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Artigo de periodico
Roughness and nanoholes in sol-gel thin films (2005)
Antunes, A; Amaral, T; Brito, Giancarlo Esposito de Souza; Abramof, E; Morelhao, Sergio Luiz
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, FILMES FINOS
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ABNT
ANTUNES, A et al. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 567-569, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Antunes, A., Amaral, T., Brito, G. E. de S., Abramof, E., & Morelhao, S. L. (2005). Roughness and nanoholes in sol-gel thin films. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 567-569. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.078
NLM
Antunes A, Amaral T, Brito GE de S, Abramof E, Morelhao SL. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 567-569.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078
Vancouver
Antunes A, Amaral T, Brito GE de S, Abramof E, Morelhao SL. Roughness and nanoholes in sol-gel thin films [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 567-569.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.078
Artigo de periodico
Negative charged excitons in double barrier diodes (2005)
Camps, I.; Vercik, Andrés; Galvão Gobato, Y.; Brasil, Maria J. S. P.; Marques, G. E.; Makler, Susana S.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: FZEA
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIODOS
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ABNT
CAMPS, I. et al. Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, v. no 2005, n. 11, p. 1038-1040, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Camps, I., Vercik, A., Galvão Gobato, Y., Brasil, M. J. S. P., Marques, G. E., & Makler, S. S. (2005). Negative charged excitons in double barrier diodes. Microelectronics Journal, no 2005( 11), 1038-1040. doi:10.1016/j.mejo.2005.04.013
NLM
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Vancouver
Camps I, Vercik A, Galvão Gobato Y, Brasil MJSP, Marques GE, Makler SS. Negative charged excitons in double barrier diodes [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; no 2005( 11): 1038-1040.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.04.013
Artigo de periodico
Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 (2005)
Monte, A F G; Cunha, J F R; Soler, M A P; Silva, S W; Quivy, A. A.; Morais, P C
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, NANOTECNOLOGIA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MONTE, A F G et al. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 194-196, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Monte, A. F. G., Cunha, J. F. R., Soler, M. A. P., Silva, S. W., Quivy, A. A., & Morais, P. C. (2005). Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 194-196. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.003
NLM
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Vancouver
Monte AFG, Cunha JFR, Soler MAP, Silva SW, Quivy AA, Morais PC. Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3 [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 194-196.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.003
Artigo de periodico
Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning (2005)
Morelhão, Sérgio Luiz; Avanci, L H; Freitas, R; Quivy, A. A.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MICROELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz et al. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, v. 36, n. 3-6, p. 219-222, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Morelhão, S. L., Avanci, L. H., Freitas, R., & Quivy, A. A. (2005). Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning. Microelectronics Journal, 36( 3-6), 219-222. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.010
NLM
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Vancouver
Morelhão SL, Avanci LH, Freitas R, Quivy AA. Strain field of InAs QDs on GaAs(001) substrate surface: characterization by synchrotron X-ray renninger scanning [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( 3-6): 219-222.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.010
Artigo de periodico-carta/editorial
Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] (2005)
Silva Junior, E. F. da; Henini, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Microelectronics Journal. Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA JUNIOR, E. F. da et al. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 07 jul. 2024. , 2005
APA
Silva Junior, E. F. da, Henini, M., Scolfaro, L. M. R., & Sipahi, G. M. (2005). Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot (2004)
Rodríguez Coppola, H; Tutor Sánchez, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; García Moliner, F
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005
NLM
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Vancouver
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Artigo de periodico
H-band emission in single heterojunctions (2003)
Qu, Fanyao; Lino, Antônio Tadeu; Dantas, N O; Morais, P C; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QU, Fanyao et al. H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 755-757, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Qu, F., Lino, A. T., Dantas, N. O., Morais, P. C., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 755-757. doi:10.1016/s0026-2692(03)00119-8
NLM
Qu F, Lino AT, Dantas NO, Morais PC, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. H-band emission in single heterojunctions [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 755-757.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8
Vancouver
Qu F, Lino AT, Dantas NO, Morais PC, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. H-band emission in single heterojunctions [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 755-757.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8
Artigo de periodico
Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)
Lamas, T. E.; Martini, S; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x
NLM
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Vancouver
Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x
