Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors (2001)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/1.1421623
- Subjects: SEMICONDUTORES; ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Applied Physics Letters
- ISSN: 0003-6951
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 79, n. 22, p. 3630-3632, 2001
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, v. 79, n. 22, p. 3630-3632, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1421623. Acesso em: 11 out. 2024. -
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2001). Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors. Applied Physics Letters, 79( 22), 3630-3632. doi:10.1063/1.1421623 -
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623 -
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Reconstruction defects on partial dislocations in semiconductors [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 79( 22): 3630-3632.[citado 2024 out. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1421623 - Electronic structure of erbium centers in silicon
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Informações sobre o DOI: 10.1063/1.1421623 (Fonte: oaDOI API)
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