"Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon (2000)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1590/s0103-97331999000400002
- Assunto: FÍSICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Brazilian Journal of Physics
- ISSN: 0103-9733
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 29, n. 4, p. 611-615, 2000
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
CAPAZ, R B et al. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 611-615, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002. Acesso em: 22 fev. 2026. -
APA
Capaz, R. B., Assali, L. V. C., Kimerling, L. C., Cho, K., & Joannopoulos, J. D. (2000). "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 611-615. doi:10.1590/s0103-97331999000400002 -
NLM
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2000 ; 29( 4): 611-615.[citado 2026 fev. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002 -
Vancouver
Capaz RB, Assali LVC, Kimerling LC, Cho K, Joannopoulos JD. "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2000 ; 29( 4): 611-615.[citado 2026 fev. 22 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400002 - Análise sistemática do campo hiperfino de contacto em atomos livres
- Estados eletronicos de complexos envolvendo cobre e litio em germanio
- Laboratório virtual: simulação teórica de materiais
- Intermediate spin state of iron in MgO:Fe: a theoretical investigation
- Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide
- 3rd transition metals in diamond: electronic properties and chemical trends
- Structural and electronic properties of interstitial hydrogen impurities in 'MG''O'
- "Ab initio" studies of hydrogen-enhanced oxygen diffusion in silicon
- "Ab Initio" studies of hydrogen=enhanced oxygen diffusion in silicon
- Structural and electronic characterization of perovskite 'MG''SI''O IND.3'
Informações sobre o DOI: 10.1590/s0103-97331999000400002 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
