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Artigo de periodico
Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate (2006)
Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; Cerdeira, F; Meneses, E A; Li, S F; As, D J; Lischka, K
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESPALHAMENTO
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 21, n. 7, p. 846-851, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Li, S. F., As, D. J., & Lischka, K. (2006). Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, 21( 7), 846-851. doi:10.1088/0268-1242/21/7/003
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
Artigo de periodico
Growth and characterization of cubic (2005)
Pacheco-Salazar, D G; Li, S F; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; As, D J; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Li, S. F., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., et al. (2005). Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
NLM
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Artigo de periodico
Hole mobility in zincblende c-GaN (2004)
Rodrigues, C G; Fernandez, J R L; Leite, J. R.; Chitta, V A; Freire, V N; Vasconcellos, A R; Luzzi, R
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, TERMODINÂMICA
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ABNT
RODRIGUES, C G et al. Hole mobility in zincblende c-GaN. Journal of Applied Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Rodrigues, C. G., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Chitta, V. A., Freire, V. N., Vasconcellos, A. R., & Luzzi, R. (2004). Hole mobility in zincblende c-GaN. Journal of Applied Physics. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips
NLM
Rodrigues CG, Fernandez JRL, Leite JR, Chitta VA, Freire VN, Vasconcellos AR, Luzzi R. Hole mobility in zincblende c-GaN [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips
Vancouver
Rodrigues CG, Fernandez JRL, Leite JR, Chitta VA, Freire VN, Vasconcellos AR, Luzzi R. Hole mobility in zincblende c-GaN [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys (2004)
Marques, Marcelo; Telles, Lara K; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Ferreira, Luis G
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, Marcelo et al. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Marques, M., Telles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Ferreira, L. G. (2004). First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf
NLM
Marques M, Telles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ferreira LG. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf
Vancouver
Marques M, Telles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ferreira LG. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic InGaN epilayers grown by MBE (2004)
Pacheco Salazar, David G; Leite, J. R.; Fernandez, J. R. L; Cerdeira, F; Meneses, E. A
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PACHECO SALAZAR, David G et al. Optical properties of cubic InGaN epilayers grown by MBE. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1487-1.pdf. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Pacheco Salazar, D. G., Leite, J. R., Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., & Meneses, E. A. (2004). Optical properties of cubic InGaN epilayers grown by MBE. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1487-1.pdf
NLM
Pacheco Salazar DG, Leite JR, Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA. Optical properties of cubic InGaN epilayers grown by MBE [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1487-1.pdf
Vancouver
Pacheco Salazar DG, Leite JR, Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA. Optical properties of cubic InGaN epilayers grown by MBE [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1487-1.pdf
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Artigo de periodico
Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers (2004)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
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ABNT
TELES, L. K. et al. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys (2004)
Teles, L K; Marques, M; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TERMODINÂMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L K et al. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Teles, L. K., Marques, M., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00218-0
NLM
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Vancouver
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Trabalho de evento-resumo
Microscopic behavior of quaternary (Al,Ga,In)X (X=N, P, As) alloys: the role played by the anion (2004)
Marques, Marcelo; Telles, Lara K; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Ferreira, Luis G
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MARQUES, Marcelo et al. Microscopic behavior of quaternary (Al,Ga,In)X (X=N, P, As) alloys: the role played by the anion. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1303-1.pdf. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Marques, M., Telles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Ferreira, L. G. (2004). Microscopic behavior of quaternary (Al,Ga,In)X (X=N, P, As) alloys: the role played by the anion. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1303-1.pdf
NLM
Marques M, Telles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ferreira LG. Microscopic behavior of quaternary (Al,Ga,In)X (X=N, P, As) alloys: the role played by the anion [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1303-1.pdf
Vancouver
Marques M, Telles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ferreira LG. Microscopic behavior of quaternary (Al,Ga,In)X (X=N, P, As) alloys: the role played by the anion [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1303-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2003). Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Artigo de periodico
Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Brasil, M J S P; Soares, J A N; Santos, A M; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Köhler, U; Potthast, S; Pacheco Salazar, D G
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Brasil, M. J. S. P., Soares, J. A. N., Santos, A. M., et al. (2003). Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.68.155204
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JAN, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco Salazar DG. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN [Internet]. Physical Review B. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JAN, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco Salazar DG. Optical and x-ray diffraction studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN [Internet]. Physical Review B. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155204
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Brasil, M J S P; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Brasil, M. J. S. P., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Brasil MJSP, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN (2003)
Soares, J A N T; Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Brasil, M J S P; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Potthast, S; Pacheco-Salazar, D G
Source: Paper SC-MoM7. Conference titles: AVS 50th International Symposium. Unidade: IF
Subjects: VÁCUO, MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES, J A N T et al. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. 2003, Anais.. New York: AIP, 2003. . Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Soares, J. A. N. T., Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Brasil, M. J. S. P., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. In Paper SC-MoM7. New York: AIP.
