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Tese (Doutorado)
Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício (2009)
Ribeiro, Márcia; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
RIBEIRO, Márcia. Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício. 2009. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Ribeiro, M. (2009). Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/
NLM
Ribeiro M. Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/
Vancouver
Ribeiro M. Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício [Internet]. 2009 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-155431/
Tese (Doutorado)
Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS (2007)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIELÉTRICOS (PROPRIEDADES), DISPOSITIVOS SUPERCONDUTORES, CAPACITORES, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, SILÍCIO
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Albertin, K. F. (2007). Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
NLM
Albertin KF. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS [Internet]. 2007 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
Vancouver
Albertin KF. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS [Internet]. 2007 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08012008-144158/
Tese (Doutorado)
Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD (2007)
Souza, Denise Criado Pereira de ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ESTRUTURA DOS MATERIAIS, DIELÉTRICOS (PROPRIEDADES), ÓPTICA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, SILÍCIO
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SOUZA, Denise Criado Pereira de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD. 2007. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Souza, D. C. P. de. (2007). Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
NLM
Souza DCP de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD [Internet]. 2007 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
Vancouver
Souza DCP de. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD [Internet]. 2007 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-145807/
Dissertação (Mestrado)
Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (2003)
Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, SILÍCIO, DIELÉTRICOS
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ALBERTIN, Katia Franklin. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Albertin, K. F. (2003). Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
NLM
Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
Vancouver
Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
Dissertação (Mestrado)
Estudo da fotoluminescência em filmes de oxinitreto de silício ricos em silício depositados pela técnica de PECVD (2003)
Ribeiro, Márcia; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
RIBEIRO, Márcia. Estudo da fotoluminescência em filmes de oxinitreto de silício ricos em silício depositados pela técnica de PECVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Ribeiro, M. (2003). Estudo da fotoluminescência em filmes de oxinitreto de silício ricos em silício depositados pela técnica de PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Ribeiro M. Estudo da fotoluminescência em filmes de oxinitreto de silício ricos em silício depositados pela técnica de PECVD. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
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Ribeiro M. Estudo da fotoluminescência em filmes de oxinitreto de silício ricos em silício depositados pela técnica de PECVD. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ]
Dissertação (Mestrado)
Estudo e produção de ligas amorfas hidrogenadas de silício, oxigênio e nitrogênio, (a-SiOxNy:H), com aglomerados de silício, obtidas pela técnica de PECVD (2003)
Oliveira, Ricardo Aparecido Rodrigues de ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SILÍCIO
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ABNT
OLIVEIRA, Ricardo Aparecido Rodrigues de. Estudo e produção de ligas amorfas hidrogenadas de silício, oxigênio e nitrogênio, (a-SiOxNy:H), com aglomerados de silício, obtidas pela técnica de PECVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-110135/pt-br.php. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Oliveira, R. A. R. de. (2003). Estudo e produção de ligas amorfas hidrogenadas de silício, oxigênio e nitrogênio, (a-SiOxNy:H), com aglomerados de silício, obtidas pela técnica de PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-110135/pt-br.php
NLM
Oliveira RAR de. Estudo e produção de ligas amorfas hidrogenadas de silício, oxigênio e nitrogênio, (a-SiOxNy:H), com aglomerados de silício, obtidas pela técnica de PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-110135/pt-br.php
Vancouver
Oliveira RAR de. Estudo e produção de ligas amorfas hidrogenadas de silício, oxigênio e nitrogênio, (a-SiOxNy:H), com aglomerados de silício, obtidas pela técnica de PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-02102024-110135/pt-br.php
Dissertação (Mestrado)
Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) pela técnica de PECVD (2003)
Souza, Denise Criado Pereira de ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SILÍCIO
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ABNT
SOUZA, Denise Criado Pereira de. Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) pela técnica de PECVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09062003-113450/. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Souza, D. C. P. de. (2003). Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) pela técnica de PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09062003-113450/
NLM
Souza DCP de. Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) pela técnica de PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09062003-113450/
Vancouver
Souza DCP de. Estudo e produção de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) pela técnica de PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09062003-113450/
Dissertação (Mestrado)
Estudos de difusão de alumínio em ligas amorfas de carbono-silício (2001)
Oliva Salazar, Robinson; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, SILÍCIO, ALUMÍNIO
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ABNT
