Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys (2012)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1186/1556-276X-7-540
- Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA; SEMICONDUTORES; SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)
- Keywords: Tin dioxide; Diluted magnetic semiconductors; Magnetic properties; ab initio calculations; Electronic structure
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Heidelberg
- Date published: 2012
- Source:
- Título: Nanoscale Research Letters (NRL)
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.7, n.1, p. 540/1-540/6, set.2012
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo é de acesso aberto
- URL de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: gold
- Licença: cc-by
-
ABNT
BORGES, Pablo D et al. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys. Nanoscale Research Letters (NRL), v. 7, n. 1, p. 540/1-540/6, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540. Acesso em: 04 nov. 2024. -
APA
Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., Silva, E. F. da, & Assali, L. V. C. (2012). Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys. Nanoscale Research Letters (NRL), 7( 1), 540/1-540/6. doi:10.1186/1556-276X-7-540 -
NLM
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva EF da, Assali LVC. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys [Internet]. Nanoscale Research Letters (NRL). 2012 ;7( 1): 540/1-540/6.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540 -
Vancouver
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva EF da, Assali LVC. Study of the oxygen vacancy influence on magnetic properties of Fe- and Co-doped SnO2 diluted alloys [Internet]. Nanoscale Research Letters (NRL). 2012 ;7( 1): 540/1-540/6.[citado 2024 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1186/1556-276X-7-540 - Electronic structure of erbium centers in silicon
- Propriedades físicas de impurezas profundas em silício
- Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors
- Study of magnetic and electronic properties of 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 2' and 'SN' IND. 0,96''CR' IND. 0,04''O IND. 0,98''('V IND. O')IND. 0,02' diluted alloys
- Structural and electronic properties of hydrogen impurities in MgO
- A general procedure for accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of 'NV POT. -' center in diamond
- Complex centers of hydrogen in tin dioxide
- General procedure for the calculation of accurate defect excitation energies from DFT-1/2 band structures: the case of the NV − center in diamond
- Estados eletronicos de complexos envolvendo cobre e litio em germanio
- Calculos da estrutura eletronica de defeitos complexos em 'GA''AS' e em outros cristais semicondutores com carater ionico
Informações sobre o DOI: 10.1186/1556-276X-7-540 (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 | 1556-276X-7-540.pdf | Direct link |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
