Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional (1985)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; FERRAZ, ARMANDO CORBANI - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Source:
- Título: Ciência e Cultura
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.37, n.7 supl., p.250, jul. 1985
- Conference titles: Reunião Anual da SBPC
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ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 25 jan. 2026. , 1985 -
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Leite, J. R., & Ferraz, A. C. (1985). Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo. -
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Leite JR, Ferraz AC. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2026 jan. 25 ] -
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Leite JR, Ferraz AC. Calculos autoconsistentes da estrutura eletronica do silicio pelo metodo celular variacional. Ciência e Cultura. 1985 ;37( 7 supl.): 250.[citado 2026 jan. 25 ] - Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional
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