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Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de diodos PIN e MOS operando como sensores de raios X (2023)
Conceição, Marcelo Luiz Freitas da; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: RADIOGRAFIA, SENSOR, DIODOS
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ABNT
CONCEIÇÃO, Marcelo Luiz Freitas da. Caracterização elétrica de diodos PIN e MOS operando como sensores de raios X. 2023. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18102023-102838/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Conceição, M. L. F. da. (2023). Caracterização elétrica de diodos PIN e MOS operando como sensores de raios X (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18102023-102838/
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Conceição MLF da. Caracterização elétrica de diodos PIN e MOS operando como sensores de raios X [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18102023-102838/
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Conceição MLF da. Caracterização elétrica de diodos PIN e MOS operando como sensores de raios X [Internet]. 2023 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18102023-102838/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de sensores de hidrogênio e acetileno integrados com circuitos de condicionamento de sinais (2022)
Venuto, Edelson da Silva Procopio; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ESPECTROMETRIA, SENSOR
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ABNT
VENUTO, Edelson da Silva Procopio. Fabricação e caracterização de sensores de hidrogênio e acetileno integrados com circuitos de condicionamento de sinais. 2022. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2022. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112022-082313/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Venuto, E. da S. P. (2022). Fabricação e caracterização de sensores de hidrogênio e acetileno integrados com circuitos de condicionamento de sinais (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112022-082313/
NLM
Venuto E da SP. Fabricação e caracterização de sensores de hidrogênio e acetileno integrados com circuitos de condicionamento de sinais [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112022-082313/
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Venuto E da SP. Fabricação e caracterização de sensores de hidrogênio e acetileno integrados com circuitos de condicionamento de sinais [Internet]. 2022 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25112022-082313/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno (2020)
Carvalho, Marcel Castilho Batista de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FONTES RENOVÁVEIS DE ENERGIA, SILÍCIO, VEÍCULOS ELÉTRICOS
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CARVALHO, Marcel Castilho Batista de. Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno. 2020. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2020. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Carvalho, M. C. B. de. (2020). Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/
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Carvalho MCB de. Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/
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Carvalho MCB de. Fabricação e caracterização de supercapacitores com eletrodos de silício poroso passivados com grafeno [Internet]. 2020 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20042022-075408/
Dissertação (Mestrado)
Sensoriamento de misturas de H₂, CH₄ e CO por meio de uma matriz de quimioresistores (2014)
Moreira, Raphael Garcia; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: REDES NEURAIS, GASEIFICAÇÃO, SENSOR
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MOREIRA, Raphael Garcia. Sensoriamento de misturas de H₂, CH₄ e CO por meio de uma matriz de quimioresistores. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13102014-150854/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Moreira, R. G. (2014). Sensoriamento de misturas de H₂, CH₄ e CO por meio de uma matriz de quimioresistores (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13102014-150854/
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Moreira RG. Sensoriamento de misturas de H₂, CH₄ e CO por meio de uma matriz de quimioresistores [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13102014-150854/
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Moreira RG. Sensoriamento de misturas de H₂, CH₄ e CO por meio de uma matriz de quimioresistores [Internet]. 2014 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-13102014-150854/
Tese (Doutorado)
Fabricação e caracterização de termopares Cu/Cu-Ni-P obtidos por deposição eletroquímica e simulações térmicas de estruturas de termopar para radiometria (2013)
Saez Parra, Fernando Trevisan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, ELETRODEPOSIÇÃO
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SAEZ PARRA, Fernando Trevisan. Fabricação e caracterização de termopares Cu/Cu-Ni-P obtidos por deposição eletroquímica e simulações térmicas de estruturas de termopar para radiometria. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-173415/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Saez Parra, F. T. (2013). Fabricação e caracterização de termopares Cu/Cu-Ni-P obtidos por deposição eletroquímica e simulações térmicas de estruturas de termopar para radiometria (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-173415/
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Saez Parra FT. Fabricação e caracterização de termopares Cu/Cu-Ni-P obtidos por deposição eletroquímica e simulações térmicas de estruturas de termopar para radiometria [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-173415/
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Saez Parra FT. Fabricação e caracterização de termopares Cu/Cu-Ni-P obtidos por deposição eletroquímica e simulações térmicas de estruturas de termopar para radiometria [Internet]. 2013 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-29122014-173415/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS (2012)
Christiano, Verônica; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS DIELÉTRICOS
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CHRISTIANO, Verônica. Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06062013-144815/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Christiano, V. (2012). Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06062013-144815/