NLM
Soares JANT, Fernandez JRL, Cerdeira F, Brasil MJSP, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco-Salazar DG. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Paper SC-MoM7. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Vancouver
Soares JANT, Fernandez JRL, Cerdeira F, Brasil MJSP, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Potthast S, Pacheco-Salazar DG. Optical studies on the incorporation of carbon as a dopant in cubic GaN. Paper SC-MoM7. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Tabata, A; Rodrigues, S C P; Cerdeira, F; Meneses, E A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Tabata, A., Rodrigues, S. C. P., Cerdeira, F., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Artigo de periodico
Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells (2003)
Cavalheiro, A; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Takahashi, E K; Martini, S; Silva, M J da; Meneses, E A; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IF
Assunto: SUPERCONDUTIVIDADE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAVALHEIRO, A et al. Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 15, n. 2, p. 121-132, 2003Tradução . . Disponível em: http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Cavalheiro, A., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Takahashi, E. K., Martini, S., Silva, M. J. da, et al. (2003). Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, 15( 2), 121-132. Recuperado de http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf
NLM
Cavalheiro A, Silva ECF da, Quivy AA, Takahashi EK, Martini S, Silva MJ da, Meneses EA, Leite JR. Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2003 ; 15( 2): 121-132.[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf
Vancouver
Cavalheiro A, Silva ECF da, Quivy AA, Takahashi EK, Martini S, Silva MJ da, Meneses EA, Leite JR. Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2003 ; 15( 2): 121-132.[citado 2024 jun. 24 ] Available from: http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf
Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Trabalho de evento-resumo
Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases (2003)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Trabalho de evento-resumo
Indium segregation and chemical ordeeringf in 'In Ind.x''Ga IND. 1-x'N alloys (2003)
Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro; Teles, Lara K; Leite, J. R.; Ferreira, Luis G
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada 26. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, Luísa Maria Ribeiro et al. Indium segregation and chemical ordeeringf in 'In Ind.x''Ga IND. 1-x'N alloys. 2003, Anais.. São Paulo: SBF, 2003. . Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Leite, J. R., & Ferreira, L. G. (2003). Indium segregation and chemical ordeeringf in 'In Ind.x''Ga IND. 1-x'N alloys. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Scolfaro LMR, Teles LK, Leite JR, Ferreira LG. Indium segregation and chemical ordeeringf in 'In Ind.x''Ga IND. 1-x'N alloys. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Teles LK, Leite JR, Ferreira LG. Indium segregation and chemical ordeeringf in 'In Ind.x''Ga IND. 1-x'N alloys. Resumos. 2003 ;[citado 2024 jun. 24 ]
Artigo de periodico
Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots (2003)
Duarte, C A; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Silva, M J da; Martini, S; Leite, J. R.; Meneses, E A; Lauretto, E
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ÓPTICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DUARTE, C A et al. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 10, p. 6279-6283, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1568538. Acesso em: 24 jun. 2024.
APA
Duarte, C. A., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Martini, S., Leite, J. R., et al. (2003). Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, 93( 10), 6279-6283. doi:10.1063/1.1568538
NLM
Duarte CA, Silva ECF da, Quivy AA, Silva MJ da, Martini S, Leite JR, Meneses EA, Lauretto E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 10): 6279-6283.[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1568538
Vancouver
Duarte CA, Silva ECF da, Quivy AA, Silva MJ da, Martini S, Leite JR, Meneses EA, Lauretto E. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ; 93( 10): 6279-6283.[citado 2024 jun. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1568538

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