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Trabalho de evento-resumo
Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN (2001)
Santos, A M; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MATERIAIS MAGNÉTICOS
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ABNT
SANTOS, A M e SILVA, Euzi Conceicao Fernandes da e LEITE, J. R. Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Santos, A. M., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2001). Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Santos AM, Silva ECF da, Leite JR. Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Santos AM, Silva ECF da, Leite JR. Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos (2001)
Marques, Marcelo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, Marcelo e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Marques, M., & Scolfaro, L. M. R. (2001). Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Marques M, Scolfaro LMR. Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Marques M, Scolfaro LMR. Estabilidade de aceitadores em AlN e GaN cúbicos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
Strength tuning of multiple waves in crystals (2001)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H
Fonte: Acta Crystallographica Section A. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz e AVANCI, L H. Strength tuning of multiple waves in crystals. Acta Crystallographica Section A, v. 57, p. 192-196, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Morelhão, S. L., & Avanci, L. H. (2001). Strength tuning of multiple waves in crystals. Acta Crystallographica Section A, 57, 192-196. doi:10.1107/s0108767300015774
NLM
Morelhão SL, Avanci LH. Strength tuning of multiple waves in crystals [Internet]. Acta Crystallographica Section A. 2001 ; 57 192-196.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH. Strength tuning of multiple waves in crystals [Internet]. Acta Crystallographica Section A. 2001 ; 57 192-196.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1107/s0108767300015774
Artigo de periodico
Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells (2001)
Lourenço, S A; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Iwamoto, H; Meneses, E A; Leite, J. R.
Fonte: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, INTERAÇÕES NUCLEARES
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ABNT
LOURENÇO, S A et al. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 29, n. 2, p. 225-231, 2001Tradução . . Disponível em: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Lourenço, S. A., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Iwamoto, H., Meneses, E. A., & Leite, J. R. (2001). Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 29( 2), 225-231. Recuperado de http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
NLM
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Vancouver
Lourenço SA, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Iwamoto H, Meneses EA, Leite JR. Temperature dependence of excitonic transitions in 'Al IND.X''Ga IND.1-X'As/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2001 ; 29( 2): 225-231.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://www.idealibrary.com/links/doi/10.1006/spmi.2000.0959/pdf
Artigo de periodico
Theoretical study of protonation effects in polyaniline oligomers (2001)
Ancalla Dávila, Liliana Yolanda; Caldas, Marília Junqueira
Fonte: Synthetic Metals. Unidade: IF
Assuntos: QUÍMICA QUÂNTICA, ELETRICIDADE E ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
ANCALLA DÁVILA, Liliana Yolanda e CALDAS, Marília Junqueira. Theoretical study of protonation effects in polyaniline oligomers. Synthetic Metals, v. 119, n. 1-3, p. 241-242, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0379-6779(00)00916-4. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Ancalla Dávila, L. Y., & Caldas, M. J. (2001). Theoretical study of protonation effects in polyaniline oligomers. Synthetic Metals, 119( 1-3), 241-242. doi:10.1016/s0379-6779(00)00916-4
NLM
Ancalla Dávila LY, Caldas MJ. Theoretical study of protonation effects in polyaniline oligomers [Internet]. Synthetic Metals. 2001 ; 119( 1-3): 241-242.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0379-6779(00)00916-4
Vancouver
Ancalla Dávila LY, Caldas MJ. Theoretical study of protonation effects in polyaniline oligomers [Internet]. Synthetic Metals. 2001 ; 119( 1-3): 241-242.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0379-6779(00)00916-4
Trabalho de evento-resumo
Técnica de modulação de fase para medidas de TMOKE (2001)
Tufaile, Adriana Pedrosa Biscaia; Santos, A. D.; Souche, Y
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
TUFAILE, Adriana Pedrosa Biscaia e SANTOS, A. D. e SOUCHE, Y. Técnica de modulação de fase para medidas de TMOKE. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Tufaile, A. P. B., Santos, A. D., & Souche, Y. (2001). Técnica de modulação de fase para medidas de TMOKE. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Tufaile APB, Santos AD, Souche Y. Técnica de modulação de fase para medidas de TMOKE. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Tufaile APB, Santos AD, Souche Y. Técnica de modulação de fase para medidas de TMOKE. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
Spin-glass ordering in 'Zn IND.1-X''Mn IND.X''In IND.2''Te IND.4' diluted magnetic semiconductor (2001)
Goya, Gerardo Fabían; Sagredo, V
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS MAGNÉTICOS, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
GOYA, Gerardo Fabían e SAGREDO, V. Spin-glass ordering in 'Zn IND.1-X''Mn IND.X''In IND.2''Te IND.4' diluted magnetic semiconductor. Physical Review B, v. 64, n. 23, p. 235208/1-235208/7, 2001Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000023235208000001&idtype=cvips. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Goya, G. F., & Sagredo, V. (2001). Spin-glass ordering in 'Zn IND.1-X''Mn IND.X''In IND.2''Te IND.4' diluted magnetic semiconductor. Physical Review B, 64( 23), 235208/1-235208/7. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000023235208000001&idtype=cvips
NLM
Goya GF, Sagredo V. Spin-glass ordering in 'Zn IND.1-X''Mn IND.X''In IND.2''Te IND.4' diluted magnetic semiconductor [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 23): 235208/1-235208/7.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000023235208000001&idtype=cvips
Vancouver
Goya GF, Sagredo V. Spin-glass ordering in 'Zn IND.1-X''Mn IND.X''In IND.2''Te IND.4' diluted magnetic semiconductor [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 64( 23): 235208/1-235208/7.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000064000023235208000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy (2001)
Fernandez, Jose Rafael Leon; Silva, M T O; Pusep, Yuri A ; Chitta, Valmir Antonio; Tabata, Americo; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; Abramof, E; As, Donat Joseph; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, EFEITO MOSSBAUER, ESPECTROSCOPIA RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
FERNANDEZ, Jose Rafael Leon et al. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Silva, M. T. O., Pusep, Y. A., Chitta, V. A., Tabata, A., Noriega, O. C., et al. (2001). CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Silva MTO, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Abramof E, As DJ, Schikora D, Lischka K. CUBIC GaN:Si layers investigated by raman scattering spectroscopy. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers (2001)
Silva, Marcionilio Teles de Oliveira; Fernandez, Jose Rafael Leon; Pusep, Yuri A ; Chitta, Valmir Antonio; Tabata, Americo; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; Frey, Thomas; As, Donat Joseph; Lischka, Klaus
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Marcionilio Teles de Oliveira et al. Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Silva, M. T. de O., Fernandez, J. R. L., Pusep, Y. A., Chitta, V. A., Tabata, A., Noriega, O. C., et al. (2001). Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Silva MT de O, Fernandez JRL, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Lischka K. Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Silva MT de O, Fernandez JRL, Pusep YA, Chitta VA, Tabata A, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Lischka K. Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (2001)
Scopel, Wanderla Luis ; Cuzinatto, R R; Tabacniks, Manfredo Harri ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés
Fonte: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA (PROPRIEDADES MECÂNICAS), MATERIAIS, MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 288, n. 1-3, p. 88-95, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(01)00608-1. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Scopel, W. L., Cuzinatto, R. R., Tabacniks, M. H., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2001). Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. Journal of Non-Crystalline Solids, 288( 1-3), 88-95. doi:10.1016/s0022-3093(01)00608-1
NLM
Scopel WL, Cuzinatto RR, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2001 ; 288( 1-3): 88-95.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(01)00608-1
Vancouver
Scopel WL, Cuzinatto RR, Tabacniks MH, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Chemical and morphological properties of amorphous silicon oxynitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2001 ; 288( 1-3): 88-95.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-3093(01)00608-1
Artigo de periodico
Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects (2001)
Venezuela, P; Silva, Antonio Jose Roque da; Silva, Cesar da; Dalpian, G. M.; Fazzio, Adalberto
Fonte: Computational Materials Science. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SISTEMAS DINÂMICOS, ESTABILIDADE DE SISTEMAS
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ABNT
VENEZUELA, P et al. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science, v. 22, n. 1-2, p. 62-66, 2001Tradução . . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, Silva, C. da, Dalpian, G. M., & Fazzio, A. (2001). Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science, 22( 1-2), 62-66.