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Christiano V. Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06062013-144815/
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Christiano V. Caracterização física e elétrica de filmes dielétricos de Al2O3 e AlxHf1-xOy para estruturas high-k MOS [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06062013-144815/
Dissertação (Mestrado)
Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (2012)
Martino, Márcio Dalla Valle; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES
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MARTINO, Márcio Dalla Valle. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Martino, M. D. V. (2012). Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
NLM
Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
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Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
Tese (Doutorado)
Obtenção de ligas AuxSny utilizando deposição eletroquímica: influência dos aditivos, análise de morfologia e crescimento de multicamadas (2011)
Cardoso, Juliana Lopes; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ELETRODEPOSIÇÃO, ELETROQUÍMICA
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CARDOSO, Juliana Lopes. Obtenção de ligas AuxSny utilizando deposição eletroquímica: influência dos aditivos, análise de morfologia e crescimento de multicamadas. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15032012-122525/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Cardoso, J. L. (2011). Obtenção de ligas AuxSny utilizando deposição eletroquímica: influência dos aditivos, análise de morfologia e crescimento de multicamadas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15032012-122525/
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Cardoso JL. Obtenção de ligas AuxSny utilizando deposição eletroquímica: influência dos aditivos, análise de morfologia e crescimento de multicamadas [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15032012-122525/
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Cardoso JL. Obtenção de ligas AuxSny utilizando deposição eletroquímica: influência dos aditivos, análise de morfologia e crescimento de multicamadas [Internet]. 2011 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-15032012-122525/
Dissertação (Mestrado)
Desenvolvimento de um sensor eletroquímico planar modificado com 1-2 Diaminobenzeno (DAB) para monitoração de nitrito por FIA-automatizada (2009)
Almeida, Fernando Luis de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: SENSORES QUÍMICOS, SERIGRAFIA, ALUMINA, ELETRODO
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ABNT
ALMEIDA, Fernando Luis de. Desenvolvimento de um sensor eletroquímico planar modificado com 1-2 Diaminobenzeno (DAB) para monitoração de nitrito por FIA-automatizada. 2009. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2009. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092010-105650/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Almeida, F. L. de. (2009). Desenvolvimento de um sensor eletroquímico planar modificado com 1-2 Diaminobenzeno (DAB) para monitoração de nitrito por FIA-automatizada (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092010-105650/
NLM
Almeida FL de. Desenvolvimento de um sensor eletroquímico planar modificado com 1-2 Diaminobenzeno (DAB) para monitoração de nitrito por FIA-automatizada [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092010-105650/
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Almeida FL de. Desenvolvimento de um sensor eletroquímico planar modificado com 1-2 Diaminobenzeno (DAB) para monitoração de nitrito por FIA-automatizada [Internet]. 2009 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092010-105650/
Dissertação (Mestrado)
Limites do protocolo CAN (Controller Area Network) para aplicações que exigem alto grau de confiabilidade temporal (2008)
Hodel, Kleber Nogueira; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ELETRÔNICA EMBARCADA, ENGENHARIA AUTOMOTIVA, REDE DE COMUNICAÇÃO, ANÁLISE DE SÉRIES TEMPORAIS
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ABNT
HODEL, Kleber Nogueira. Limites do protocolo CAN (Controller Area Network) para aplicações que exigem alto grau de confiabilidade temporal. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28032017-095434/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Hodel, K. N. (2008). Limites do protocolo CAN (Controller Area Network) para aplicações que exigem alto grau de confiabilidade temporal (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28032017-095434/
NLM
Hodel KN. Limites do protocolo CAN (Controller Area Network) para aplicações que exigem alto grau de confiabilidade temporal [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28032017-095434/
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Hodel KN. Limites do protocolo CAN (Controller Area Network) para aplicações que exigem alto grau de confiabilidade temporal [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28032017-095434/
Tese (Doutorado)
Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício (2008)
Souza Filho, José Cândido de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: ÓPTICA, LASER, ESPALHAMENTO, SILÍCIO
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ABNT
SOUZA FILHO, José Cândido de. Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Souza Filho, J. C. de. (2008). Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/
NLM
Souza Filho JC de. Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/
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Souza Filho JC de. Uma geometria alternativa para detecção do espalhamento de luz laser por partículas e micro-rugosidades em superfícies de silício [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-30092008-145835/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (2008)
Scaff, Robson; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, ELETROQUÍMICA, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
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SCAFF, Robson. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Scaff, R. (2008). Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
NLM
Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
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Scaff R. Caracterização elétrica de dispositivos tipo ISFET com estrutura Si/Si'O IND.2'/'Si IND.3''N IND.4' para medição de pH utilizando pseudoeletrodos de Pt, Ag e Au [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-01102008-142910/