Artigo de periodico
Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots (2003)
Oliveira, C de; Alves, J L A; Alves, H W L; Nogueira, R A; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, C de et al. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 725-727, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Oliveira, C. de, Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., Nogueira, R. A., & Leite, J. R. (2003). Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 725-727. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Oliveira C de, Alves JLA, Alves HWL, Nogueira RA, Leite JR. Atomic and electronic structures of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N quantum dots [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 725-727.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides (2003)
Pereira, L S; Santos, A M; Alves, J L A; Alves, H W L; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: TERMODINÂMICA, CALOR ESPECÍFICO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, L S et al. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 655-657, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Pereira, L. S., Santos, A. M., Alves, J. L. A., Alves, H. W. L., & Leite, J. R. (2003). Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 655-657. doi:10.1016/s0026-2692(03)00088-0
NLM
Pereira LS, Santos AM, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 655-657.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0
Vancouver
Pereira LS, Santos AM, Alves JLA, Alves HWL, Leite JR. Dynamical and thermodynamic properties of III-nitrides [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 655-657.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00088-0
Artigo de periodico
Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm (2003)
Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 631-633. doi:10.1016/s0026-2692(03)00066-1
NLM
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1
Vancouver
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes (2003)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 481-484, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00078-8. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 481-484. doi:10.1016/s0026-2692(03)00078-8
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 481-484.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00078-8
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of iron chains on carbon nanotubes [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 481-484.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00078-8
Artigo de periodico
Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells (2003)
Pereira, T A S; Freire, J A K; Freire, V N; Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E F da
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: LUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, T A S et al. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, v. 34, p. 507-509, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Pereira, T. A. S., Freire, J. A. K., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. da. (2003). Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, 34, 507-509. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence (2003)
Sales, F V de; Cruz, J M R; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALES, F V de et al. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 705-707, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Sales, F. V. de, Cruz, J. M. R., Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 705-707. doi:10.1016/s0026-2692(03)00107-1
NLM
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 705-707.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1
Vancouver
Sales FV de, Cruz JMR, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescence [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 705-707.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00107-1
Artigo de periodico
Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface (2002)
Tutor-Sanchez, Joaquín; Hernandez-Calderon, Isaac; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
TUTOR-SANCHEZ, Joaquín e HERNANDEZ-CALDERON, Isaac e LEITE, J. R. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 311, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Tutor-Sanchez, J., Hernandez-Calderon, I., & Leite, J. R. (2002). Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface. Microelectronics Journal, 33( 4), 311. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Tutor-Sanchez J, Hernandez-Calderon I, Leite JR. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 311.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Tutor-Sanchez J, Hernandez-Calderon I, Leite JR. Semiconductor nanostructures: micro and opteoelectronics applications-Preface [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 311.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si (2002)
Araujo, C. Moyses; Fernandez, J. R. L.; Silva, A. Ferreira da; Pepe, I.; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E.; Tabata, A.; Persson, C.; Ahuja, R.; As, D. J.; Schikora, D.; Lischka, K.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Assunto: FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARAUJO, C. Moyses et al. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, v. 33, n. 4, p. 365-369, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1. Acesso em: 07 jul. 2024.
APA
Araujo, C. M., Fernandez, J. R. L., Silva, A. F. da, Pepe, I., Leite, J. R., Sernelius, B. E., et al. (2002). Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si. Microelectronics Journal, 33( 4), 365-369. doi:10.1016/s0026-2692(01)00133-1
NLM
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1
Vancouver
Araujo CM, Fernandez JRL, Silva AF da, Pepe I, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Persson C, Ahuja R, As DJ, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity, MNM transition and band-gap narrowing of cubic GaN: Si [Internet]. Microelectronics Journal. 2002 ; 33( 4): 365-369.[citado 2024 jul. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00133-1

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