NLM
Venezuela P, Silva AJR da, Silva C da, Dalpian GM, Fazzio A. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 62-66.[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Venezuela P, Silva AJR da, Silva C da, Dalpian GM, Fazzio A. Ab initio studies of the 'Si IND.1-X' 'Ge IND.X' alloy and its intrinsic defects. Computational Materials Science. 2001 ; 22( 1-2): 62-66.[citado 2024 out. 31 ]
Artigo de periodico
Magnetization steps in 'Pb IND.1-X' 'Ce IND.X'S at 20 mK (2001)
Gratens, X; Haar, Ewout Ter; Bindilatti, V.; Oliveira Jr., N. F.; shapira, y; Golacki, Z
Fonte: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, CAMPO MAGNÉTICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GRATENS, X et al. Magnetization steps in 'Pb IND.1-X' 'Ce IND.X'S at 20 mK. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 226, p. 2036-2037, 2001Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=03048853&issue=v226-230inone_p2&article=2036_msipa2&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Gratens, X., Haar, E. T., Bindilatti, V., Oliveira Jr., N. F., shapira, y, & Golacki, Z. (2001). Magnetization steps in 'Pb IND.1-X' 'Ce IND.X'S at 20 mK. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 226, 2036-2037. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=03048853&issue=v226-230inone_p2&article=2036_msipa2&form=pdf&file=file.pdf
NLM
Gratens X, Haar ET, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, shapira y, Golacki Z. Magnetization steps in 'Pb IND.1-X' 'Ce IND.X'S at 20 mK [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2001 ; 226 2036-2037.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=03048853&issue=v226-230inone_p2&article=2036_msipa2&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
Gratens X, Haar ET, Bindilatti V, Oliveira Jr. NF, shapira y, Golacki Z. Magnetization steps in 'Pb IND.1-X' 'Ce IND.X'S at 20 mK [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2001 ; 226 2036-2037.[citado 2024 out. 31 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=03048853&issue=v226-230inone_p2&article=2036_msipa2&form=pdf&file=file.pdf
Artigo de periodico
Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds (2001)
Ramos, L. E.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Castineira, J L P; Rosa, A L; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, L. E. et al. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, v. 63, n. 16, p. 5210/1-5210/10, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210. Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Ramos, L. E., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Castineira, J. L. P., Rosa, A. L., & Leite, J. R. (2001). Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, 63( 16), 5210/1-5210/10. doi:10.1103/physrevb.63.165210
NLM
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Vancouver
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Trabalho de evento-resumo
Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells (2001)
Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Chitta, V A; Sotomayor, N M; Fernandez, J R L; Leite, J. R.; Meneses, E A; Ribeiro, E; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS MAGNÉTICOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORIEGA, Odille Cue et al. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Chitta, V. A., Sotomayor, N. M., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., et al. (2001). Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Noriega OC, Tabata A, Chitta VA, Sotomayor NM, Fernandez JRL, Leite JR, Meneses EA, Ribeiro E, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Chitta VA, Sotomayor NM, Fernandez JRL, Leite JR, Meneses EA, Ribeiro E, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance measurements on cubic GaN and GaN/InGaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects (2001)
Dantas, N O; Qu, Fanyao; Leite, J. R.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ÓPTICA (PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DANTAS, N O et al. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Dantas, N. O., Qu, F., Leite, J. R., & Silva, E. C. F. da. (2001). The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Dantas NO, Qu F, Leite JR, Silva ECF da. The optical properties o delta-doped single heterojunctions: growth direction effects. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos (2001)
Venezuela, Pedro; Dalpian, Gustavo; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
VENEZUELA, Pedro et al. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Venezuela, P., Dalpian, G., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2001). Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Venezuela P, Dalpian G, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Venezuela P, Dalpian G, Silva AJR da, Fazzio A. Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells (2001)
Leite, J. R.; Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Rodrigues, S C P; Silveira, E; MENESES, Eliermes Arraes; Ribeiro, E; As, Donat Joseph; Lischka, K
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Leite, J. R., Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Rodrigues, S. C. P., Silveira, E., et al. (2001). Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Leite JR, Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Rodrigues SCP, Silveira E, MENESES EA, Ribeiro E, As DJ, Lischka K. Light emission process in GaN/InGaN/GaN quantum wells. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well (2001)
Cavalheiro, Ademir; Takahashi, Eduardo Kojy; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; MENESES, Eliermes Arraes
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, CONDUÇÃO
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ABNT
CAVALHEIRO, Ademir et al. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Cavalheiro, A., Takahashi, E. K., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Leite, J. R., & MENESES, E. A. (2001). The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Cavalheiro A, Takahashi EK, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR, MENESES EA. The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Dynamical properties of III-nitrides (2001)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Dynamical properties of III-nitrides. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2001). Dynamical properties of III-nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Dynamical properties of III-nitrides. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Dynamical properties of III-nitrides. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Trabalho de evento-resumo
Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain (2001)
Tabata, Americo; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Frey, T; Kharchenko, V; As, Donat Joseph; Schikora, D; Lischka, K; Bechstedt, F
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, EMISSÃO DA LUZ, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, Americo et al. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. 2001, Anais.. São Paulo: SBF, 2001. . Acesso em: 31 out. 2024.
APA
Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Frey, T., Kharchenko, V., et al. (2001). Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Kharchenko V, As DJ, Schikora D, Lischka K, Bechstedt F. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]
Vancouver
Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Frey T, Kharchenko V, As DJ, Schikora D, Lischka K, Bechstedt F. Reduction or suppression of spinodal phase separation in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X''N' alloys: the role of the biaxial strain. Resumos. 2001 ;[citado 2024 out. 31 ]

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