Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' (1989)
- Authors:
- Autor USP: FANTINI, MARCIA CARVALHO DE ABREU - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.343801
- Assunto: SILÍCIO
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Journal of Applied Physics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.66, n.10, p.4846-53, 1989
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics, v. 66, n. 10, p. 4846-53, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.343801. Acesso em: 18 mar. 2024. -
APA
Fantini, M. C. de A., Shen, W. M., Tomkiewicz, M., & Gambino, J. P. (1989). Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI'. Journal of Applied Physics, 66( 10), 4846-53. doi:10.1063/1.343801 -
NLM
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 10): 4846-53.[citado 2024 mar. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343801 -
Vancouver
Fantini MC de A, Shen WM, Tomkiewicz M, Gambino JP. Liquid junctions for characterization of electronic materials . V. Comparison with solid state devices used to characterize reactive ion etching of 'SI' [Internet]. Journal of Applied Physics. 1989 ;66( 10): 4846-53.[citado 2024 mar. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.343801 - Synthesis, characterization and electrochromic properties of 'NiO IND.X''H IND.X' thin film prepared by a sol-gel method
- Structure of 'Si/Ge' superlattices
- Corrosion and passivation of permally thin films
- Fitas supercondutoras de 'BI'-'PB'-'SR'-'CA'-'CU'-o: a dependencia das propriedades morfologicas com o processo de sinterizacao
- Filmes finos de oxido de indio dopado com estanho (ito): crescimento e caracterizacao
- Valence bands studies of electrochromic 'NI''O IND.X' thin films
- Variacoes nas propriedades estruturais de filmes finos eletrocromicos - a influencia do ion de intercalacao
- Espectroscopia da impedancia e de modulacao optica de dispositivos do tipo barreira schottky e mos de silicio
- Propriedades eletrocromicas e estruturais de filmes finos de oxido de niquel crescidos por rf-sputtering
- Determinacao de parametros estruturais de super-redes de 'SI' / 'GE'
Informações sobre o DOI: 10.1063/1.343801 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas