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Relatorio tecnico
Stability of calcium and magnesium carbonates at lower mantle thermodynamic conditions (2018)
Santos, Samuel S. M.; Marcondes, Michel L.; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, SPINTRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Samuel S. M. et al. Stability of calcium and magnesium carbonates at lower mantle thermodynamic conditions. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1804.07252. Acesso em: 11 out. 2024. , 2018
APA
Santos, S. S. M., Marcondes, M. L., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2018). Stability of calcium and magnesium carbonates at lower mantle thermodynamic conditions. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1804.07252
NLM
Santos SSM, Marcondes ML, Justo Filho JF, Assali LVC. Stability of calcium and magnesium carbonates at lower mantle thermodynamic conditions [Internet]. 2018 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1804.07252
Vancouver
Santos SSM, Marcondes ML, Justo Filho JF, Assali LVC. Stability of calcium and magnesium carbonates at lower mantle thermodynamic conditions [Internet]. 2018 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1804.07252
Relatorio tecnico
Importance of van der Waals interaction on structural, vibrational, and thermodynamics properties of 'NA''CL' (2017)
Marcondes, Michel L.; Wentzcovitch, Renata M.; Assali, L. V. C.
Unidade: IF
Assuntos: SPINTRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARCONDES, Michel L. e WENTZCOVITCH, Renata M. e ASSALI, L. V. C. Importance of van der Waals interaction on structural, vibrational, and thermodynamics properties of 'NA''CL'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1711.02630. Acesso em: 11 out. 2024. , 2017
APA
Marcondes, M. L., Wentzcovitch, R. M., & Assali, L. V. C. (2017). Importance of van der Waals interaction on structural, vibrational, and thermodynamics properties of 'NA''CL'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1711.02630
NLM
Marcondes ML, Wentzcovitch RM, Assali LVC. Importance of van der Waals interaction on structural, vibrational, and thermodynamics properties of 'NA''CL' [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1711.02630
Vancouver
Marcondes ML, Wentzcovitch RM, Assali LVC. Importance of van der Waals interaction on structural, vibrational, and thermodynamics properties of 'NA''CL' [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1711.02630
Relatorio tecnico
A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond (2017)
Lucatto, Bruno; Pela, Ronaldo Rodrigues; Marques, Marcelo; Teles, Lara K.; Assali, L. V. C.
Unidade: IF
Assuntos: SPINTRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LUCATTO, Bruno et al. A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/abs/1705.10644. Acesso em: 11 out. 2024. , 2017
APA
Lucatto, B., Pela, R. R., Marques, M., Teles, L. K., & Assali, L. V. C. (2017). A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/abs/1705.10644
NLM
Lucatto B, Pela RR, Marques M, Teles LK, Assali LVC. A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1705.10644
Vancouver
Lucatto B, Pela RR, Marques M, Teles LK, Assali LVC. A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond [Internet]. 2017 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://arxiv.org/abs/1705.10644
Artigo de periodico
General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond (2017)
Lucatto, Bruno; Pela, Ronaldo Rodrigues; Marques, Marcelo; Teles, Lara K; Assali, L. V. C.
Fonte: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SPIN
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ABNT
LUCATTO, Bruno et al. General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond. PHYSICAL REVIEW B, v. 96, n. 7, p. 075145, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.075145. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Lucatto, B., Pela, R. R., Marques, M., Teles, L. K., & Assali, L. V. C. (2017). General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond. PHYSICAL REVIEW B, 96( 7), 075145. doi:10.1103/PhysRevB.96.075145
NLM
Lucatto B, Pela RR, Marques M, Teles LK, Assali LVC. General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 96( 7): 075145.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.075145
Vancouver
Lucatto B, Pela RR, Marques M, Teles LK, Assali LVC. General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2017 ; 96( 7): 075145.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.96.075145
Artigo de periodico
Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' (2013)
Borges, Pablo D.; Scolfaro, Luisa M.R.; Alves, Horácio W. Leite; Silva Jr., Eronides F. da Silva; Assali, L. V. C.
Fonte: Applied Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BORGES, Pablo D. et al. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2'. Applied Surface Science, v. fe2013, p. 115-118, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., Silva Jr., E. F. da S., & Assali, L. V. C. (2013). Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2'. Applied Surface Science, fe2013, 115-118. doi:10.1016/j.apsusc.2012.08.096
NLM
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr. EF da S, Assali LVC. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' [Internet]. Applied Surface Science. 2013 ; fe2013 115-118.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096
Vancouver
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr. EF da S, Assali LVC. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' [Internet]. Applied Surface Science. 2013 ; fe2013 115-118.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096
Artigo de periodico
Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys (2012)
Borges, Pablo D; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Alves, Horacio W L; Silva, Eronides F da; Assali, L. V. C.