OLIVA SALAZAR, Robinson. Estudos de difusão de alumínio em ligas amorfas de carbono-silício. 2001. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25092024-141317/pt-br.php. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Oliva Salazar, R. (2001). Estudos de difusão de alumínio em ligas amorfas de carbono-silício (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25092024-141317/pt-br.php
NLM
Oliva Salazar R. Estudos de difusão de alumínio em ligas amorfas de carbono-silício [Internet]. 2001 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25092024-141317/pt-br.php
Vancouver
Oliva Salazar R. Estudos de difusão de alumínio em ligas amorfas de carbono-silício [Internet]. 2001 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25092024-141317/pt-br.php
Tese (Doutorado)
Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda (2000)
Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: PLASMA, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
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ABNT
ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías. Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda. 2000. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2000. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-095615/. Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Alayo Chávez, M. I. (2000). Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-095615/
NLM
Alayo Chávez MI. Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda [Internet]. 2000 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-095615/
Vancouver
Alayo Chávez MI. Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda [Internet]. 2000 ;[citado 2024 out. 05 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-17052022-095615/
Tese (Doutorado)
Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos (1989)
Soler Pajanian, Maria Aparecida Godoy ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOLER PAJANIAN, Maria Aparecida Godoy. Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Soler Pajanian, M. A. G. (1989). Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Soler Pajanian MAG. Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Soler Pajanian MAG. Células solares de silício semicristalino: técnicas de passivação de defeitos. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento
Passivacao de defeitos em celulas solares de silicio semicristalino (1989)
Soler Pajanian, Maria Aparecida Godoy ; Pereyra, Inés ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidade: EP
Subjects: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOLER PAJANIAN, Maria Aparecida Godoy e PEREYRA, Inés e ANDRADE, Adnei Melges de. Passivacao de defeitos em celulas solares de silicio semicristalino. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbimicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Soler Pajanian, M. A. G., Pereyra, I., & Andrade, A. M. de. (1989). Passivacao de defeitos em celulas solares de silicio semicristalino. In Anais. Porto Alegre: Sbimicro/Ufrgs.
NLM
Soler Pajanian MAG, Pereyra I, Andrade AM de. Passivacao de defeitos em celulas solares de silicio semicristalino. Anais. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Soler Pajanian MAG, Pereyra I, Andrade AM de. Passivacao de defeitos em celulas solares de silicio semicristalino. Anais. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Fonseca, Fernando Josepetti ; Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Andrade, C. A. M. de, Fonseca, F. J., Pereyra, I., & Sanematsu, M. S. (1989). Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento
Amorphous silicon thin film field effect transistors (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Sanematsu, Mário Sabro; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Pereyra, Inés ; Martins, R F P; Fortunato, E
Source: Thin Films and Small Particles: Proceedings. Conference titles: Latin-American Symposium on Surface Physics. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Amorphous silicon thin film field effect transistors. 1989, Anais.. Singapore: World Scientific, 1989. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Sanematsu, M. S., Fonseca, F. J., Andrade, C. A. M. de, Pereyra, I., Martins, R. F. P., & Fortunato, E. (1989). Amorphous silicon thin film field effect transistors. In Thin Films and Small Particles: Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Andrade AM de, Sanematsu MS, Fonseca FJ, Andrade CAM de, Pereyra I, Martins RFP, Fortunato E. Amorphous silicon thin film field effect transistors. Thin Films and Small Particles: Proceedings. 1989 ;[citado 2024 out. 05 ]
Parte de monografia/livro
Danos de radiacao em celulas solares de silicio de uso espacial (1989)
Beloto, Antonio Fernando; Pereyra, Inés
Source: Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. Unidade: EP
Subjects: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELOTO, Antonio Fernando e PEREYRA, Inés. Danos de radiacao em celulas solares de silicio de uso espacial. Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. Tradução . São Paulo: Epusp, 1989. . . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Beloto, A. F., & Pereyra, I. (1989). Danos de radiacao em celulas solares de silicio de uso espacial. In Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. São Paulo: Epusp.
NLM
Beloto AF, Pereyra I. Danos de radiacao em celulas solares de silicio de uso espacial. In: Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. São Paulo: Epusp; 1989. [citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Beloto AF, Pereyra I. Danos de radiacao em celulas solares de silicio de uso espacial. In: Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. São Paulo: Epusp; 1989. [citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento
Células solares de silício policristalino passivado com hidrogenio (1988)
Soler Pajanian, Maria Aparecida Godoy ; Pereyra, Inés ; Onmori, Roberto Koji ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Anais. Conference titles: Simposio Nacional sobre Fontes Novas e Renovaveis de Energia. Unidade: EP
Subjects: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOLER PAJANIAN, Maria Aparecida Godoy et al. Células solares de silício policristalino passivado com hidrogenio. 1988, Anais.. Brasília: Mme, 1988. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Soler Pajanian, M. A. G., Pereyra, I., Onmori, R. K., & Andrade, A. M. de. (1988). Células solares de silício policristalino passivado com hidrogenio. In Anais. Brasília: Mme.
