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Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios (2003)

  • Authors:
  • Autor USP: BARBOSA, KARINA DE OLIVEIRA - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Assunto: SEMICONDUTORES
  • Language: Português
  • Abstract: A tecnologia dos semicondutores tem exigido materiais alternativos para substituir a silício em aplicações a altas temperaturas, altas potências e altas frequências. O carbeto de silício (SiC) emergiu como um dos sérios candidatos que poderiam operar sob extremas condições. O carbeto de silício é um semicondutor que apresenta uma grande faixa proibida de energia e possui mais de 200 politipos. Dentre esses politipos, a maioria das pesquisas tem sido focada nos politipos hexagonais (4H e 6H) e cúbico (3C). Com o objetivo de desenvolver novos dispositivos baseados em SiC, é importante obter um controle bastante rígido sobre os defeitos nativos e as impurezas no material. Os metais de transição tais como titânio, vanádio e cromo são impurezas residuais comuns que são incorporadas durante o crescimento e podem afetar as propriedades eletrônicas do material. Vanádio e cromo são conhecidos como geradores de centros eletricamente ativos em todos os politipos até agora investigados. Por outro lado , a atividade elétrica das impurezas de titânio dependem do politipo de SiC. Apesar do grande interesse que as impurezas de metais de transição despertam devido a suas aplicações tecnológicas associadas a produção de dispositivos eletrônicos, estudos teóricos, utilizando métodos de energia total, têm sido limitados devido a complexidade destes sistemas. Neste trabalho, realizamos uma investigação teórica das principais propriedades eletrônicas e estruturais das impurezas deTi, V e Cr nos politipos 3C e 2H de SiC em vários estados de carga. O método utilizado é o FP-LAPW (Full Potential Linearized Augmented Plane Wave), que é baseado na teoria do funcional da densidade, dentro da aproximação da supercélula. As geometrias e estruturas atômicas de Ti, V e Cr assim como suas estabilidades são investigadas. Para cada configuração, os átomos ao redor do sítio da impureza são relaxados de acordo com o esquema de Newton. ) Este é o primeiro estudo de propriedades eletrônicas e estruturais de impurezas de metais de transição em um material semicondutor, dentro de um formalismo de primeiros princípios, onde distorções da rede cristalina são consideradas. Nossos resultados são comparados com os dados experimentais disponíveis na literatura
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 12.02.2003
  • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      BARBOSA, Karina de Oliveira; ASSALI, L. V. C. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios. 2003.Universidade de São Paulo, São Paulo, 2003. Disponível em: < http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/pt-br.php >.
    • APA

      Barbosa, K. de O., & Assali, L. V. C. (2003). Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios. Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/pt-br.php
    • NLM

      Barbosa K de O, Assali LVC. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios [Internet]. 2003 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/pt-br.php
    • Vancouver

      Barbosa K de O, Assali LVC. Impurezas de metais de transição 3d em SiC: cálculos de primeiros princípios [Internet]. 2003 ;Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-19022014-160214/pt-br.php

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