Fonte: Nanoscale Research Letters (NRL). Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)
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ABNT
BORGES, Pablo D et al. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys. Nanoscale Research Letters (NRL), v. 7, n. 1, p. 540/1-540/6, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., Silva, E. F. da, & Assali, L. V. C. (2012). Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys. Nanoscale Research Letters (NRL), 7( 1), 540/1-540/6. doi:10.1186/1556-276X-7-540
NLM
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva EF da, Assali LVC. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys [Internet]. Nanoscale Research Letters (NRL). 2012 ;7( 1): 540/1-540/6.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540
Vancouver
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva EF da, Assali LVC. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys [Internet]. Nanoscale Research Letters (NRL). 2012 ;7( 1): 540/1-540/6.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540
Trabalho de evento-resumo
Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide (2011)
Borges, Pablo Damasceno; L. M. R. Scolfaro, L M R; Alves, H W Leite; Assali, L. V. C.
Fonte: Resumo. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORGES, Pablo Damasceno et al. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Borges, P. D., L. M. R. Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., & Assali, L. V. C. (2011). Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
NLM
Borges PD, L. M. R. Scolfaro LMR, Alves HWL, Assali LVC. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
Vancouver
Borges PD, L. M. R. Scolfaro LMR, Alves HWL, Assali LVC. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
Tese (Doutorado)
Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios (2003)
Barbosa, Karina de Oliveira; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BARBOSA, Karina de Oliveira. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios. 2003. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Barbosa, K. de O. (2003). Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/
NLM
Barbosa K de O. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios [Internet]. 2003 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/
Vancouver
Barbosa K de O. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios [Internet]. 2003 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/
Artigo de periodico
Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si (2003)
Assali, L. V. C. ; Gan, F; Kimberling, L C; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics A-Materials Science & Processing. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, LUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, v. 76, n. 6, p. 991-997, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Gan, F., Kimberling, L. C., & Justo Filho, J. F. (2003). Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 76( 6), 991-997. doi:10.1007/s00339-002-1990-7
NLM
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7
Vancouver
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1007/s00339-002-1990-7
Trabalho de evento-resumo
Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors (2002)
Ayres, F; Assali, L. V. C.
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F e ASSALI, L. V. C. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Ayres, F., & Assali, L. V. C. (2002). Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. In Livro de Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ayres F, Assali LVC. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Ayres F, Assali LVC. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2024 out. 11 ]
Artigo de periodico
Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Physica B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308-310, p. 489-492, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2002). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308-310, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2002 ; 308-310 489-492.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2002 ; 308-310 489-492.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00819-5
Artigo de periodico
Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors (2001)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, v. 79, n. 22, p. 3630-3632, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1421623. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2001). Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, 79( 22), 3630-3632. doi:10.1063/1.1421623
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623
Dissertação (Mestrado)
Estrutura eletronica de impurezas relacionadas com cobre em germanio (1992)
Orellana Muñoz, Walter Manuel; Assali, L. V. C. (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA MUÑOZ, Walter Manuel. Estrutura eletronica de impurezas relacionadas com cobre em germanio. 1992. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1992. . Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Orellana Muñoz, W. M. (1992). Estrutura eletronica de impurezas relacionadas com cobre em germanio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Orellana Muñoz WM. Estrutura eletronica de impurezas relacionadas com cobre em germanio. 1992 ;[citado 2024 out. 11 ]
Vancouver
Orellana Muñoz WM. Estrutura eletronica de impurezas relacionadas com cobre em germanio. 1992 ;[citado 2024 out. 11 ]
Dissertação (Mestrado)
Análise sistemática do campo hiperfino de contacto em atomos livres (1982)
Assali, L. V. C. ; Leite, José Roberto (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. Análise sistemática do campo hiperfino de contacto em atomos livres. 1982. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1982. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-27022014-111400/. Acesso em: 11 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C. (1982). Análise sistemática do campo hiperfino de contacto em atomos livres (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-27022014-111400/
NLM
Assali LVC. Análise sistemática do campo hiperfino de contacto em atomos livres [Internet]. 1982 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-27022014-111400/
Vancouver
Assali LVC. Análise sistemática do campo hiperfino de contacto em atomos livres [Internet]. 1982 ;[citado 2024 out. 11 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-27022014-111400/

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