Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (2003)
- Authors:
- Autor USP: ALBERTIN, KATIA FRANKLIN - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PSI
- Subjects: CAPACITORES; SILÍCIO; DIELÉTRICOS
- Language: Português
- Abstract: Neste trabalho foram fabricados e caracterizados capacitores MOS com camada dielétrica de oxinitreto de silício de diferente composição química, depositada pela técnica de PECVD a baixa temperatura, com o intuito de estudar suas propriedades dielétricas e de interface visando à aplicação deste material em dispositivos MOS e de filme fino. Os capacitores foram fabricados sobre lâminas de silício do tipo p que passaram pelo processo de limpeza química inicial, seguida da deposição da camada dielétrica, fotogravação, metalização e sinterização. Os filmes de SiOxNy, utilizados como camada dielétrica, foram depositados pela técnica de PECVD à temperatura de 320°C variando os fluxos dos gases precursores de forma a obter filmes com diferentes composições químicas. Os capacitores MOS foram caracterizados por medidas de capacitância e corrente em função da tensão, de onde extraímos a densidade de estados de interface, densidade de carga efetiva, constante dielétrica e campo elétrico de ruptura dos filmes. Os resultados mostraram uma variação linear da constante dielétrica do filme em função da concentração de nitrogênio, indo do valor de 3,9, correspondente ao dióxido de silício estequiométrico (Si´O IND.2´) à 7,2 correspondente ao nitreto de silício estequiométrico (´Si IND.3´´N IND.4´). Também observamos que o nitrogênio é uma barreira eficiente à difusão de impurezas através do dielétrico. Porém, notamos uma grande dispersão de duas ordens de grandeza nos valores da carga efetiva (Nss) e de densidade de estados de interface (Dit). Por outro lado, controlando algumas variáveis de forma a manter constante o valor de Nss (~1012 cm´POT.-2´), observamos uma variação de Dit em função da concentração de nitrogênio no filme, esta variação porém é pequena comparada com a dispersão de duas ordens de grandeza observada, que atribuímos assim a fatores externos.O menor valor obtido de Dit foi de 4,55.10´POT.10´ eV´POT.-1´.cm´POT.-2´, que é ótimo para um filme obtido por PECVD, sem nenhum tratamento térmico e melhor que os reportados na literatura para dielétricos obtidos por técnicas que utilizam altas temperaturas (LPCVD-800°C e oxinitretação térmica - 1100°C). Assim, podemos concluir que a técnica de PECVD é promissora para a obtenção de dielétricos a baixas temperaturas.
- Imprenta:
- Data da defesa: 03.04.2003
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD. 2003. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030. Acesso em: 16 abr. 2024. -
APA
Albertin, K. F. (2003). Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030 -
NLM
Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030 -
Vancouver
Albertin KF. Estudo e fabricação de capacitores MOS com camada isolante de SiOxNy depositada por PECVD [Internet]. 2003 ;[citado 2024 abr. 16 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07052003-144030
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