino de qualificação espacial (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Nubile P. Estudo de transitórios em células solares de silício monocristalino de qualificação espacial. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Nubile P. Estudo de transitórios em células solares de silício monocristalino de qualificação espacial. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Trabalho de evento
Estudo e controle do grau de anisotropia na corrosão a seco de dióxido de silício (1989)
Seabra, Antonio Carlos
Fonte: Anais. Nome do evento: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica. Unidade: EP
Assuntos: CORROSÃO, SILÍCIO
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ABNT
SEABRA, Antonio Carlos. Estudo e controle do grau de anisotropia na corrosão a seco de dióxido de silício. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Seabra, A. C. (1989). Estudo e controle do grau de anisotropia na corrosão a seco de dióxido de silício. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Seabra AC. Estudo e controle do grau de anisotropia na corrosão a seco de dióxido de silício. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Seabra AC. Estudo e controle do grau de anisotropia na corrosão a seco de dióxido de silício. Anais. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Artigo de periodico
Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI' (1989)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Shen, W M; Tomkiewicz, M; Gambino, J P
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics, v. 66, n. 5 , p. 2148-55, 1989Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics, 66( 5 ), 2148-55.
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 5 ): 2148-55.[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . Iv. Impendance spectroscopy of reactive ion etched 'SI'. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 5 ): 2148-55.[citado 2024 nov. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski (1989)
Furtado, W W; Stojanoff, Vivian
Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assuntos: CARBONO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FURTADO, W W e STOJANOFF, Vivian. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Furtado, W. W., & Stojanoff, V. (1989). Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Furtado WW, Stojanoff V. Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Trabalho de evento
Amorphous silicon thin film field effect transistors (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Pereyra, Inés ; Martins, R F P; Fortunato, E
Fonte: Thin Films and Small Particles: Proceedings. Nome do evento: Latin-American Symposium on Surface Physics. Unidades: IEE, EP
Assuntos: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Amorphous silicon thin film field effect transistors. 1989, Anais.. Singapore: World Scientific, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Pereyra, I., Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1989). Amorphous silicon thin film field effect transistors. In Thin Films and Small Particles: Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Artigo de periodico
Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium (1989)
Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.; Chacham, H; Alves, J L A
Fonte: Institute of Physics Conference Series. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, v. 95, p. 453, 1989Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., Chacham, H., & Alves, J. L. A. (1989). Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, 95, 453.
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 nov. 07 ]
Parte de monografia/livro
Danos de radiacao em celulas solares de silicio de uso espacial (1989)
Beloto, Antonio Fernando; Pereyra, Inés
Fonte: Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. Unidade: EP
Assuntos: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELOTO, Antonio Fernando e PEREYRA, Inés. Danos de radiacao em celulas solares de silicio de uso espacial. Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. Tradução . São Paulo: Epusp, 1989. . . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Beloto, A. F., & Pereyra, I. (1989). Danos de radiacao em celulas solares de silicio de uso espacial. In Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. São Paulo: Epusp.
NLM
Beloto AF, Pereyra I. Danos de radiacao em celulas solares de silicio de uso espacial. In: Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. São Paulo: Epusp; 1989. [citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Beloto AF, Pereyra I. Danos de radiacao em celulas solares de silicio de uso espacial. In: Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. São Paulo: Epusp; 1989. [citado 2024 nov. 07 ]
Tese (Doutorado)
Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de (Orientador)
Unidade: EP
Assuntos: FILMES FINOS, SILÍCIO, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Andrade, A. M. de. (1989). Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Andrade AM de. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Andrade AM de. Obtenção e caracterização de filmes finos de silício amorfo - aplicações em dispositivos eletrônicos. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x (1989)
Bulla, Douglas Anderson Pereira; Stojanoff, Vivian
Fonte: Ciência e Cultura. Nome do evento: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
Assuntos: RAIOS X, OXIGÊNIO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira e STOJANOFF, Vivian. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 07 nov. 2024. , 1989
APA
Bulla, D. A. P., & Stojanoff, V. (1989). Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Bulla DAP, Stojanoff V. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 288.[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Bulla DAP, Stojanoff V. Estudo da precipitacao do oxigenio em monocristais de silicio cz, por tecnicas de raios-x. Ciência e Cultura. 1989 ;41( 7 supl.): 288.[citado 2024 nov. 07 ]
Trabalho de evento-resumo
Proton emission cross sections of silicon isotopes (1989)
Dias, J. F.; Martins, Marcos Nogueira
Fonte: Contributed Papers. Nome do evento: International Nuclear Physics Conference. Unidade: IF
Assuntos: SILÍCIO, ISÓTOPOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DIAS, J. F. e MARTINS, Marcos Nogueira. Proton emission cross sections of silicon isotopes. 1989, Anais.. Sao Paulo: If/Dfn, 1989. . Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Dias, J. F., & Martins, M. N. (1989). Proton emission cross sections of silicon isotopes. In Contributed Papers. Sao Paulo: If/Dfn.
NLM
Dias JF, Martins MN. Proton emission cross sections of silicon isotopes. Contributed Papers. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Vancouver
Dias JF, Martins MN. Proton emission cross sections of silicon isotopes. Contributed Papers. 1989 ;[citado 2024 nov. 07 ]
Artigo de periodico
Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' (1989)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Shen, W M; Tomkiewicz, M; Gambino, J P
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics, v. 66, n. 10, p. 4846-53, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.343801. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics, 66( 10), 4846-53. doi:10.1063/1.343801
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 10): 4846-53.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343801
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 10): 4846-53.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343801
Artigo de periodico
Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface (1989)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Shen, W M; Tomkiewicz, M; Gambino, J P
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface. Journal of Applied Physics, v. 65, n. 12, p. 4884-90, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.343203. Acesso em: 07 nov. 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface. Journal of Applied Physics, 65( 12), 4884-90. doi:10.1063/1.343203
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;65( 12): 4884-90.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343203
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . I. The potential distribution at the 'SI' / method interface [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;65( 12): 4884-90.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343203

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