Amorphous silicon thin film field effect transistors (1989)
- Authors:
- USP affiliated authors: ANDRADE, CARLOS AMERICO MORATO DE - IEE ; ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP ; SANEMATSU, MARIO SABRO - EP ; ALVAREZ, INES PEREYRA DE - EP ; FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP
- Unidades: IEE; EP
- Subjects: FILMES FINOS; TRANSISTORES; SILÍCIO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: World Scientific
- Publisher place: Singapore
- Date published: 1989
- Source:
- Conference titles: Latin-American Symposium on Surface Physics
-
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Amorphous silicon thin film field effect transistors. 1989, Anais.. Singapore: World Scientific, 1989. . Acesso em: 04 nov. 2024. -
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Pereyra, I., Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1989). Amorphous silicon thin film field effect transistors. In Thin Films and Small Particles: Proceedings. Singapore: World Scientific. -
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ] -
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 nov. 04 ] - Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro
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