Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si (2003)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1007/s00339-002-1990-7
- Subjects: SEMICONDUTORES; LUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Springer Verlag
- Publisher place: New York
- Date published: 2003
- Source:
- Título do periódico: Applied Physics A-Materials Science & Processing
- ISSN: 0947-8396
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 76, n. 6, p. 991-997, 2003
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ASSALI, L. V. C.; GAN, F; KIMBERLING, L C; JUSTO FILHO, João Francisco. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, New York, Springer Verlag, v. 76, n. 6, p. 991-997, 2003. Disponível em: < http://springerlink.metapress.com/app/home/content.asp?wasp=hlghtpwxwrx46r1tlyuh&referrer=contribution&format=2&page=1 > DOI: 10.1007/s00339-002-1990-7. -
APA
Assali, L. V. C., Gan, F., Kimberling, L. C., & Justo Filho, J. F. (2003). Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si. Applied Physics A-Materials Science & Processing, 76( 6), 991-997. doi:10.1007/s00339-002-1990-7 -
NLM
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.Available from: http://springerlink.metapress.com/app/home/content.asp?wasp=hlghtpwxwrx46r1tlyuh&referrer=contribution&format=2&page=1 -
Vancouver
Assali LVC, Gan F, Kimberling LC, Justo Filho JF. Electronic structure of light emitting centers in Er doped Si [Internet]. Applied Physics A-Materials Science & Processing. 2003 ; 76( 6): 991-997.Available from: http://springerlink.metapress.com/app/home/content.asp?wasp=hlghtpwxwrx46r1tlyuh&referrer=contribution&format=2&page=1 - Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys
- Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors
- Structural and electronic properties of hydrogen impurities in MgO
- A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond
- Complex centers of hydrogen in tin dioxide
- Propriedades físicas de impurezas profundas em silício
- General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond
- Electronic structure of erbium centers in silicon
- Characterization of Co nanoparticles produced by gas aggregation method in a magnetron sputtering gun
- Estudo de interações hiperfinas em átomos, moléculas e impurezas em semicondutores
Informações sobre o DOI: 10.1007/s00339-002-1990-7 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
