Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb (1988)
- Authors:
- USP affiliated authors: ANDRADE, CARLOS AMERICO MORATO DE - IEE ; ANDRADE, ADNEI MELGES DE - EP ; SANEMATSU, MARIO SABRO - EP ; FONSECA, FERNANDO JOSEPETTI - EP
- Unidades: IEE; EP
- Assunto: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
- Language: Português
- Source:
- Título: Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.1 , p.417-40, 1988
-
ABNT
ANDRADE, Carlos Américo Morato de et al. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, v. 1 , p. 417-40, 1988Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2024. -
APA
Andrade, C. A. M. de, Selingardi, M. L., Andrade, A. M. de, Fonseca, F. J., Bertolino, M. A., Matos, J. D., & Sanematsu, M. S. (1988). Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade, 1 , 417-40. -
NLM
Andrade CAM de, Selingardi ML, Andrade AM de, Fonseca FJ, Bertolino MA, Matos JD, Sanematsu MS. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 417-40.[citado 2024 nov. 04 ] -
Vancouver
Andrade CAM de, Selingardi ML, Andrade AM de, Fonseca FJ, Bertolino MA, Matos JD, Sanematsu MS. Desenvolvimento de detetores para os sensores solares de atitude da mecb. Anais Epusp. Serie B: Engenharia de Eletricidade. 1988 ;1 417-40.[citado 2024 nov. 04 ] - Transistores de filmes finos de silicio amorfo
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- Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro
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