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Trabalho de evento
Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio (1985)
Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Pereira Neto, J R
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R e LEITE, J. R. e PEREIRA NETO, J R. Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jul. 2024. , 1985
APA
Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Pereira Neto, J. R. (1985). Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Scolfaro LMR, Leite JR, Pereira Neto JR. Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Leite JR, Pereira Neto JR. Estrutura eletronica de centros de impurezas calcogenias em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante (1985)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jul. 2024. , 1985
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1985). Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Distorcoes induzidas pela presenca da vacancia e nitrogenio em diamante. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Theoretical model of the au-te complex in silicon (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, v. 32, p. 8085-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, 32, 8085-91. doi:10.1103/physrevb.32.8085
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Trabalho de evento-resumo periodico
Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v (1985)
Silva, E C F; Santos, M D F M; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reuniao da Sbpc. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E C F e SANTOS, M D F M e LEITE, J. R. Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jul. 2024. , 1985
APA
Silva, E. C. F., Santos, M. D. F. M., & Leite, J. R. (1985). Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Silva ECF, Santos MDFM, Leite JR. Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Silva ECF, Santos MDFM, Leite JR. Modos normais de vibracao e mecanismo de difusao em semicondutores iii-v. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio (1985)
Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jul. 2024. , 1985
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon (1985)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Caldas, Marília Junqueira; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841-4, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., Caldas, M. J., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, 53, 841-4. doi:10.1016/0038-1098(85)90064-x
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Trabalho de evento-resumo periodico
Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.; Assali, L. V. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jul. 2024. , 1985
APA
Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1985). Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Gomes VMS, Leite JR, Assali LVC. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 251.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR, Assali LVC. Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 251.[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI' (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reuniaoo Anual da Sbpc. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jul. 2024. , 1985
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Mecanismo do complexo 'AU'-'FE' em 'SI'. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 251.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon (1985)
Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, v. 47, p. 824-6, 1985Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1985). Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters, 47, 824-6.
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Eletronic structure of 'SI': 'O IND.4' complex as related to the thermal donors in silicon. Applied Physics Letters. 1985 ;47 824-6.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Microscopic mechanism of hydrogen passivation of acceptor shallow levels in silicon (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Microscopic mechanism of hydrogen passivation of acceptor shallow levels in silicon. Physical Review Letters, v. 55, p. 980-2, 1985Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1985). Microscopic mechanism of hydrogen passivation of acceptor shallow levels in silicon. Physical Review Letters, 55, 980-2.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Microscopic mechanism of hydrogen passivation of acceptor shallow levels in silicon. Physical Review Letters. 1985 ;55 980-2.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Microscopic mechanism of hydrogen passivation of acceptor shallow levels in silicon. Physical Review Letters. 1985 ;55 980-2.[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento
Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon (1985)
Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Leite, J. R. (1985). Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Leite JR. Deep-levels associated to chalcogen impurities in silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento
Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P' (1985)
Silva, C E T G; Makiuchi, N; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, C E T G e MAKIUCHI, N e LEITE, J. R. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. 1985, Anais.. San Francisco: Springer, 1985. . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Silva, C. E. T. G., Makiuchi, N., & Leite, J. R. (1985). Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. In Proceedings. San Francisco: Springer.
NLM
Silva CETG, Makiuchi N, Leite JR. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Silva CETG, Makiuchi N, Leite JR. Electronic structure of the point defects gap: 'V IND.P' and gap : ' O IND.P'. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of complex defects in silicon (1985)
Leite, J. R.; Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Scolfaro, L M R
Source: Journal of Electronic Materials. Serie a. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, v. 14, p. 885-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Leite, J. R., Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Scolfaro, L. M. R. (1985). Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, 14, 885-91. doi:10.1007/bfb0034418
NLM
Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Vancouver
Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91.[citado 2024 jul. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Trabalho de evento
Current research on semiconductor physics (1985)
Leite, J. R.; Silva, C E T
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. e SILVA, C E T. Current research on semiconductor physics. 1985, Anais.. São Paulo: Usp, 1985. . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Leite, J. R., & Silva, C. E. T. (1985). Current research on semiconductor physics. In Proceedings. São Paulo: Usp.
NLM
Leite JR, Silva CET. Current research on semiconductor physics. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Leite JR, Silva CET. Current research on semiconductor physics. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento
Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon (1985)
Leite, J. R.; Assali, L. V. C.
Source: Proceedings. Conference titles: Brazilian School on Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. 1985, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1985. . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Leite, J. R., & Assali, L. V. C. (1985). Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. In Proceedings. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Leite JR, Assali LVC. Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon. Proceedings. 1985 ;[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional (1985)
Takahashi, E K; Lino, A T; Leite, J. R.; Ferraz, A. C.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jul. 2024. , 1985
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1985). Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Leite JR, Ferraz AC. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Leite JR, Ferraz AC. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d (1985)
Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, J L A e LEITE, J. R. Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jul. 2024. , 1985
APA
Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1985). Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Alves JLA, Leite JR. Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 273.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Alves JLA, Leite JR. Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 273.[citado 2024 jul. 19 ]
Artigo de periodico
Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon (1985)
Alves, J L A; Leite, J. R.; Gomes, V M S; Assali, L. V. C.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, J L A et al. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications, v. 55, p. 333-7, 1985Tradução . . Acesso em: 19 jul. 2024.
APA
Alves, J. L. A., Leite, J. R., Gomes, V. M. S., & Assali, L. V. C. (1985). Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications, 55, 333-7.
NLM
Alves JLA, Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications. 1985 ;55 333-7.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Alves JLA, Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications. 1985 ;55 333-7.[citado 2024 jul. 19 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Aplicação do metodo celular variacional para eletrons do continuo (1985)
Landgraf, T C; Watari, K.; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LANDGRAF, T C e WATARI, K. e LEITE, J. R. Aplicação do metodo celular variacional para eletrons do continuo. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 19 jul. 2024. , 1985
APA
Landgraf, T. C., Watari, K., & Leite, J. R. (1985). Aplicação do metodo celular variacional para eletrons do continuo. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Landgraf TC, Watari K, Leite JR. Aplicação do metodo celular variacional para eletrons do continuo. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 231.[citado 2024 jul. 19 ]
Vancouver
Landgraf TC, Watari K, Leite JR. Aplicação do metodo celular variacional para eletrons do continuo. Ciência e Cultura. 1985 ; 37( 7 supl.): 231.[citado 2024 jul. 19 ]

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