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Estudo da fotoluminescência em filmes de oxinitreto de silício ricos em silício depositados pela técnica de PECVD (2003)

  • Authors:
  • Autor USP: RIBEIRO, MARCIA - EP
  • Unidade: EP
  • Sigla do Departamento: PSI
  • Subjects: SILÍCIO; FOTOLUMINESCÊNCIA
  • Language: Português
  • Abstract: Este trabalho objetiva estudar a emissão luminescente de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) ricos em silício de concentração variável, depositados pela técnica de PECVD e correlaciona-la com a estrutura e composição química das amostras. Esta pesquisa foi motivada pelo recente interesse que materiais fotoluminescentes, compatíveis com a tecnologia do silício, tem apresentado para a optoeletrônica integrada. Assim, a partir da observação por Canham de intensa emissão luminescente no silício poroso, novas alternativas foram procuradas como por exemplo a de clusters de silício embebidos em matrizes isolantes de Si'O IND.2' ou 'Si IND.3''N IND.4', as quais tem apresentado intensa emissão luminescente no faixa do visível. Os filmes estudados neste trabalho foram caracterizados por espectroscopia Raman, para análise estrutural e fotoluminescência (PL). A composição química foi obtida por retroespalhamento Rutherford (RBS). Também, foi analisado o efeito de tratamentos térmicos na estrutura e na emissão luminescente dos filmes. Os resultados mostraram que as amostras mais ricas em silício, no estado como depositado, apresentaram aglomerados de silício responsáveis pela emissão luminescente. Os resultados de espectroscopia Raman aliados aos de fotoluminescência indicaram, que a energia média da emissão, está relacionada com o tamanho dos aglomerados de silício presentes no material. Foi também verificado, que as mudanças estruturais induzidas nos filmes pelostratamentos térmicos foram acompanhadas por variações na emissão luminescente
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 25.11.2003

  • How to cite
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    • ABNT

      RIBEIRO, Márcia; PEREYRA, Inés. Estudo da fotoluminescência em filmes de oxinitreto de silício ricos em silício depositados pela técnica de PECVD. 2003.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003.
    • APA

      Ribeiro, M., & Pereyra, I. (2003). Estudo da fotoluminescência em filmes de oxinitreto de silício ricos em silício depositados pela técnica de PECVD. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Ribeiro M, Pereyra I. Estudo da fotoluminescência em filmes de oxinitreto de silício ricos em silício depositados pela técnica de PECVD. 2003 ;
    • Vancouver

      Ribeiro M, Pereyra I. Estudo da fotoluminescência em filmes de oxinitreto de silício ricos em silício depositados pela técnica de PECVD. 2003 ;

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