Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' (1989)
- Authors:
- USP affiliated author: FANTINI, MARCIA CARVALHO DE ABREU - IF
- School: IF
- DOI: 10.1063/1.343801
- Subject: SILÍCIO
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Journal of Applied Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.66, n.10, p.4846-53, 1989
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics, v. 66, n. 10, p. 4846-53, 1989Tradução . . Acesso em: 28 jun. 2022. -
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics, 66( 10), 4846-53. doi:10.1063/1.343801 -
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 10): 4846-53.[citado 2022 jun. 28 ] -
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 10): 4846-53.[citado 2022 jun. 28 ] - Alternate monatomic layer sputter deposition of FCT ("L1 IND.0-type") ordered FePt and CoPt films
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.343801 (Fonte: oaDOI API)
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