Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors (2002)
- Authors:
- Autor USP: ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00819-5
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
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- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, v. 308-310, p. 489-492, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b. Acesso em: 30 jan. 2023. -
APA
Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2002). Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors. Physica B, 308-310, 489-492. doi:10.1016/s0921-4526(01)00819-5 -
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2002 ; 308-310 489-492.[citado 2023 jan. 30 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b -
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC. Electrically active centers in partial dislocations in semiconductors [Internet]. Physica B. 2002 ; 308-310 489-492.[citado 2023 jan. 30 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5535&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=c87e532260cd3006cc6ac12632aed54b - Laboratório virtual: simulação teórica de materiais
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0921-4526(01)00819-5 (Fonte: oaDOI API)
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