Tese

Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio (2008)

• Authors:
  • Hashimoto, Alexandre Ichiro
  • Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)
• Autor USP: HASHIMOTO, ALEXANDRE ICHIRO - EP
• Unidade: EP
• Sigla do Departamento: PSI
• Subjects: COBALTO; ELETROQUÍMICA; PALÁDIO; SILÍCIO
• Language: Português
• Abstract: Neste trabalho investigamos a deposição química de filmes finos de cobalto sobre superfícies de lâminas de silício, tipo P (100), previamente ativadas com paládio e estudamos alguns mecanismos químicos envolvidos no processo de deposição química de filmes finos de cobalto. Os filmes de cobalto foram caracterizados quanto sua morfologia utilizando técnicas de Microscopia de Força Atômica (AFM) e Espectrometria de Retroespalhamento de Rutherford (RBS).Estudamos dois tipos de banho para deposição química: Receita 1 (2,0M NH4Cl, 0,005M CoCl2.6H2O, 0,15M NaH2PO2 H2O) e Receita 2 -(0,14M Na3C6H5O7, 0,65M (NH4)2SO4, 0,19M CoSO4.7 H2O, 0,28M NaH2PO2 H2O) onde o pH dos banhos foi variado na faixa de 3,7 a 10 através da adição de hidróxido de amônio e a temperatura, na faixa de 65°C a 90°C. Nesta investigação sobre a deposição de cobalto sobre silício tipo P inicialmente foi observado que os sítios de paládio ficam esparsamente distribuídos sobre toda a superfície da lâmina de silício. A receita 1 não permitiu realizar deposição química sobre silício (100) tipo P em amplas faixas de pH e temperatura, com ou sem ativação das superfícies por paládio. Tal fato foi atribuído ao NH4Cl que teve o duplo papel de agente complexante e agente tamponante, fato que inviabilizou a realização da deposição química de cobalto. Por outro lado, a mudança do agente complexante para sulfato de amônio e do agente tamponante, para citrato de sódio, permitiu a realização da deposição química decobalto em faixas de pH básico (6-10) e temperatura (65°C a 90°C). Surpreendentemente, às maiores taxas de deposição foram obtidas em temperaturas próximas à 80°C e pH próximo a 9,0. Além disso, o aumento da concentração de paládio na superfície, apesar de aumentar a taxa de deposição de cobalto nos instantes iniciais acabou por promover processos de redistribuição de paládio ao longo dos filmes de cobalto depositado. ) Tal fato foi atribuído a um mecanismo químico concorrente de oxidação tanto do paládio como do cobalto
• Imprenta:
  • Publisher place: São Paulo
  • Date published: 2008
• Data da defesa: 25.06.2008


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How to cite

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• ABNT

  HASHIMOTO, Alexandre Ichiro. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/. Acesso em: 19 set. 2024.

• APA

  Hashimoto, A. I. (2008). Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/

• NLM

  Hashimoto AI. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio [Internet]. 2008 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/

• Vancouver

  Hashimoto AI. Estudo da deposição química de cobalto em superfícies de silício pré-ativadas por paládio [Internet]. 2008 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06112008-102206/

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