Tese (Doutorado)
Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio (2008)
Hashimoto, Alexandre Ichiro; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: COBALTO, ELETROQUÍMICA, PALÁDIO, SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HASHIMOTO, Alexandre Ichiro. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Hashimoto, A. I. (2008). Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/
NLM
Hashimoto AI. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/
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Hashimoto AI. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de termopares Cu/CuNixPy obtidos por deposição eletroquímica (2008)
Saez Parra, Fernando Trevisan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: FILMES FINOS, ELETRODEPOSIÇÃO, SENSOR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SAEZ PARRA, Fernando Trevisan. Fabricação e caracterização de termopares Cu/CuNixPy obtidos por deposição eletroquímica. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25092008-140736/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Saez Parra, F. T. (2008). Fabricação e caracterização de termopares Cu/CuNixPy obtidos por deposição eletroquímica (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25092008-140736/
NLM
Saez Parra FT. Fabricação e caracterização de termopares Cu/CuNixPy obtidos por deposição eletroquímica [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25092008-140736/
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Saez Parra FT. Fabricação e caracterização de termopares Cu/CuNixPy obtidos por deposição eletroquímica [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-25092008-140736/
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si (2008)
Souza, Cesar Augusto Alves de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, NITROGÊNIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
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SOUZA, Cesar Augusto Alves de. Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-083525/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Souza, C. A. A. de. (2008). Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-083525/
NLM
Souza CAA de. Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-083525/
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Souza CAA de. Caracterização elétrica de oxinitretos de silício ultrafinos para porta PMOS obtidos por implantação de nitrogênio na estrutura Si-poli/SiO2/Si [Internet]. 2008 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-14082008-083525/
Dissertação (Mestrado)
Nano-oxidação do silício utilizando sonda de AFM (2007)
Pinto, Diego Kops; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: OXIDAÇÃO, NANOTECNOLOGIA, SILÍCIO
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ABNT
PINTO, Diego Kops. Nano-oxidação do silício utilizando sonda de AFM. 2007. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2007. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-154136/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Pinto, D. K. (2007). Nano-oxidação do silício utilizando sonda de AFM (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-154136/
NLM
Pinto DK. Nano-oxidação do silício utilizando sonda de AFM [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-154136/
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Pinto DK. Nano-oxidação do silício utilizando sonda de AFM [Internet]. 2007 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-09012008-154136/
Tese (Doutorado)
Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2006)
Reis, Ronaldo Willian; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, DIODOS, FILMES FINOS, RUGOSIDADE SUPERFICIAL
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ABNT
REIS, Ronaldo Willian. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. . Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Reis, R. W. (2006). Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Reis RW. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006 ;[citado 2024 jun. 30 ]
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Reis RW. Obtenção de contatos rasos de mono-siliceto de níquel visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2006 ;[citado 2024 jun. 30 ]
Dissertação (Mestrado)
Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P (2006)
Pestana, Ricardo; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: DIODOS, MEDIDAS ELÉTRICAS, MICROELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
PESTANA, Ricardo. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Pestana, R. (2006). Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
NLM
Pestana R. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
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Pestana R. Caracterização elétrica de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções N+P [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-08122006-143302/
Dissertação (Mestrado)
Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (2006)
Souza, Ricardo de; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CAPACITORES, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, FILMES FINOS
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ABNT
SOUZA, Ricardo de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico. 2006. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2006. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/. Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Souza, R. de. (2006). Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
NLM
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
Vancouver
Souza R de. Fabricação e caracterização de óxidos de porta MOS ultrafinos crescidos sobre superfícies planas e com degraus empregando processos convencional e pirogênico [Internet]. 2006 ;[citado 2024 jun. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-23042007-141950/
Tese (Doutorado)
Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (2005)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: RUGOSIDADE SUPERFICIAL, SILÍCIO, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 30 jun. 2024.
APA
Toquetti, L. Z. (2005). Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2024 jun. 30 ]
Vancouver
Toquetti LZ. Estudo experimental da obtenção de oxinitretos de silício ultrafinos para porta MOS. 2005 ;[citado 2024 jun. 30 ]

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