NLM
Soler Pajanian MAG, Pereyra I, Onmori RK, Andrade AM de. Células solares de silício policristalino passivado com hidrogenio. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Soler Pajanian MAG, Pereyra I, Onmori RK, Andrade AM de. Células solares de silício policristalino passivado com hidrogenio. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento
Células solares de silício policristalino produzidas com processos de baixo custo (1988)
Soler Pajanian, Maria Aparecida Godoy ; Pereyra, Inés ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Anais. Conference titles: Simposio Nacional sobre Fontes Novas e Renovaveis de Energia. Unidade: EP
Subjects: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOLER PAJANIAN, Maria Aparecida Godoy e PEREYRA, Inés e ANDRADE, Adnei Melges de. Células solares de silício policristalino produzidas com processos de baixo custo. 1988, Anais.. Brasília: Mme, 1988. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Soler Pajanian, M. A. G., Pereyra, I., & Andrade, A. M. de. (1988). Células solares de silício policristalino produzidas com processos de baixo custo. In Anais. Brasília: Mme.
NLM
Soler Pajanian MAG, Pereyra I, Andrade AM de. Células solares de silício policristalino produzidas com processos de baixo custo. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Soler Pajanian MAG, Pereyra I, Andrade AM de. Células solares de silício policristalino produzidas com processos de baixo custo. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento
Células solares de silício de caráter espacial (1988)
Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de ; Pereyra, Inés
Source: Anais. Conference titles: Simposio Nacional sobre Fontes Novas e Renovaveis de Energia. Unidade: EP
Subjects: CÉLULAS SOLARES, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FONSECA, Fernando Josepetti e ANDRADE, Adnei Melges de e PEREYRA, Inés. Células solares de silício de caráter espacial. 1988, Anais.. Brasília: Mme, 1988. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Fonseca, F. J., Andrade, A. M. de, & Pereyra, I. (1988). Células solares de silício de caráter espacial. In Anais. Brasília: Mme.
NLM
Fonseca FJ, Andrade AM de, Pereyra I. Células solares de silício de caráter espacial. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Fonseca FJ, Andrade AM de, Pereyra I. Células solares de silício de caráter espacial. Anais. 1988 ;[citado 2024 out. 05 ]
Dissertação (Mestrado)
Super-redes de silício amorfo (1988)
Páez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Super-redes de silício amorfo. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Páez Carreño, M. N. (1988). Super-redes de silício amorfo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Páez Carreño MN. Super-redes de silício amorfo. 1988 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Páez Carreño MN. Super-redes de silício amorfo. 1988 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento
Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado (1985)
Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro; Gouvea, R; Andrade, Adnei Melges de
Source: Anais. Conference titles: Simposio Brasileiro de Microeletronica. Unidade: EP
Subjects: ELETRODEPOSIÇÃO, SILÍCIO, MICROELETRÔNICA
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ABNT
PEREYRA, Inés et al. Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. 1985, Anais.. São Paulo: Lme-Usp, 1985. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Pereyra, I., Sanematsu, M. S., Gouvea, R., & Andrade, A. M. de. (1985). Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. In Anais. São Paulo: Lme-Usp.
NLM
Pereyra I, Sanematsu MS, Gouvea R, Andrade AM de. Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. Anais. 1985 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Pereyra I, Sanematsu MS, Gouvea R, Andrade AM de. Deposição e caracterização de peliculas e estruturas p-i-n de silicio amorfo hidrogenado. Anais. 1985 ;[citado 2024 out. 05 ]
Trabalho de evento
Desenvolvimento exploratório de células solares de silício de carater espacial (1985)
Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de ; Pereyra, Inés
Source: Anais. Conference titles: Simposio Brasileiro de Microeletronica. Unidade: EP
Subjects: CÉLULAS SOLARES (DESENVOLVIMENTO), SILÍCIO
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ABNT
FONSECA, Fernando Josepetti e ANDRADE, Adnei Melges de e PEREYRA, Inés. Desenvolvimento exploratório de células solares de silício de carater espacial. 1985, Anais.. São Paulo: Lme-Usp, 1985. . Acesso em: 05 out. 2024.
APA
Fonseca, F. J., Andrade, A. M. de, & Pereyra, I. (1985). Desenvolvimento exploratório de células solares de silício de carater espacial. In Anais. São Paulo: Lme-Usp.
NLM
Fonseca FJ, Andrade AM de, Pereyra I. Desenvolvimento exploratório de células solares de silício de carater espacial. Anais. 1985 ;[citado 2024 out. 05 ]
Vancouver
Fonseca FJ, Andrade AM de, Pereyra I. Desenvolvimento exploratório de células solares de silício de carater espacial. Anais. 1985 ;[citado 2024 out. 05 ]

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